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Fターム[2H092QA07]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 液晶の動作原理 (3,287) | 電界効果型 (3,247) | 誘電異方性型 (2,775) | ねじれネマチック(TN)型 (659)

Fターム[2H092QA07]に分類される特許

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【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100では、素子基板10および基板本体10w(第1基板)側においてシール材107と接するのは、BSG膜からなるシリケートガラス層18(第1シリケートガラス層)であり、対向基板20および基板本体20w(第2基板)側においてシール材107と接するのは、BSG膜からなるシリケートガラス層28(第2シリケートガラス層)である。シール材107で囲まれた領域で、シリケートガラス層18は、画素電極9aおよびダミー画素電極9bの非形成領域9cで液晶層50に表面を向けており、シリケートガラス層28は、共通電極21の非形成領域21cで液晶層50に表面を向けている。 (もっと読む)


【課題】製造コストを大幅に増大させずに情報を記録することができるとともに、情報を容易に再生することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100の素子基板10において、外周領域10cに複数の容量素子56を形成しておき、外部からいずれの容量素子56に高い電圧を印加して絶縁破壊させるかによって、電気光学装置100の一つ一つにID等情報を記録する。容量素子56は、ダミー画素100bに設けた蓄積容量55であり、データ線6a、走査線3aおよび容量線5bのうち、外周領域10cで延在している部分を配線として利用して、容量素子56への電圧印加および信号検出を行う。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】表示領域の周辺部分近傍に見られる表示ムラを無くし、優れた表示品位の液晶表示装置を得る。
【解決手段】各々にスイッチング素子を有する複数の画素13がマトリクス状に形成された表示領域3と表示領域3の外側であってスイッチング素子に信号を供給する引き出し配線6が形成された引き出し配線領域4とを有するアレイ基板2と、アレイ基板2上に、表示領域3と引き出し配線領域4の境界からアレイ基板2端部に向けて、相互に平行に延在する複数の畝状の凸部10と、表示領域3を覆う配向膜9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、フレキシブル配線基板の発光部品を搭載する部分の幅を小さくすることを目的とする。
【解決手段】延長部44は、屈曲部46を有し、本体部40との接続部との対向位置からずれて部品搭載部48に接続する。複数の発光部品34は、部品搭載部48に搭載され、部品搭載部48の長さに沿った方向に一列で並ぶ。複数の配線54は、延長部44から部品搭載部48に引き出されて、部品搭載部48の長さに沿った第1方向Dに延びる第1グループの配線56と、延長部44から第1方向Dとは反対の第2方向Dに延びる第2グループの配線60と、を含む。複数の発光部品34は、部品搭載部48の第1方向Dの側に配置された第1グループの発光部品50と、部品搭載部48の第2方向Dの側に配置された第1グループの発光部品50の個数と同じ個数の第2グループの発光部品52と、を含む。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置及び配向膜、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】配向膜は、基板上のポリシロキサンに結合した第1プレチルト官能基、第2プレチルト官能基及び第1垂直配向性官能基を含む。環状化合物を含む前記第1垂直配向性官能基33は、前記基板191に対して実質的に垂直方向に配列する。前記第2プレチルト官能基と架橋した前記第1プレチルト官能基35aは、前記基板に対して傾くように配列する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍(及びソース電極層の端部近傍)に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、0.3μm以下、好ましくは5nm以上0.1μm以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを60°以下、好ましくは45°以下、さらに好ましくは30°以下とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域は、シリコンの濃度が1.0原子%以下であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 (もっと読む)


【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第1導電膜によるゲート電極と、第1導電膜上の第1絶縁層によるゲート絶縁膜と、第1絶縁層上にゲート電極と重なる第1半導体層と、第1半導体層上かつゲート電極に重なる第2絶縁層によるチャネル保護膜と、第1半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第2半導体層と、第2半導体層上の第2導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第2導電膜上に形成された第3絶縁層と、第3絶縁層上の第3導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第1絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第3絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】ESDの影響を効果的に抑制する保護回路を提供すること。またESDの影響が効果的に抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】保護回路は、少なくとも2つの保護ダイオードを有し、当該保護ダイオードを、チャネルを形成する半導体層を挟んで対向する2つのゲートを有するトランジスタで構成する。さらに当該トランジスタのゲートの一方に、固定電位が入力される構成とすればよい。 (もっと読む)


【課題】単極性のTFTを用いて構成するデジタル型式の表示装置において、消費電流を低減することの出来る回路を提供する。
【解決手段】デジタル映像信号の保持を行うラッチ回路であって、TFT101の入力電極にデジタル映像信号が入力されると、TFT101の出力電極からは非反転出力信号が出力され、TFT102およびTFT103の出力電極からは反転出力信号が出力されるラッチ回路を提供する。出力を非反転、反転の2系統得られるため、後段のバッファを駆動する際に、電源間の直流パスが生ずる期間を短くすることが出来、消費電流の低減に寄与する。 (もっと読む)


【課題】製造性を損なうことなく電圧印加による電気光学物質の劣化を抑制可能とした電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板と、第1基板と第2基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間に電極が備えられたイオントラップ部と、第1基板及び第2基板の電気光学物質層側の表面に形成された配向膜と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、電気光学物質層に直流電圧を印加する第1トラップ電極と第2トラップ電極とを有しており、第1トラップ電極と配向膜との間、及び第2トラップ電極と配向膜との間の少なくとも一方に、電気光学物質層中のイオン性不純物を吸着保持するトラップ部絶縁膜が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層する第2のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのTFTを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極(14)と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層(6a)との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】1画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の副画素、第2の副画素及び第3の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第1の容量配線と、第2の容量配線と、第3の容量配線とを設け、第1の副画
素〜第3の副画素にそれぞれ、第1の容量素子〜第3の容量素子の一方の電極及び第1の
容量配線〜第3の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第1の容量配線及び第
2の容量配線の電位を変化させ、第3の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
(もっと読む)


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