説明

Fターム[2H092QA14]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 液晶の動作原理 (3,287) | 電界効果型 (3,247) | 永久双極子型 (266) | 反強誘電性型 (103)

Fターム[2H092QA14]に分類される特許

1 - 20 / 103



【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において、電子の界面散乱を抑制することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に酸化物半導体以外の半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において、酸化物半導体膜中の酸素原子と半導体膜中の原子とを結合させる。これにより、酸化物半導体膜と該半導体膜との界面において構造を連続させることができる。また、酸化物半導体膜から脱離した酸素が、該半導体膜に拡散することで、該半導体膜は酸化されるため、絶縁膜とすることができる。このようにして形成されたゲート絶縁膜を用いることで、酸化物半導体膜とゲート絶縁膜との界面において電子の界面散乱が抑制され、電気的特性に優れたトランジスタを作製できる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが5nm以下の第1の領域は、シリコンの濃度が1.0原子%以下であり、酸化物半導体膜の第1の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第1の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタにおいて、高いゲート電圧がゲート電極層に印加される場合、ドレイン電極層の端部近傍(及びソース電極層の端部近傍)に生じる恐れのある電界集中を緩和し、スイッチング特性の劣化を抑え、信頼性が向上された構造を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状を、テーパ形状とし、チャネル形成領域上に重なる絶縁層の膜厚は、0.3μm以下、好ましくは5nm以上0.1μm以下とする。チャネル形成領域上に重なる絶縁層の断面形状の下端部のテーパ角θを60°以下、好ましくは45°以下、さらに好ましくは30°以下とする。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】単極性のTFTを用いて構成するデジタル型式の表示装置において、消費電流を低減することの出来る回路を提供する。
【解決手段】デジタル映像信号の保持を行うラッチ回路であって、TFT101の入力電極にデジタル映像信号が入力されると、TFT101の出力電極からは非反転出力信号が出力され、TFT102およびTFT103の出力電極からは反転出力信号が出力されるラッチ回路を提供する。出力を非反転、反転の2系統得られるため、後段のバッファを駆動する際に、電源間の直流パスが生ずる期間を短くすることが出来、消費電流の低減に寄与する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第1のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第1のゲート絶縁膜上に積層する第2のゲート絶縁膜を、プラズマCVD法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 (もっと読む)


【課題】1画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の副画素、第2の副画素及び第3の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第1の容量配線と、第2の容量配線と、第3の容量配線とを設け、第1の副画
素〜第3の副画素にそれぞれ、第1の容量素子〜第3の容量素子の一方の電極及び第1の
容量配線〜第3の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第1の容量配線及び第
2の容量配線の電位を変化させ、第3の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
(もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 (もっと読む)


【課題】粒子状スペーサを用いず、使用する液晶の特性や駆動方法に応じて自由な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な表示装置およびタッチパネルを備えた表示装
置を提供する。
【解決手段】第1の基板と、第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間に配置された
柱状スペーサを複数備えた表示装置と、光学式の検出素子を備えたタッチパネルとを有す
る。柱状スペーサによって、機械的強度が補強され、頑丈なパネルとすることができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層またはドレイン電極層との接触抵抗の低減を図る。
【解決手段】ソース電極層またはドレイン電極層を2層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層104a、104bを薄いインジウム層または薄いインジウム合金層とする。なお、酸化物半導体層103は、インジウムを含む。二層目以降のソース電極層105aまたはドレイン電極層105bの材料は、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす、適切な構成を備えた保護回路等を提供する。
【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層103上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層105aと第2酸化物半導体層104aが積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39とを有する非線形素子170aを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層102上において物性の異なる酸化物半導体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可能となり、接合リークが低減し、非線形素子170aの特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第1の導電層を形成する工程と、第1
の導電層を覆うように第1の絶縁層を形成する工程と、第1の導電層と一部が重畳するよ
うに、第1の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるよう
に第2の導電層を形成する工程と、半導体層および第2の導電層を覆う第2の絶縁層を形
成する工程と、第2の導電層と電気的に接続される第3の導電層を形成する工程と、半導
体層を形成する工程の後、第2の絶縁層を形成する工程の前の第1の熱処理工程と、第2
の絶縁層を形成する工程の後の第2の熱処理工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層に接する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上に設けられ第1の酸化物半導体層とは異なるエネルギーギャップを有する第2の酸化物半導体層と、を少なくとも含む酸化物半導体積層を用いてトランジスタを構成する。第1の酸化物半導体層と第2の酸化物半導体層とは互いに異なるエネルギーギャップを有すればよく、その積層順は問わない。 (もっと読む)


【課題】被読み取り物の検出精度が高い表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置に、光検出式タッチセンサ及び容量式タッチセンサと、外光の照度を検出する照度センサとを設ける。そして、当該照度センサによって検出された照度情報に基づいて光検出式タッチセンサ及び容量式タッチセンサのいずれを用いて撮像を行うかを選択する。すなわち、2種のタッチセンサの中から適切なタッチセンサを選択する。これにより、被読み取り物の検出精度が外光の影響によって低下することを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による
脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素
ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験(BT試験)前後において
もトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタと
することができる。 (もっと読む)


【課題】信号の遅延が抑制された表示装置を提供する。また、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素に共通電位を与える共通配線と、画素を駆動する信号を入力するための信号線との間の寄生容量を無くせばよい。具体的には、外部から信号が入力される外部入力端子よりも外側に共通配線を引き回し、信号線と共通配線との交差部を無くすことにより、共通配線と信号線との間の寄生容量がなくなり、表示装置の高速駆動と低消費電力駆動が実現できる。 (もっと読む)


【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 (もっと読む)


1 - 20 / 103