【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、上記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、表示装置の製造に用いられる表示装置製造用階調マスクであって、上記半透明膜が金属膜であり、上記表示装置製造用階調マスクは、エッチングストッパー膜を有するものではないことを特徴とする表示装置製造用階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】現状のクロムレス位相シフトマスクでは、所望の位相差を得るための透明基板の掘り込み量が大きく、寸法の細いパターンはアスペクト比（高さ／寸法）が大きくなり、マスク洗浄の際にパターンが倒れることが問題であった。
【解決手段】本発明に係る位相シフトマスクブランク１１では、透明基板１２よりも屈折率の大きな位相シフト膜１３により所望の位相差を得るための膜厚を透明基板１２の掘り込み量よりも小さくし、パターン倒れを抑制することが可能となる。また、本発明の位相シフト膜１３は、露光波長での消衰係数ｋを０．１以下にすることで、露光波長での透過率を７０％以上に調整可能である。したがって、従来のクロムレス位相シフトマスクの特徴である強い位相シフト効果を維持しつつ、パターン倒れを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（描画方法やレジスト塗布方法）や異なる条件（レジストの種類やレジスト膜厚）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜を少なくとも有し、前記遮光性膜上にレーザ描画用のレジスト膜をスリットコータ装置で形成するためのＦＰＤデバイス製造用マスクブランクであって、前記遮光性膜は、前記レーザ描画波長を含む３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅が２％未満の範囲となるように制御された膜であり、前記スリットコータ装置は、一方向に延びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記遮光性膜表面に対して前記一方向に交差する方向へノズルを相対移動させてレジスト膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】短波長リソグラフィ装置において、広いフィールドサイズと高い解像力との両立が困難であった。
【解決手段】半導体集積回路１は、基板上の領域１１（第１の領域）に設けられた第１の配線と、基板上の領域１２（第２の領域）に設けられた第２の配線と、を備えている。領域１２は、領域１１を取り囲む領域である。第１の配線の配線幅の最小設計寸法は、第２の配線の配線幅の最小設計寸法よりも小さい。これにより、短波長リソグラフィにおいて充分な光強度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＦバイアスが低減された遮光膜で、転写マスク作製に係る様々な負荷が大きく軽減され、十分な光学濃度を遮光膜に確保するという条件も満たすことができるマスクブランク及び転写用マスクを提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、露光光に対する光学濃度が２．８以上、かつ膜厚が４５ｎｍ以下であり、前記遮光層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が９０原子％以上である材料からなり、膜厚が３０ｎｍ以上であり、前記表面反射防止層は、膜厚が３ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が３０度以下である。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ又はＥＵＶリソグラフィ用の光学素子における変形を低減するための光学素子を提供する。
【解決手段】基板４１の第１の表面４２上に機能性コーティング４６を備える光学素子であって、基板４１は、第１の表面４２と共通の縁部４５を有する第２の表面４３を備え、第２の表面４３は、コーティング４７も有し、第２の表面４３上のコーティング４７の厚さｔ_２及び応力σ_２を、第１の表面４２上の機能性コーティング４６の厚さｔ_１及び応力σ_１と組み合わせて条件ｔ_１・σ_１／ｔ_２・σ_２＝Ｘを満足し、式中、Ｘが０．８〜５．０の値を有するよう選択する。 （もっと読む）

【課題】金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光
に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製
造方法を提供する。
【解決手段】波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用
いられるフォトマスクブランクであって、
透光性基板１上に薄膜２を備え、
前記薄膜２は、遷移金属、ケイ素及び炭素を含み、ケイ素炭化物及び／又は遷移金属炭
化物を有する材料からなることを特徴とするフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】反射防止層の一部が欠損した場合であってもレジスト残膜厚の低下を抑制する。
【解決手段】 遮光部は、半透光膜、反射防止層を上層部に有する遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、反射防止層の一部が欠損したときであっても、遮光部の光学濃度がｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長の光に対して３．０以上となる。 （もっと読む）

【課題】本発明はウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を提供する。
【解決手段】 露光装備でウェーハを露光させるために使うマスクに対する情報を露光装備から算出して、該当のマスクを利用して各ウェーハを露光させるうちに適用された光エネルギー値を算出して、算出された光エネルギー値をデータサーバーに貯藏して、半導体パッケージ内の多数の露光装備から進行されるすべてのウェーハの露光工程に対して同じデータを取合して多数の露光装備によって使われる多数のマスクそれぞれに対して露光エネルギーに対する露出情報を蓄積管理するので、結晶成長、混濁のようなマスク汚染の直接的な原因である露光エネルギーに対するマスクの露出程度を直接的に算出してマスク欠陷を予測して、それによる対策を立てることで半導体収率下落を防止して半導体生産の収率を進めることができる。 （もっと読む）

【課題】低い検査頻度で高精度のパターン検査を実現する。
【解決手段】実施形態によれば、経時的に変化するパターンを検査する方法が提供される。該方法は、同一の検査対象パターンについて任意の時期における輪郭形状を予測する工程と、上記検査対象パターンの要求仕様に応じた閾値を設定する工程と、上記予測された輪郭形状と上記閾値とから上記検査対象パターンが上記要求仕様を満たさなくなる時期を予測する工程と、を備える。上記検査方法は、上記同一の検査対象パターンについて異なる時期に撮像して画像を得る工程と、得られた複数の画像の輪郭をそれぞれ検出する工程と、検出された、異なる撮像時期の輪郭同士でマッチングを実行する工程と、該マッチング後に、対応する輪郭同士の差を求めて差分ベクトルを生成する工程とをさらに備え、上記輪郭形状は、生成された該差分ベクトルと上記撮像時期の間隔とに基づいて予測される。 （もっと読む）

【課題】優れた耐薬品性およびＡｒＦ照射耐性を有するマスクブランク、転写マスク等を
提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用
いられるものであり、透光性基板上１に遮光膜３０を備えるマスクブランクであって、
前記遮光膜３０は、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜３０の透光性基板側とは反対側の表層に層中の酸素含有量が６０ａｔ％以上
である高酸化層４が形成されていることを特徴としたマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】急峻な立ち上がりの形状を持つレジストパターンを被転写体上に形成する。
【解決手段】遮光部と透光部との境界、または遮光部と半透光部の境界には、半透光膜上の位相シフト調整膜が部分的に露出してなる位相シフタ部が形成され、遮光部と透光部の境界に位相シフタ部が形成されるとき、ｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長を有する露光光が、位相シフタ部を透過する時の位相シフト量と、露光光が、透光部を透過するときの位相シフト量と、の差が９０度以上２７０度以内となり、遮光部と半透光部の境界に位相シフタ部が形成されるとき、ｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長を有する露光光が、位相シフタ部を透過する時の位相シフト量と、露光光が、半透光部を透過するときの位相シフト量と、の差が９０度以上２７０度以内となる。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ以下の露光光に対する遷移金属及びケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜（光半透過膜、遮光膜）の耐光性を向上させ、転写パターンの線幅の変化（線幅の太り）を防止し、転写用マスク寿命を改善でき、かつパターン形成用薄膜の面内均一性に優れるマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供することである。
【解決手段】透光性基板上にパターン形成用薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板上に、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる前記パターン形成用薄膜を成膜する工程と、前記パターン形成用薄膜を火炎処理する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｆ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍを含む１４０〜２００ｎｍの波長範囲において、従前の２層又は多層膜からなるハーフトーン型位相シフトマスクを使用する上で生じていた、高透過率層に付随して発現してしまう透過率抑制効果が問題とならないような、多層型ハーフトーン型位相シフトマスク及びそのマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】 位相シフター膜が、透過率調整を主たる機能とする低透過率層と、位相シフト量の調整を主たる機能とする高透過率層の２層からなり、前記低透過率層の消衰係数をＫ₁、前記高透過率層の消衰係数をＫ₂としたとき、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、Ｋ₂＜Ｋ₁≦３．０の範囲であって、前記低透過率層の膜厚をｄ₁としたときに、前記露光波長λにおいて、０．００１≦Ｋ₁ｄ₁／λ≦０．５００であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及び該マスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】 ２層からなる減衰型位相シフト膜において、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくして、露光波長における透過率を高くし、また、３層からなる減衰型位相シフト膜において、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率よりも小さくして、欠陥検査波長における透過率を低くし、さらにまた、３層以上からなる減衰型位相シフト膜において、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直下層の膜の屈折率よりも小さくして、露光波長における透過率を高くする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォトレジストに転写されたパターンの寸法が、露光回数が多くなっても変化しない位相シフトマスク、その製造方法、および、その位相シフトマスクを使用した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】露光光を透過する基板２と、基板２上に設けられ、露光光に対する透過率が基板２よりも低く、露光光の位相をシフトさせる半透明膜３と、半透明膜の表面を覆い、露光光を透過する保護膜５と、を備えたことを特徴とする位相シフトマスクを提供する。さらに、保護膜５は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｙ、ＣｅおよびＮｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素の酸化物、または、ＡｌまたはＳｉの窒化物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられる補助パターンを有するフォトマスクにおいて、補助パターンが転写対象面に解像されてしまう場合のフォトマスクを、確実で比較的容易な方法により補助パターンを修正するフォトマスクの修正方法および修正されたフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板１１の一主面上に、投影露光により転写対象面に転写される主パターン１２と、主パターン１２の近傍に形成された補助パターン１３とを有するフォトマスク１０において、前記投影露光により補助パターン１３が転写対象面に解像されてしまう場合のフォトマスクの修正方法であって、解像されてしまう補助パターン１３の表面をエッチングもしくは研削し、補助パターン１３が転写対象面に解像されなくなるまで、解像されてしまう補助パターン１３の膜厚を薄くすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等の製造に用いる基板、例えばフォトマスク用基板、フォトマスクブランク、フォトマスク、あるいはそれらの製造中間体等を洗浄した場合に、異物の発生を極めて少なくすることができる基板の洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、超純水により基板を洗浄する際に超純水を噴出するための超純水噴出ノズルと、該超純水噴出ノズルから超純水を噴出して基板の洗浄を行う基板洗浄室とを有する、基板の洗浄を行うための洗浄装置であって、少なくとも、超純水による基板の洗浄の前後の待機中に前記超純水噴出ノズルを待機させるための、前記基板洗浄室とは隔壁により仕切られた超純水噴出ノズル待機室を有し、該待機室は、排水機構と前記超純水噴出ノズル待機室から前記基板洗浄室へのミスト拡散防止機構を具備するものであることを特徴とする基板の洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】微細かつ高精度な露光パターンを形成することが可能な位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスクを提供する
【解決手段】本発明の一形態に係る位相シフトマスク１は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域のいずれかの光に対して１８０°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層１３Ｐ１を有する。これにより、上記波長領域の光を露光光として用いることで、位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができる。位相シフト層１３Ｐは、４０％以上９０％以下の窒化性ガス及び１０％以上３５％以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで形成される。 （もっと読む）