【課題】応答速度の速い表示装置、電子機器、および、表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えばＦＦＳモード等の横電界によって液晶分子を制御する表示装置は、第１電極および第１電極と対向すると共に互いに延在方向が同一の複数の開口を有する第２電極を含む電極層と、電極層上に設けられ、開口の幅方向において対向する一方の側および他方の側の近傍領域の液晶分子が互いに逆方向に回転して配向する液晶層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第１基板と、絶縁表面上の第１導電膜及び第２導電膜と、第１導電膜上の第１絶縁膜と、第２導電膜上の第２絶縁膜と、第１基板と対峙する第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層と、を有し、第１導電膜の一部は第１絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第２導電膜の一部は第２絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】大がかりな装置を用いなくても、容易に応答特性を向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板２０及び第２基板３０、第１電極２０Ｂ、第１電極２０Ｂに設けられた第１配向規制部２１、第１配向膜２２、第２電極３０Ｂ、第２電極３０Ｂに設けられた第２配向規制部３１、第２配向膜３２、液晶分子４１を含む液晶層４０を有する画素が、複数、配列されて成り、液晶層４０は、更に、重合した高分子化合物を含み、液晶分子４１Ａ，４１Ｂには、配向膜２２，３２と接する重合した高分子化合物によってプレチルトが付与されている。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタの移動度を向上させる。
【解決手段】ゲート絶縁膜２２と、活性層としてＳｎ,Ｚｎ及びＯ、又はＳｎ,Ｇａ,Ｚｎ及びＯを主たる構成元素とする酸化物半導体層１４と、ゲート絶縁膜２２と酸化物半導体層１４との間に配置され、酸化物半導体層１４よりも抵抗率が高い酸化物中間層１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スプレイ配列からベンド配列に転移させる初期化処理の時間を短縮した液晶シャッタを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シャッタ部を備えた液晶シャッタが提供される。シャッタ部は、第１透明電極を有する第１基板部と、第１透明電極に対向する第２透明電極を有する第２基板部と、第１透明電極と第２透明電極との間に設けられた液晶層と、を含む。液晶層の液晶配列は、第１透明電極と第２透明電極との間の電位差が第１電圧に設定されたときにスプレイ配列であり、電位差が第１電圧よりも実効値が大きい第２電圧に設定されたときにベンド配列へ転移する。第１基板部は、液晶層におけるスプレイ配列からベンド配列への転移を促進させる複数の転移核部を有する。第１基板部の周縁部の少なくとも一部における複数の転移核部の密度は、周縁部よりも内側の内側部における複数の転移核部の密度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】応答速度の高速化が可能であるとともに透過率の低減を抑制しつつ高精細化が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層を備えたスイッチング素子と、第１電極と、前記第１電極と向かい合うとともに前記スイッチング素子と電気的に接続され且つ第１方向に沿って複数のＶ字型スリットが並んで形成された第２電極と、第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２配向膜を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、前記Ｖ字型スリットは、第１中央部、前記第１中央部の一端側に繋がった第１端部、前記第１中央部の他端側に繋がった第２端部、第２中央部、前記第２中央部の一端側に繋がった第３端部、及び、前記第２中央部の他端側に繋がった第４端部を有し、前記第１端部と前記第３端部とが繋がったことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】コントラストを向上させることのでき、しかも、画像表示の立ち上がり速度の向上だけでなく、立ち下がり速度の向上を図ることができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板２０，３０の対向面側に設けられた第１配向膜２２及び第２配向膜３２、並びに、第１配向膜２２と第２配向膜３２との間に配され、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含む液晶層４０を有する液晶表示素子を備えており、第１配向膜２２は、側鎖として架橋性官能基又は重合性官能基を有する第１の高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、第２配向膜３２は、第２の高分子化合物が架橋又は重合した化合物を含み、液晶分子４１Ａには、第１配向膜２２によってプレチルトが付与され、且つ、液晶分子４１Ｂは、第２配向膜３２によって垂直配向されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の高いコントラスト比と広視野角を同時に確保でき、液晶分子の速い応答速度を実現するだけなく、液晶表示装置の側面視認性を向上させることのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１画素電極及び第２画素電極は複数の枝電極を含み、第１画素電極の枝電極と第２画素電極の枝電極は交互に配置されており、第１画素電極の枝部と第２画素電極の枝部は、互いに隣接した第１画素電極の枝部と第２画素電極の枝部との間隔が相対的に広い第１領域と、互いに隣接した第１画素電極の枝部と第２画素電極の枝部との間隔が相対的に狭い第２領域とを含み、第１領域と前記第２領域のうちの少なくとも一つに配置されている第１画素電極の枝部と第２画素電極の枝部は、ゲート線と第１角度を成す第１部分と、ゲート線と第２角度を成す第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】コントラスト比と広視野角を同時に確保することができ、液晶分子の応答速度を速くすることができるだけでなく、優れた表示特性を示す液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる液晶表示装置は、互いに対向する第１基板および第２基板と、第１および第２基板の間に介在しており、液晶分子を含む液晶層と、第１基板の上に配置されており、互いに分離されている第１画素電極および第２画素電極とを含み、第１画素電極および第２画素電極の１つは、データ線を介して第１電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極の残りの１つは、電圧伝達線を介して第２電圧が印加され、第１画素電極および第２画素電極は、幹部と、幹部から延びた複数の枝電極とを含み、第１画素電極の枝電極と第２画素電極の枝電極は交互に配置されており、第１画素電極および第２画素電極の幹部は、電圧伝達線と少なくとも一部重畳する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の高いコントラスト比と広視野角を同時に確保でき、液晶分子の速い応答速度を実現するだけでなく、優れた表示特性を示すことのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】互いに対向する第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板の間に配置され、液晶分子を含む液晶層と、第１基板上に配置され、互いに分離されている第１画素電極及び第２画素電極と、を含み、第１画素電極及び第２画素電極は、第１画素電極及び第２画素電極のそれぞれ含む幹部と、幹部から延び出た複数の枝電極とを含み、第１画素電極の枝電極と第２画素電極の枝電極は交互に配置され、第１画素電極の枝部と隣接した第２画素電極の枝部との間隔が第１間隔である第１領域と、第１画素電極の枝部と隣接した第２画素電極の枝部との間隔が第２間隔である第２領域を有し、第１領域は、画素領域の端部に、第１画素電極及び第２画素電極の幹部が配置されていない領域を含む。 （もっと読む）

【課題】視野角が広く、液晶分子の応答速度が速く、表示特性および長期信頼性に優れる液晶表示素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記の製造方法は、導電膜を有する一対の基板の該導電膜上に、それぞれ、（Ａ）ポリオルガノシロキサンおよび（Ｂ）２−［４’−（２−アクリロイロキシ−エトキシ）−ビフェニル−４−イロキシ］−エチルアクリレートに代表される重合性不飽和化合物を含有する重合体組成物を塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を形成した一対の基板を、液晶分子の層を介して前記塗膜が相対するように対向配置して液晶セルを形成し、前記一対の基板の有する導電膜間に電圧を印加した状態で前記液晶セルに光照射する工程を経ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブルー相液晶を用いた液晶表示装置において、ヒステリシスの発生や立ち下がり時間の遅れを補正することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
線状の第１電極と第２電極とが配置される第１基板と、前記第１基板と対向配置される第２基板とを有する液晶表示装置であって、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設される第１ドレイン線及び第２ドレイン線と、前記Ｘ方向に延在し前記Ｙ方向に並設されるゲート線と、前記ゲート線からの走査信号に同期して当該第１ドレイン線からのドレイン信号を前記第１電極に供給する第１薄膜トランジスタと、前記画素毎に、前記ゲート線からの走査信号に同期して当該第２ドレイン線からのドレイン信号を前記第２電極に供給する第２薄膜トランジスタと、前記第２基板の対向面側に形成され、少なくとも前記画素の形成領域を覆うようにして形成される平板状の第３電極とを備える液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 階調表示と応答性の改善を両立させ、さらに高輝度表示、及び透過表示若しくは反射表示の可能な斜め電界液晶表示装置用のカラーフィルタ基板、及びこのカラーフィルタ基板を備える斜め電界液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 階調表示を行う通常表示と明るいダイナミック表示、透過表示若しくは反射表示が可能な斜め電界液晶表示装置用カラーフィルタ基板であって、透明基板、この透明基板上に形成された透明導電膜、この透明導電膜上に形成された、複数の多角形画素形状の開口部を有するブラックマトリクス、このブラックマトリクスの開口部の中央に形成された第２の透明樹脂層、この透明導電膜上に形成された着色層、及びこの着色層上に形成された第１の透明樹脂層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶シャッタが閉まっているときの光漏れが低減された液晶シャッタ眼鏡を提供する。
【解決手段】ブルー相を示す液晶材料を含む液晶層を挟持する第１の基板及び第２の基板と、第１の基板と液晶層との間に設けられた櫛歯状の第１の電極及び櫛歯状の第１の共通電極と、第２の基板と液晶層との間に設けられた櫛歯状の第２の電極及び櫛歯状の第２の共通電極と、を有し、第１の電極は、第２の電極と重畳し、第１の共通電極は、第２の共通電極と重畳し、第１の電極は、第２の電極と接続する液晶シャッタ眼鏡を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄くて軽く、薄厚化および狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高堅牢性（高信頼性）を実現することのできる半導体装置および電気装置を提供する。
半導体装置および電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、フレキシブル性を有する第１基板３０と、第１基板３０上に形成される複数の画素電極３５と、第１基板３０内に埋め込まれた少なくとも１つのドライバＩＣ８９と、ドライバＩＣ８９と画素電極３５とが接続配線２２を介して接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配向膜の形成及びラビング処理に起因する問題を防止し、配向膜の形成及びラビング処理を行わなくても優れた配向制御性を有するＩＰＳモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板の面方向に電界を印加する電極を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板に対向して設けられた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された多孔質膜と、前記多孔質膜の空孔内に充填された、液晶成分及び前記液晶成分と相溶性のあるデンドリマー及び／又はデンドロンを含む液晶組成物とを有することを特徴とする液晶表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】配向膜なしで、またラビング工程なしで、液晶の垂直配向を実現でき、パネル設計を最適化することで、高コントラスト、高輝度、高速応答、大画面化を実現する。
【解決手段】上部基板または下部基板のいずれか一方の基板上にくし歯電極を有し、横電界により液晶を駆動する液晶表示装置において、前記液晶にデンドリマーが添加されてなり、前記くし歯電極の間隔を５−１５μｍ、セル厚を５−８μｍ、デンドリマー濃度を０．１ｗｔ％以上、前記液晶の誘電異方性Δεを８以上とする。 （もっと読む）