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Fターム[2H095BB05]の内容

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【課題】支持基板を任意の深さまで掘り込んだシフターを有するフォトマスクの作製において、透過部の透過性を損なわずに、より安定したシフターの加工を実現できるフォトマスクブランクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】石英からなる支持基板11と第1の遮光膜12とを有するフォトマスクブランクにおいて、支持基板11の一方の面に、支持基板11のドライエッチング処理時に実質的にエッチングされないエッチングストップ膜13を形成する。エッチングストップ膜13の支持基板11と反対の面に支持基板11と同じ材質からなる透過層14を形成する。第1の遮光膜12を透過層14のエッチングストップ膜13と反対の面に形成する。 (もっと読む)


【課題】基板とレジスト膜との密着性を向上させることで、形成された微細なレジストパターンの倒れやスライドを防止することのできるレジストパターン形成方法、並びにそれを用いたナノインプリント用モールド、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン形成方法は、基板上のエネルギー線反応性基を有するシラン化合物を含むシランカップリング層上にネガ型レジスト膜を形成し、レジスト膜にエネルギー線を照射して所定パターン形状の潜像を形成し、エネルギー線が照射されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するものであり、レジスト膜は、エネルギー線照射でエネルギー線反応性基と結合可能、かつ現像工程後に基板上に残存し得る程度に硬化可能な樹脂成分を含有するものであり、エネルギー線照射でエネルギー線反応性基と樹脂成分とを結合させ、シランカップリング層とレジスト膜とを密着させる。 (もっと読む)


【解決手段】透明基板上に、基板側組成傾斜層及び表面側組成傾斜層を有し、膜厚が35〜60nmであり、遷移金属と窒素及び/又は酸素とを含むケイ素材料で構成された遮光膜を有し、基板側組成傾斜層が、層厚が10〜58.5nm、遷移金属:ケイ素が1:2〜1:9(原子比)、透明基板側の窒素と酸素の合計が25〜40原子%、透明基板から離間する側の窒素と酸素の合計が10〜23原子%であり、表面側組成傾斜層が、層厚が1.5〜8nm、遷移金属:ケイ素が1:2〜1:9、透明基板側の窒素と酸素の合計が10〜45原子%、透明基板から離間する側の窒素と酸素の合計が45〜55原子%であるバイナリーフォトマスクブランク。
【効果】本発明のバイナリーフォトマスクブランクは、露光光を十分に遮光できる、より薄膜の遮光膜を備え、基板の両面の反射率を実用上問題にならない程度に十分に低減することにより、ゴーストパターンが抑制される。 (もっと読む)


【課題】化学増幅型レジストによるレジストパターン形成において、厚さ0.250インチの合成石英からなるマスク基板であっても、高い残膜率かつ高コントラストである、高品質なパターンを形成する。
【解決手段】化学増幅型レジストをPABまたはPEB処理するベーク処理装置50であって、90秒以内で所定のベーク温度にマスク基板1表面が到達するよう、2段目以降のホットプレート52は所定のベーク温度に調整保持し、1段目のホットプレート51の温度は所定のベーク温度より高い温度に調整保持する。 (もっと読む)


【課題】薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板の主表面上に薄膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法であって、
前記薄膜を形成する側の主表面の表面形状が凸形状である基板に対し、クロムを主成分とする材料からなり、引張応力を有する前記薄膜をスパッタリング法で形成することにより、前記薄膜の成膜前よりも主表面の平坦度が高いマスクブランクを得ることを特徴とするマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法。 (もっと読む)


【課題】急峻な立ち上がりの形状を持つレジストパターンを被転写体上に形成する。
【解決手段】遮光部と透光部との境界、または遮光部と半透光部の境界には、半透光膜上の位相シフト調整膜が部分的に露出してなる位相シフタ部が形成され、遮光部と透光部の境界に位相シフタ部が形成されるとき、i線〜g線の範囲内の代表波長を有する露光光が、位相シフタ部を透過する時の位相シフト量と、露光光が、透光部を透過するときの位相シフト量と、の差が90度以上270度以内となり、遮光部と半透光部の境界に位相シフタ部が形成されるとき、i線〜g線の範囲内の代表波長を有する露光光が、位相シフタ部を透過する時の位相シフト量と、露光光が、半透光部を透過するときの位相シフト量と、の差が90度以上270度以内となる。 (もっと読む)


【課題】遮光部、透光部、および位相シフタ部を正確に画定する。
【解決手段】基板上に形成された遮光膜がパターニングされてなる遮光部と、基板の一部表面が露出してなる透光部と、基板の一部表面がエッチングされてなる位相シフタ部と、を有する光学素子の製造方法であって、基板上に遮光膜と第1のレジスト膜とがこの順に積層された光学素子ブランクを用意する工程と、第1のレジスト膜を描画して現像することにより、遮光部の形成予定領域を覆うと共に、位相シフタ部の形成予定領域を画定する第1のレジストパターンを形成する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】イオンビームの注入角度差に起因するウエハ面内のイオン注入領域の位置ずれを小さくする。
【解決手段】本発明に係るマスクパターンの補正方法は、マスクパターンの形成位置とウエハ面におけるイオンビームの入射角度のばらつきとから、入射角度のばらつきに対するイオン注入領域の位置ずれ補正量を演算し、演算して得た位置ずれ補正量を補正パラメータ(i) に変換する位置ずれ補正パラメータ生成工程S10と、補正パラメータ(i) を描画補正データにフィードバックし、イオン注入領域の位置ずれを加味した描画補正演算データ(iii) を生成する描画補正データ生成工程S13とを含む。 (もっと読む)


【課題】フォトマスク製造における欠陥の低減、及びスループットの向上を実現できるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に、互いに素材の異なる光半透過膜及び遮光膜を順次成膜したフォトマスクブランクを準備する工程と、該フォトマスクブランク上に所望のレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとして、前記遮光膜及び前記光半透過膜を、主成分とするエッチングガス種を変更しないで用いる条件にて連続的にエッチングして、前記遮光膜と前記光半透過膜のパターンを形成する工程と、を有するフォトマスクの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 レジストパターンの剥離を抑制し、黒欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】 透光性基板上に半透光膜と遮光膜とがこの順に形成され、最上層に第1のレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、第1のレジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成すると共に、第1のレジストパターン又は遮光膜パターンをマスクとして半透光膜をエッチングして透光部を形成する工程と、第1のレジストパターンを除去して得られた基板の全面を覆う第2のレジスト膜を形成する工程と、第2のレジストパターンをマスクとして遮光膜パターンをエッチングして半透光部及び遮光部を形成する工程と、を有し、第2のレジスト膜を形成する工程は、第2のレジスト膜の形成に先立ち、透光部を形成することで露出した透光性基板の表面にSi含有有機化合物による表面処理を行う。 (もっと読む)


【課題】金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長200nm以下の露光光に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に金属及びケイ素を含む材料からなる薄膜を成膜し、次いで、該薄膜をパターニングして薄膜パターンを形成し、形成された薄膜パターンに対して波長200nm以下の露光光が累積して照射された場合に、薄膜パターンの転写特性が所定以上変化しないように、上記薄膜パターンの主表面及び側壁を予め変質させる処理を施す。この処理は、たとえば酸素を含む雰囲気中での450℃〜900℃の加熱処理をすることにより行う。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ハーフトーンマスク及びその製造方法に関する。特に、具体的には、半透過膜を積層して光透過率を調節できるハーフトーンマスクを提供することを目的とする。
【解決手段】理論的な挙動特性ではない実際のプロセスに基づいたデータベースを通じて構築される光透過率を具現できるようにして、特定の透過率ではない広範囲な領域での透過率を備えたハーフトーンマスクとその製造方法に関するものである。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜の膜厚変化を抑制し得るフォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び塗布装置を提供すること。
【解決手段】液槽20と、該液槽20に貯留されたレジスト液21を毛細管現象により上昇させる塗布ノズル22とを含む塗布手段2により上昇させたレジスト液21を下方に向けられた基板10の被塗布面10aに接液させ、塗布ノズル22と基板10とを相対的に移動させて基板10の被塗布面10aにレジスト膜21を形成する方法であって、基板10へのレジスト液21の塗布による該レジスト液21の消費により低下する液槽20のレジスト液21の液面高さの低下量dと、基板10の被塗布面10aに形成されるレジスト膜の膜厚変化との関係に基づいて決定された、レジスト膜の膜厚変化を許容範囲内に収めるための液槽20のレジスト液21の液面面積を少なくとも有する塗布手段2によりレジスト膜を形成することとした。 (もっと読む)


【課題】真空紫外光を用いて高精細かつ複雑なパターン状に、正確に真空紫外光照射処理が施されたパターン形成体を、高感度で製造できる真空紫外光用メタルマスクを提供する。
【解決手段】パターン形成用基板を用い、上記パターン形成用基板のパターン形成面上にメタルマスクを配置し、反応性ガスの存在下において上記メタルマスクを介して上記パターン形成面に真空紫外光を照射することにより、上記パターン形成面がパターン状に真空紫外光照射処理されたパターン形成体を製造する方法に用いられる真空紫外光用メタルマスク10であって、金属薄板からなり、開口部2を有するメタルマスク本体1と、上記開口部を架橋するように形成されたブリッジ部分3とを有し、かつ、上記パターン形成用基板101上に配置された際に、上記パターン形成面とブリッジ部分との間に上記反応性ガスが通流可能な空隙が形成されるように、上記ブリッジ部分が形成されている。 (もっと読む)


【課題】解像度の高いフォトマスクが安定に得られ、且つ現像カス(スラッジ)の発生を長期間に亘って抑制できるフォトマスクの製造方法の提供。
【解決手段】透明基材上に、少なくとも遮光材料を含有し且つ近紫外光ないし可視光で画像形成が可能な感光性層を有するフォトマスク材料を、近紫外光ないし可視光で画像様露光した後、露光後のフォトマスク材料を、アニオン界面活性剤及びノニオン界面活性剤からなる群から選択される少なくとも1種の界面活性剤を全質量中に1質量%以上10質量%以下含有するpH8〜13の現像液を用いて現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法 (もっと読む)


【解決手段】露光光に対して透明かつ表面の反りが0.5μm以下の基板上に下地層及び表面層からなり、金属シリサイド酸化物、金属シリサイド窒化物又は金属シリサイド酸化窒化物からなる位相シフト膜を、金属シリサイドターゲットを用いたスパッタリングにより、表面層形成時のスパッタリング圧力を0.1〜0.5Pa、下地層形成時のスパッタリング圧力を0.5Pa以上、かつ表面層形成時のスパッタリング圧力の1.2倍以上として成膜することにより、位相シフト膜を成膜した後の反りが1.0μm以下である位相シフトマスクブランクを製造する。
【効果】本発明によれば、成膜前後での反りの変化が小さく、かつ表面の反りの小さい位相シフトマスクブランクが得られ、この位相シフトマスクブランクにパターンを形成することにより反りの変化によるパターン寸法の変動を少なく抑えることができ、高精度な位相シフトマスクを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 ローディング効果によるCD精度の低下が問題となるフォトマスク(10)の製造に関し、ローディング効果を抑制するための手法を提供する。
【解決手段】 透光性基板(1)上に、透光性基板(1)上の面内において大域的な開口率差を有する半透光性位相シフトパターン(51)が形成されたハーフトーン型位相フォトマスク(10)の製造方法において、クロム膜(2)のエッチングマスクとして、このクロム膜(2)のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスクパターン(31)を用いる。エッチングマスクパターン(31)をマスクとして、クロム膜(2)にドライエッチングを施してクロムパターン(21)を形成し、クロムパターン(21)をマスクとして半透光性位相シフト膜(5)にドライエッチングを施して半透光性位相シフトパターン(51)を形成し、クロムパターン(21)の所望の一部又は全部を除去する。 (もっと読む)


【課題】製造期間および製造コストを抑制しつつ高精度な高コントラストX線マスクを製造すること。
【解決手段】X線マスク形成層および中間マスク形成層が積層された基板の中間マスク形成層側に配置されたUVマスクを介してのUVレジスト層に対するUV露光を含むUVリソグラフィー処理および第2のメッキシード層に対するメッキ処理によって中間マスク形成層に中間マスクを形成し、中間マスク形成層に形成された中間マスクを介してのX線レジスト層に対するX線露光を含むX線リソグラフィー処理および第1のメッキシード層に対するメッキ処理によってX線マスク形成層に高コントラストX線マスクを形成する。 (もっと読む)


【課題】光吸収層上にハードマスク層を形成することにより、光吸収層の形状変化を生じさせないようなエッチング条件であるために反射コントラストの低下を防止し、微細な光吸収層パターンを形成でき、歩留まりの向上が図れる反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に形成された多層反射層と、多層反射層上に形成された保護層と、保護層上に形成された光吸収層と、保護層と光吸収層との間に形成された緩衝層と、光吸収層上に形成されたハードマスク層と、を有し、ハードマスク層は、光吸収層のエッチング条件に対して耐性を有することを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 (もっと読む)


【課題】品質を損なわずに、補助パターン型位相シフトマスクを製造することが可能とする。
【解決手段】第1工程が、第1のレジスト膜4に、主開口部5及び補助開口部6に対応するパターンを露光し、現像して第1のレジストパターン4aを形成する工程を有する。第2工程が、第1工程において得られた基板上に第2のレジスト膜7を形成する工程と、補助開口部6に対応するパターンを露光し、現像して第2のレジストパターン7aを形成する工程と、第2のレジストパターン7aをマスクに、透明基板1の一部を、主開口部5と補助開口部6とを通過する光の位相が所定角度異なるような深さにエッチングする工程と、残存した第2レジストパターン7aを剥離する工程とを有する。第3工程が、第2工程で得られた基板におけるエッチングマスク層3aの所望の一部、又は全部を除去する工程を有する。 (もっと読む)


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