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液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 液晶の動作原理 (3,287) | 電界効果型 (3,247) | 誘電異方性型 (2,775)

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【課題】垂直配向型の液晶表示装置において柱状スペーサーに起因する光抜けを抑制して表示品位を向上させる。
【解決手段】液晶表示装置は、一対の基板、各基板に設けられた垂直配向膜、一対の基板間に配置された複数の柱状スペーサー、一対の基板間に設けられた液晶層、一対の偏光板を含む。垂直配向膜には一軸配向処理が施され、液晶層の層厚方向の略中央における液晶分子の配向方向43は第1方向41に略平行である。各偏光板の吸収軸48と49は互いに略直交し、かつ各々が第1方向及びこれに略直交する第2方向のいずれに対しても略45°の角度で配置される。各柱状スペーサーは、断面が台形状であって上底面、下底面及び当該上底面と下底面の間の2つの斜面を有し、当該2つの斜面の各々を画定する外縁部の平面視における延在方向が第1方向41又は第2方向に対して45°±10°の角度で配置される。 (もっと読む)


【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第1方向に延出した第1補助容量線及び第2補助容量線と、第1補助容量線と第2補助容量線との間に位置し第1方向にゲート配線と、画素の略中央でゲート配線の上方に位置する半導体層と、半導体層とコンタクトし第2方向にソース配線と、半導体層にコンタクトし第1補助容量線及び第2補助容量線の上方に延出したドレイン電極と、ドレイン電極と電気的に接続され第1補助容量線と対向し第1方向に延出した第1主画素電極及びドレイン電極と電気的に接続され第2補助容量線と対向し第1方向に延出した第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、第1主画素電極を挟んだ両側及び第2主画素電極を挟んだ両側に位置し第1方向に延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】視野角の広い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶層と、複数の画素PXと、を備える。複数の画素PXは、1つ又は複数の主画素電極PAと、複数の主共通電極CAと、を有している。各画素PXは、第1方向Xに沿った主画素電極PA及び主共通電極CA間の隙間が互いに異なる複数の領域R3、R4を有している。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第1の透明導電膜6は、当該第1の透明導電膜6のコーナー部近傍では第2の導電膜5の端面を覆っておらず、コーナー部近傍以外において第2の導電膜5の端面を覆う部分を有している。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 (もっと読む)


【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】 第1方向に沿って延出し第2方向に沿って第1ピッチで配置された第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、第2方向に沿って延出し第1方向に沿って第1ピッチよりも大きな第2ピッチで配置された第1ソース配線及び第2ソース配線と、半導体層と、第1ゲート配線と電気的に接続されたゲート電極と、半導体層にコンタクトし第1ソース配線と電気的に接続されたソース電極と、第1ソース配線及び第2ソース配線と同一材料によって形成されたドレイン電極であって半導体層にコンタクトした第1電極部、第1電極部に繋がり第1方向に沿って延出した第2電極部、及び、第1電極部に繋がり第1方向に沿って延出した第3電極部を備えたドレイン電極と、を備えた第1基板と、第2電極部と第3電極部との間に位置し第1方向に沿って延出した主共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】信号配線と配向膜ストッパとの間における電界の発生を抑制することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
表示領域よりも外側の領域に形成され、少なくとも表示領域の2つの異なる辺に沿って形成される配向膜ストッパを有し、該配向膜ストッパは液状の配向膜材料に対して疎水性を有する薄膜材料からなり、配向膜ストッパの塗布時において、第1基板側の最上層に形成される第2の導電体層SPと、絶縁膜を介して第2の導電体層SPの下層に配置され、第2の導電体層SP側から平面的に見て、第2の導電体層SPの長手方向の辺縁部が露出するように配置される第1の導電体層SHとからなり、第1の導電体層SHが表示領域の辺部に配置される信号線と第2の導電体層SPとの間の薄膜層に形成されてなる液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】IPSタイプの液晶表示装置において、走査線引出し線に印加されるゲート電圧の影響によって対向基板の内側が帯電し、画面周辺に白抜けが生ずる現象を防止する。
【解決手段】走査線引出し線31は、対向電極108と同層で形成されたシールド電極107によって覆われている。走査線引出し線31はシール材20の下にも形成されている。シールド電極107はシール材20の下まで延在し、シールド電極107の下に形成されている走査線引出し線31の全数を被覆しているので、シールド効果は高い。また、シール材20の下に形成されたシールド電極107には抜きパターン1071が形成されているので、シールド電極107と、それをサンドイッチする無機パッシベーション膜106および上部絶縁膜109との間の接着強度の低下を防止することが出来る。 (もっと読む)


【課題】ESDの影響を効果的に抑制する保護回路を提供すること。またESDの影響が効果的に抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】保護回路は、少なくとも2つの保護ダイオードを有し、当該保護ダイオードを、チャネルを形成する半導体層を挟んで対向する2つのゲートを有するトランジスタで構成する。さらに当該トランジスタのゲートの一方に、固定電位が入力される構成とすればよい。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第1方向に沿って延出した第1ゲート配線及び第2ゲート配線と、前記第1ゲート配線と前記第2ゲート配線との間の略中間に位置した補助容量線と、第2方向に沿って延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記第1ソース配線及び前記第2ソース配線と同一材料によって形成された画素電極であって、前記補助容量線の上方に位置する副画素電極、前記副画素電極の前記第1ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第1主画素電極、及び、前記副画素電極の前記第2ソース配線側に繋がり第2方向に沿って延出した第2主画素電極を備えた画素電極と、を備えた第1基板と、前記第1主画素電極と前記第2主画素電極との間、前記第1ソース配線の上方、及び、前記第2ソース配線の上方にそれぞれ位置し第2方向に沿ってそれぞれ延出した主共通電極を備えた共通電極を備えた第2基板と、を備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の提供。
【解決手段】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の場合、共通電極の真上または直下に共通電圧線を形成して、直接的に接触させることにより、共通電圧線の信号遅延を低減するとともに、液晶表示装置の開口率の低下を防ぐことができる。 (もっと読む)


【課題】1画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の副画素、第2の副画素及び第3の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第1の容量配線と、第2の容量配線と、第3の容量配線とを設け、第1の副画
素〜第3の副画素にそれぞれ、第1の容量素子〜第3の容量素子の一方の電極及び第1の
容量配線〜第3の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第1の容量配線及び第
2の容量配線の電位を変化させ、第3の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
(もっと読む)


【課題】2つの配向状態間の遷移を生じさせるのに適したスイッチング素子および電極の構造を有する新規な液晶素子を提供すること。
【解決手段】液晶素子は、第1基板、第2基板、第1基板に設けられた第1電極、第1電極と離間して第1基板の一面側に設けられた第2電極、第1電極又は第2電極に接続されたスイッチング素子、第1電極及び第2電極と重畳して第2基板に設けられた共通電極、第1基板と第2基板の間に設けられた液晶層を備え、第1基板及び第2基板は、液晶層の液晶分子を第1方向に捻れた第1配向状態を生じるように配向処理の方向を設定され、液晶層は、液晶分子を第1方向とは逆の第2方向に捻れた第2配向状態を生じさせる性質のカイラル材を含有し、第2電極と共通電極の間に電圧が印加されたことにより液晶層が第1配向状態へ遷移し、第1電極と第2電極の間に電圧が印加されたことにより液晶層が第2配向状態へ遷移する。 (もっと読む)


【課題】コストの削減を可能とするとともに表示品位の劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】第1方向に延出した第1ゲート配線G1及び第2ゲート配線G2と、第2方向に延出した第1ソース配線S1及び第2ソース配線S2と、第1ゲート配線及び第2ゲート配線と第1ソース配線及び第2ソース配線とで囲まれた内側に位置する画素電極PEであって第1ゲート配線及び第1ソース配線と接続されたスイッチング素子とコンタクトするコンタクト部、コンタクト部から第1方向に延出した2本以上の主画素電極PA、及び、第2方向に延出し主画素電極を接続する接続部を備えた画素電極とを備えた第1基板と、第1ゲート配線と第2ゲート配線の上方、及び主画素電極間に位置し第1方向に延出した主共通電極CAと、第1ソース配線と第2ソース配線の上方に位置し第2方向に延出した副共通電極CBとを備えた共通電極を備えた第2基板とを備えた液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 (もっと読む)


【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1方向に沿った長さが第1方向に交差する第2方向に沿った長さよりも短い画素に配置されるとともに、第2方向に沿って延出した主画素電極及び第1方向に沿って延出し主画素電極と電気的に接続された副画素電極を有する画素電極を備えた第1基板10と、主画素電極を挟んだ両側で主画素電極と略平行に延出した主共通電極及び副画素電極を挟んだ両側で副画素電極と略平行に延出し主共通電極と電気的に接続された副共通電極を有する共通電極を備えた第2基板と、第1基板10と第2基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、主画素電極と主共通電極との第1方向に沿った水平電極間距離は、主画素電極と主共通電極との第1方向及び第2方向に直交する第3方向に沿った垂直電極間距離よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層103上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層105aと第2酸化物半導体層104aが積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39とを有する非線形素子170aを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層102上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子170aの特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を2層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層104a、104bを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層103は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層105aまたはドレイン電極層105bの材料は、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 (もっと読む)


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