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Fターム[2H092NA07]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 目的 (17,448) | 表示特性改善 (4,180) | 開口率の向上 (860)

Fターム[2H092NA07]に分類される特許

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【課題】 外部応力による表示品位の低下を抑制できることに加え、画素の開口率を向上させることができる液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】液晶表示装置1は、信号電極228はX方向と交差するY方向に沿って延在
して設けられており、ドレイン配線Dと補助容量線222とは、信号電極229の形成領域内で、互いに重なるようにY方向での信号電極228の一端から他端にかけて延在していること
を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い開口率を有し、表示像を中間色で表示させることができる液晶表示素子及びその生産方法を提供する。
【解決手段】液晶表示素子は、第1電極部21と第2電極部22とを備える。第1電極部21は、第1の方向に延在する複数の線状電極1と、第2の方向に延在する複数の線状電極2とが交差するようにして格子状に形成され、第2電極部22は、第1の方向に延在する複数の線状電極3と、第2の方向に延在する複数の線状電極4とが交差するようにして格子状に形成されている。基板対向面の法線方向から見た場合に、線状電極1と線状電極3とは重ならず、線状電極2と線状電極4とは重ならず、線状電極1と線状電極4とが重なる領域及び線状電極2と線状電極3とが重なる領域で、互いに離間した複数の画素を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、高い表示品位を有する液晶表示装置を製造できる。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、第2基板22の主面21a上に遮光膜BMを形成する工程と、遮光膜BMを覆うように第1絶縁膜226を形成する工程と、第1絶縁膜226上に透光性の導体層100を形成する工程と、導体層100上にレジストREを形成する工程と、第2基板22の反対主面22b側から、遮光膜BMと重ならない部分のレジストREを露光する工程と、レジストRE上にマスクPMを配置して、レジストREのうち遮光膜BMの形成領域上に位置するレジストREの一部をマスクPM側から露光する工程と、導体層100の一部を露出させる工程
と、導体層100の露出した一部をエッチングし、レジストを除去して、遮光膜BMの形成領
域上に信号電極228および共通電極227を形成する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第1の配線と、信号線として機能することができる第2の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第1の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】画素の開口領域を最大化し、画素の透過率を向上させる、FFS方式液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート配線とデータ配線113aとの交差地点に形成された薄膜トランジスタTと、薄膜トランジスタTを含む基板101全面に形成され、薄膜トランジスタTを露出する開口部を備えた有機絶縁膜117の上部に形成された大面積の共通電極123aと、開口部から薄膜トランジスタTに接続された補助電極パターン123cと、共通電極123a及び補助電極パターン123cを含む基板101全面に形成され、薄膜トランジスタTに接続された補助電極パターン123cを露出するパッシベーション膜127の上部に形成され、露出した補助電極パターン123cを介して薄膜トランジスタTに電気的に接続され、共通電極123aとオーバーラップする複数の画素電極133aとを含む。 (もっと読む)


【課題】画素の高開口率化に有効であって剥離を生じ難い絶縁膜を有するアレイ基板と、このアレイ基板の製造方法を提供する。また、輝度が高く、高い信頼性を備えた液晶表示素子を提供する。
【解決手段】カルボキシル基を有する構成単位と重合性基を有する構成単位とを含む重合体と、キノンアジド化合物あるいは重合性化合物および重合開始剤と、熱酸発生剤と、硬化促進剤である式(1)または式(2)の化合物とを含有する感放射線性樹脂組成物を用い、スイッチング能動素子8の形成された基板4上に絶縁膜12を形成し、アレイ基板1を製造する。アレイ基板1を用い液晶表示素子を構成する。
(もっと読む)


【課題】広視野角での高コントラストを実現することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】一対の透明電極13で液晶層11を挟んで構成される垂直配向型の液晶表示装置は、一対の透明電極13が第1透明電極13Aと第2透明電極13Bとで構成され、第1透明電極13Aに、単一又は複数の開口部を有する波型形状の第1スリット21が複数並設され、第2透明電極13Bには、液晶層11の厚み方向に沿う方向視で第1スリット21と重複しない位置に第2スリット31を備えている。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するTFTを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第1の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第1の配線と接続された第2の配線と、第2の配線に接続され、第2の配線上に形成された透明導電膜と、第2の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 (もっと読む)


【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ881は、リーク電流が小さいため、画素880内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素880の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極や走査線(ゲート線)及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第1の絶縁膜を介して設けられた第1の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上にゲート電極と第2の配線134を形成する。第1及び第2の配線は、第1及び第2の絶縁膜を介して交差する。第2の配線134の上層には、層間絶縁膜として第3の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第1の配線及び第2の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線G2と、ゲート配線G2と交差するように延びたソース配線S1と、ソース配線S1と略平行に延びた主画素電極PAを備えた画素電極PEと、ゲート配線G2とソース配線S1とが交差した位置に配置されたスイッチング素子SWと、を備えた第1基板ARと、主画素電極PAを挟んだ両側で主画素電極PAと略平行に延びた共通電極CEを有する第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に保持された液晶分子LMを含む液晶層LQと、を備え、スイッチング素子SWは、前記画素電極と電気的に接続され前記ゲート線と重なるように配置されたドレイン配線EDを含む、液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用TFTと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用TFTと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 (もっと読む)


【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第1導電膜によるゲート電極と、第1導電膜上の第1絶縁層によるゲート絶縁膜と、第1絶縁層上にゲート電極と重なる第1半導体層と、第1半導体層上かつゲート電極に重なる第2絶縁層によるチャネル保護膜と、第1半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第2半導体層と、第2半導体層上の第2導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第2導電膜上に形成された第3絶縁層と、第3絶縁層上の第3導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第1絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第3絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 (もっと読む)


【課題】実質的な開口率をより一層向上できるMVAモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、画素毎にTFT214と該TFT214に電気的に接続された画素電極215とを有している。TFT214は、ゲートバスライン211及びデータバスライン212に接続されている。1つの画素は4つの領域に分割されており、画素電極215には各領域毎に異なる方向に延びる微細電極部215bが設けられている。また、微細電極部215bの基端側の微細電極部間の領域の形状が、微細電極部間の領域の中心線に対し線対称となる形状となっている。 (もっと読む)


【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向に沿って延出した第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、第2方向に沿って延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、第1ソース配線のエッジの直上に位置し第2方向に沿って延出した帯状の第1主画素電極、第2ソース配線のエッジの直上に位置し第2方向に沿って延出した帯状の第2主画素電極、及び、第1主画素電極及び第2主画素電極を繋ぎ第1方向に沿って延出した帯状の第1副画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、第1主画素電極と第2主画素電極との間に位置し第2方向に沿って延出した帯状の第1主共通電極、第1ソース配線の上方に位置し第2方向に沿って延出した帯状の第2主共通電極、及び、第2ソース配線の上方に位置し第2方向に沿って延出した帯状の第3主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】高開口率を得るために形成する層間絶縁膜のパターニング性、歩留まりを向上させ、生産性に優れた薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜2上には、ゲート電極11に重なる位置に、ドレイン電極16と、ソース電極17と、を隔てて設けてあり、ドレイン電極16には、画素電極15を接続し、ソース電極17には、ソース配線18を接続してある。また、ゲート絶縁膜2上には、ドレイン電極16及びソース電極17の双方に重なるように、半導体層3を設けてある。ゲート絶縁膜2上には、画素電極15の一部を露出させた状態で、ソース電極17、ソース配線18、ドレイン電極16、画素電極15、半導体層3を封止する一層目封止層4を設け、一層目封止層4上には、ソース電極17及びソース配線18に重なる位置に、二層目封止層5を設けてある。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1信号配線Gと、第1信号配線Gと交差する方向Yに延びるとともに第1信号配線Gと交差する位置において第1信号線Gが延びる方向Xにおける幅が広くなった幅広部SAを備えた第2信号配線Sと、第2信号配線Sの間において第1信号配線Gと交差する方向に延びた主画素電極PAと、主画素電極PAと電気的に接続された副画素電極PBと、を含む画素電極PEと、を備えた第1基板ARと、画素電極PEの両側に配置された共通電極CEを備えた第2基板CTと、第1基板ARと第2基板CTとの間に挟持された液晶層LQと、を備え、第1信号配線Gの全体が幅広部SAと副画素電極PBとの少なくとも一方と重なっている液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の提供。
【解決手段】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の場合、共通電極の真上または直下に共通電圧線を形成して、直接的に接触させることにより、共通電圧線の信号遅延を低減するとともに、液晶表示装置の開口率の低下を防ぐことができる。 (もっと読む)


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