【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのＴＦＴを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極（１４）と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層（６ａ）との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板と、該絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、該酸化物半導体膜にチャネルが形成されるトランジスタを有する半導体装置である。加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板は、絶縁体基板の少なくとも酸化物半導体膜が設けられる側に、酸素イオン注入を行うことで作製することができる。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層に接する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に設けられ第１の酸化物半導体層とは異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、を少なくとも含む酸化物半導体積層を用いてトランジスタを構成する。第１の酸化物半導体層と第２の酸化物半導体層とは互いに異なるエネルギーギャップを有すればよく、その積層順は問わない。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜または／およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】シール材の段差を一様にして、液晶の歩留まり、信頼性を向上する。
【解決手段】素子基板と、素子基板に設けられた薄膜トランジスタを有する画素部と、素子基板の画素部を囲むように設けられたシール材と、素子基板のシール材の内側に設けられた片側駆動方式の周辺駆動回路と、シール材下に設けられ、周辺駆動回路に接続される第１の配線、第２の配線と、シール材下の第１の配線及び第２の配線と対向する領域にそれぞれ設けられ、第１の配線及び第２の配線と電気的に絶縁された支持部材と、支持部材と一部が重なるように設けられたブラックマトリクスと、を有し、支持部材及び第１の配線は、同一材料からなる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する半導体装置を作製す
るための技術を提供する。
【解決手段】分離層を有する固定基板上に樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に
少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記分離層にレーザー光を照射することにより
、前記分離層の層内または界面において前記固定基板から前記樹脂基板を剥離する工程と
を行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい、チャネル領域に酸化物半導体を含むトランジスタを用いた半導体装置を作製する。
【解決手段】窒素を含む一対の酸窒化物半導体領域、および該一対の酸窒化物半導体領域に挟まれる酸化物半導体領域を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極とを有する半導体装置。ここで、一対の酸窒化物半導体領域はトランジスタのソース領域およびドレイン領域となり、酸化物半導体領域はトランジスタのチャネル領域となる。 （もっと読む）

【課題】球状のスペーサを用いずに、セルギャップを保持する。
【解決手段】第１の基板と、第１の基板に対向する第２の基板201とを有し、第１の基板は、画素電極と、薄膜トランジスタと、画素電極の上方に設けられた第１の配向膜と、を有し、第２の基板201は、選択的に設けられたカラーフィルタと、複数のギャップ保持部材220と、複数のギャップ保持部材220を覆って設けられた第２の配向膜230とを有し、ギャップ保持部材220の材料は感光性樹脂であり、ギャップ保持部材220は、カラーフィルタが設けられた領域及びカラーフィルタが設けられていない領域にそれぞれ設けられ、かつカラーフィルタが設けられていない領域に設けられたギャップ保持部材220は、カラーフィルタが設けられた領域に設けられたギャップ保持部材220よりも高い。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜トランジスタの半導体層を形成する第１マスク工程と、ゲート絶縁膜をはさんで半導体層上にゲート電極を形成し、半導体層のソース及びドレイン領域にイオン不純物をドーピングする第２マスク工程と、第１導電層、第１絶縁層及び第２導電層を順次に形成し、薄膜トランジスタと離隔された領域に第１導電層、第１絶縁層及び第２導電層をパターニングして、キャパシタを形成する第３マスク工程と、第２絶縁層を形成し、第２絶縁層を貫通してソース及びドレイン領域及び第２導電層を露出させるコンタクトホールを形成する第４マスク工程と、コンタクトホールを通じてソース及びドレイン領域及び第２導電層に接続するソース及びドレイン電極を形成する第５マスク工程と、を含む平板表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】透光性導電膜を配線や電極として備えるものにあって、透光性導電膜の抵抗を低減させることができる表示装置を提供することである。
【解決手段】
複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する複数のドレイン線とを有し、画素の領域毎に、前記ゲート線とドレイン線とに接続される薄膜トランジスが形成される表示装置であって、前記ゲート線及び前記ドレイン線、並びに前記ゲート線又は前記ドレイン線から伸延される引き出し配線の少なくとも１つが透光性パターン化導電膜で形成され、前記透光性パターン化導電膜は、少なくとも、第１透光性パターン化導電膜と、前記第１透光性パターン化導電膜上に積層された第２透光性パターン化導電膜とから構成され、前記第２透光性パターン化導電膜は、前記第１透光性パターン化導電膜の側壁面を含む表面のみを被って形成される導電膜からなる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０のチャネル領域２０Ａ上にゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０をこの順に同一形状で形成する。酸化物半導体膜２０，ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の上に金属膜を形成し、この金属膜に対して熱処理を行うことにより、金属膜を酸化させて高抵抗膜５０を形成すると共に、ソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に低抵抗領域２１を形成する。低抵抗領域２１は、アルミニウム（Ａｌ）等をドーパントとして含むか、またはチャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。変動要素の多いプラズマ処理を用いずに高抵抗領域２１を形成可能となり、安定した特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】ソース・ドレイン電極と半導体膜とのコンタクト不良を抑制することが可能な半導体装置等を提供する。
【解決手段】両端部３０ｓ、３０ｄの膜厚が平坦部３０ｃの膜厚よりも厚い半導体膜３０を形成する。ゲート絶縁膜４０は、両端部３０ｓ、３０ｄが露出されるように形成される。両端部３０ｓ、３０ｄには、ソース・ドレイン電極５０ｓ、５０ｄとソース・ドレイン領域とを接続する中間電極５０ｓ、５０ｄが形成され、この中間電極５０ｓ、５０ｄまで開口するコンタクトホールが形成される。 （もっと読む）

【課題】機能回路の電源配線及び接地配線に要する接地面積を少なくし、同時に消費電流による電源電圧降下及び接地電圧上昇を抑えることで、薄型・軽量・高機能・低価格の半導体装置を提供する。
【解決手段】機能回路に電源電圧を供給する電源配線１００９及び接地電圧を供給する接地配線１０１０が格子状に配置されている半導体装置である。格子状にすることで、電源電圧降下及び接地電圧上昇は大幅に低減できる。また、配線幅を細くしても、格子状にしない場合と同程度の電源電圧降下及び接地電圧上昇に抑えられるので、電源配線及び接地配線の配置面積を大幅に低減できる。 （もっと読む）