【課題】光の利用効率に優れると共に、容易に製造可能な液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクターを提供すること。
【解決手段】対向配置され、複数の画素領域が設けられた一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち第一基板において複数の前記画素領域のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記一対の基板のうち前記第一基板において前記スイッチング素子よりも前記液晶層側に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第一光屈折部と、前記一対の基板のうち前記第一基板とは異なる第二基板に設けられ、前記画素領域ごとに配置された複数の第二光屈折部とを備え、前記第一光屈折部及び前記第二光屈折部のうち、一方は曲面状に形成されており、他方は平面視で前記画素領域の中央部へ向けて傾斜する複数の平面によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】光センサの検出精度が安定している液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１は、複数の受光素子２ａ，２ｂと画像表示用の複数の電極と当該複数の電極と接続される複数の液晶駆動素子とを備えるアレイ基板と、複数の画素又はサブピクセルに対応し平面視でマトリクス状に区分けされた複数の画素開口部ＡＰ１を形成するブラックマトリクスＢＭを備える対向基板とが、液晶層を介して互いに対向する。複数の受光素子２ａ，２ｂは、青色波長領域に感度を持つ第１の受光素子２ａと、信号補償用の第２の受光素子２ｂとを含み、金属酸化物を含む透明チャネル層を備えるフォトトランジスタである。ブラックマトリクスＢＭは、平面視で互いに対向する２辺に形成された斜め光開口部ＡＰ２を具備する。複数の電極は、画素開口部ＡＰ１に対応する液晶を駆動するための画素電極と、斜め光開口部ＡＰ２に対応する液晶を駆動するための導光電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】イオン性不純物に起因する表示不具合が改善された液晶装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一方の面側に複数の画素電極１５が配列する画素領域Ｅが設けられた第１基板としての素子基板１０と、共通電位が印加される共通電極２３が設けられた第２基板としての対向基板２０と、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わすシール材４０と、シール材４０で囲まれた領域内に保持された液晶層５０と、を備え、素子基板１０は、平面視で画素領域Ｅとシール材４０との間において、共通電位より低電位の第１の電位が印加された第１配線層としての定電位配線１２１ｓと、定電位配線１２１ｓと液晶層５０との間に設けられると共に、平面視で定電位配線１２１ｓの少なくとも一部と重なって設けられ、共通電位より高電位である第２の電位が印加された第２配線層としての周辺電極１４１と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第１の配線と、信号線として機能することができる第２の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第１の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、外周領域１０ｃに複数の容量素子５６を形成しておき、外部からいずれの容量素子５６に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置１００の一つ一つにＩＤ等情報を記録する。容量素子５６は、ダミー画素１００ｂに設けた蓄積容量５５であり、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線５ｂのうち、外周領域１０ｃで延在している部分を配線として利用して、容量素子５６への電圧印加および信号検出を行う。 （もっと読む）

【課題】フラットパネルディスプレイの薄型化を推進できる技術を提供する。
【解決手段】ＬＣＤドライバを構成する半導体チップＣＨＰのチップ側面やチップ裏面から入射される光を遮光するために、半導体チップＣＨＰとは別部品である遮光テープを使用せず、半導体チップＣＨＰ自体のチップ側面とチップ裏面に遮光膜ＳＤＦを形成する。これにより、別部品としての遮光テープを使用しないため、遮光テープが薄型化したガラス基板ＧＳ２の表面から突出するという不具合を解消することができる。この結果、液晶表示装置の薄型化、ひいては、液晶表示装置を搭載した携帯電話機ＭＰの薄型化を推進することができる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、
温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体
層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化す
ることで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃
におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表
示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上
述したように当該トランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ
／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置
の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 １つの表示領域を２つの領域に分割し、当該２つの領域に並行して映像や画像を表示する液晶表示装置におけるドライバ回路の発熱を抑え、かつ、画質の低下を防ぐ。
【解決手段】 液晶表示パネルの１つの表示領域は、走査信号線の延在方向と一致する境界線により第１の表示領域と第２の表示領域に分割されており、前記第１の表示領域の画素のＴＦＴ素子が接続している映像信号線と、前記第２の表示領域の画素のＴＦＴ素子が接続している映像信号線とは、電気的に絶縁されており、前記第１の表示領域および前記第２の表示領域のそれぞれの表示領域において、前記映像信号線の延在方向に沿って並んだ複数個の画素の列には、それぞれ、２本の隣接する映像信号線のうちの一方の映像信号線にＴＦＴ素子が接続している画素と、前記２本の隣接する映像信号線のうちの他方の映像信号線にＴＦＴ素子が接続している画素とが、交互に並んでいる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】高動作マージン・高信頼性・狭額縁・小型・低コストの駆動回路一体型アクティブマトリクス型の表示装置を提供する。
【解決手段】図１４［２］を参照すると、ゲート線駆動回路１２と対向電極２１とが対面していないことがわかる。このことから、対向電極２１とシール材１１とが重なっている領域における電気的な影響は、少なくともゲート線駆動回路１２には及ばない。これが本発明の特徴である。 （もっと読む）

【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第１方向に沿って延出し第２方向に沿って第１ピッチで配置された第１ゲート配線及び第２ゲート配線と、第２方向に沿って延出し第１方向に沿って第１ピッチよりも大きな第２ピッチで配置された第１ソース配線及び第２ソース配線と、半導体層と、第１ゲート配線と電気的に接続されたゲート電極と、半導体層にコンタクトし第１ソース配線と電気的に接続されたソース電極と、第１ソース配線及び第２ソース配線と同一材料によって形成されたドレイン電極であって半導体層にコンタクトした第１電極部、第１電極部に繋がり第１方向に沿って延出した第２電極部、及び、第１電極部に繋がり第１方向に沿って延出した第３電極部を備えたドレイン電極と、を備えた第１基板と、第２電極部と第３電極部との間に位置し第１方向に沿って延出した主共通電極を備えた第２基板と、を備えた液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線Ｇ２と、ゲート配線Ｇ２と交差するように延びたソース配線Ｓ１と、ソース配線Ｓ１と略平行に延びた主画素電極ＰＡを備えた画素電極ＰＥと、ゲート配線Ｇ２とソース配線Ｓ１とが交差した位置に配置されたスイッチング素子ＳＷと、を備えた第１基板ＡＲと、主画素電極ＰＡを挟んだ両側で主画素電極ＰＡと略平行に延びた共通電極ＣＥを有する第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶分子ＬＭを含む液晶層ＬＱと、を備え、スイッチング素子ＳＷは、前記画素電極と電気的に接続され前記ゲート線と重なるように配置されたドレイン配線ＥＤを含む、液晶表示装置。 （もっと読む）