【課題】半導体ウェーハ上に保護障壁構造をパターニングするために用いられる構造を備え、マスク中の領域が絶縁されたリソグラフィマスクを提供する。
【解決手段】導体で構成されており、溝を有する第１層と、領域、セクション及びそのセクションを囲む溝状透明構造を含む第２層とを具備し、前記第１層と第２層とが、前記第２層における電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されており、前記溝状透明構造が、前記セクションと前記領域とを分離するものであり、前記第１層と第２層の材料が、前記セクションと前記領域との間に電気的ポテンシャルの差が生じないように選択した。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスクを提供する。
【解決手段】 窒素及び炭素の含有量を適切に制御して、ハードフィルムを形成することで、エッチング時に発生するCD偏差を減らし、遮光膜の金属成分が高く、反射防止膜の金属成分が低い金属膜を形成することによって、その厚さを低めて、解像度及びパターン正確度を向上させ、耐化学特性を改善することができる。また、金属膜とハードフィルムとの反射率差が大きくなるように、金属膜とハードフィルムとを形成することで、ハードフィルムの検査を容易に行える。これにより、本発明によるハードマスク用のブランクマスクを、DRAM、フラッシュメモリ、MPUなどに、ハーフピッチ32nm以下、特に、22nm以下の最小線幅の具現が可能になるように適用しうる。 （もっと読む）

【課題】クロムが入っていない位相変位リソグラフィを用いて微細フィーチャの形成を容易にする方法を提供する。
【解決手段】細長い、クロムが入っていない架橋フィーチャ１０４は、フォトリソグラフィマスクを通るエネルギに対して１８０度を超える公称位相差を引起すエッチング深さを有して、フォトリソグラフィマスク上に形成される。対応するフォトレジストフィーチャは架橋フィーチャ１０４を用いて形成される。位相差は、対応するフォトレジストフィーチャの寸法的変動を最小にするよう選択される。 （もっと読む）

【課題】高精細な薄膜パターンの形成を可能にする。
【解決手段】基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するためのマスク１であって、可視光を透過する樹脂製のフィルム２と、前記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部５を形成した板体で構成され、前記フィルム２を保持する保持部材３と、備え、前記フィルム２は、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に対応して前記保持部材３の前記開口部５内に前記薄膜パターンと同形状の開口パターン４を備えている。 （もっと読む）

【課題】タンタル系材料の吸収体膜と、クロム系材料のエッチングマスク膜とが積層した反射型マスクブランクを用いて、高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な吸収体膜を有する反射型マスクを作製することを可能とする反射型マスクブランクを提供する。
【解決手段】反射型マスクを作製するために用いられる反射型マスクブランク１００であり、基板１上に多層反射膜５と吸収体膜２とエッチングマスク膜３が順に積層した構造を有する反射型マスクブランクであって、エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、吸収体膜は、タンタルを含有する材料からなり、吸収体膜の基板側とは反対側の表層に高酸化層２２が形成されており、高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする反射型マスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】解像限界の良いポジ型レジストを使用してネガ型の所望のパターンを形成し、ポジ型レジストと同程度の解像限界を得ることにある。
【解決手段】透光性基板３００上に成膜された遮光性膜２００上に、所望パターンのスペース部に第一被覆膜パターン１００を形成した後、その上面を第二被覆膜１１０で被覆する。引き続き、第二被覆膜を研磨によって第一被覆膜パターンを露出させて剥離した後、第二被覆膜をハードマスクとして遮光膜をエッチングして所望パターンを形成するフォトマスクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のプラズマ密度を自在に可変して、グローバルローディングを低減したエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置２０は、被エッチング材料をエッチングするドライエッチング装置である。演算機構３４は、被エッチング材料のパターンデータを記憶してパターン密度を算出する。また、マグネット３０などによって構成されるプラズマ制御機構は、エッチング処理の際に被エッチング材料のプラズマ密度を変更する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、上記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、表示装置の製造に用いられる表示装置製造用階調マスクであって、上記半透明膜が金属膜であり、上記表示装置製造用階調マスクは、エッチングストッパー膜を有するものではないことを特徴とする表示装置製造用階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】位相シフトマスクを製造する際のアンダーカット形成時のウェットエッチング工程において、非シフタ透光部に生じるダメージを軽減する。
【解決手段】透明基板上に遮光膜と第１レジスト層が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし第１遮光膜パターンを形成する工程と、第１遮光膜パターンまたは第１レジストパターンをマスクとして遮光膜の下層をエッチングにより除去しシフタ透光部を形成する工程と、透明基板上全面に第２レジスト層を形成する工程と、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、非シフタ透光部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイの製造に利用されるブランクマスク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】 透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。これにより、等倍露光装置を利用してフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）デバイスを製造するに当って高い解像度を表すことができ、特に、複数の露光光を利用する等倍露光装置に好適である。 （もっと読む）

【課題】被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。
【解決手段】被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを設定し、膜パターンのライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓのそれぞれと、サイドエッチング幅αとに基づき、レジストパターンのライン幅Ｒ_Ｌとスペース幅Ｒ_Ｓとを設定し、決定したライン幅Ｒ_Ｌとスペース幅Ｒ_Ｓをもつレジストパターンに基づき、露光の際の露光条件、及び転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌとスペース幅Ｍ_Ｓを決定し、かつ、転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌは決定したライン幅Ｒ_Ｌと異なり、転写用パターンのスペース幅Ｍ_Ｓは決定したスペース幅Ｒ_Ｓと異なる。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１１上に遮光膜１２、多層反射膜１３、保護膜１４、吸収膜１５ａ、裏面導電膜１６が形成された反射型マスクブランクス１０を準備する。吸収膜１５ａを選択的に除去することで回路パターンＡが形成され、回路パターンＡを除く回路パターンＡの周囲の部分に、吸収膜１５ａ，１５ｂと保護膜１４と多層反射膜１３とを選択的に除去した枠状の領域Ｂが形成される。したがって、枠状の領域Ｂに遮光膜１２が設けられることになる。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよびマスクの製造工程において、前記多層反射層形成時に選択的に成膜しない、もしくは成膜後物理的または化学的または熱処理により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠２５を作製する。 （もっと読む）

【課題】濃硫酸を用いた洗浄処理においてエッチングストッパ層のサイドエッチングを抑制することができるハーフトーンマスクを提供する。
【解決手段】上記ハーフトーンマスクは、透過部ＴＡと、半透過部ＨＡと、遮光部ＰＡとを具備する。遮光部ＰＡは、基材Ｓと、半透過層１１と、半透過層の上に設けられＣｒ又はＣｒ化合物で形成された遮光層１３と、半透過層１１と遮光層１３との間に設けられたエッチングストッパ層１２とを含む。エッチングストッパ層１２は、第１の元素と、第２の元素とを含有する。上記第１の元素は、Ｍｏ及びＷからなる群から選択された少なくとも一種の元素からなり、６．４mol％以上３８．２mol％以下の組成比を有する。上記第２の元素は、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＴａからなる群から選択された少なくとも一種の元素からなる。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、基板上に第１層目のハードマスク層１２、エッチストッパ層１３、第２層目のハードマスク層２２を形成し、該ハードマスク層及びエッチストッパ層をパターニングし、該ハードマスク層をエッチングマスクとして基板１１に異方性エッチングを行う。複数の段差を備えた微細な３次元構造パターン形成方法及びパターン形成体。 （もっと読む）

【課題】補助パターンを有するＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、補助パターンの欠けや基板表面からの剥離、あるいは補助パターンの倒れを防止し、マスク製作が比較的容易で高精度のパターン転写が可能となる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され前記反射層へのエッチング損傷を防止するバッファ層と、前記バッファ層上に形成され前記ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用反射型マスクであって、前記ＥＵＶ露光用反射型マスクのマスクパターンが、ウェハ上に転写される主パターンと、前記主パターンの近傍に設けられ投影光学系の解像限界以下の大きさの補助パターンとからなり、前記補助パターンがバッファ層で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、設計欠陥の深さ、若しくは高さの種類の数に応じて複数回のパターン形成とエッチングの工程を行うという複雑な工程を必要とせずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥を形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ポジ型レジストの工程とネガ型レジストの工程を交互に１回ずつ用いて、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥と数種の異なる高さの凸状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、高価な高精細の電子線描画機を設計欠陥の深さの種類の数に応じて複数回使用することを要せずに、同一の基板に、数種の異なる深さの凹状の設計欠陥を、寸法精度や位置精度を向上させて形成することができる擬似位相欠陥を有する反射型マスクブランクスの製造方法、および擬似位相欠陥を有する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 数種の異なる深さの凹状の設計欠陥のパターン全てを、基板上に形成したハードマスクに一括してパターン形成し、その後、前記ハードマスクパターンをマスキングしながら順次基板をエッチング加工することで、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板１上に他の膜を介して又は介さずに積層されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる遮光膜２と、遮光膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な金属又は金属化合物からなる反射防止膜３と、反射防止膜上に形成されたフッ素系ドライエッチングに耐性を有する金属又は金属化合物からなるエッチングマスク膜４とを有し、エッチングマスク膜の膜厚が２〜１５ｎｍで、２５０ｎｍ以下の露光波長の光を用いて０．１μｍ以下のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィーにおいて用いるバイナリーマスクの素材となるフォトマスクブランク。
【効果】形成するパターンの粗密依存性により生じるパターンサイズ変動を小さくすることができ、より高精度のマスクを製造できる。 （もっと読む）

【課題】精度や品質を犠牲にすることなく、コストの低減が図れるマスクブランクおよび多階調マスク並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、透光部、第１半透光部、第２半透光部および遮光部からなる転写パターンを備える多階調マスクの作製に用いられるマスクブランクであって、
透光性基板上に、タンタル、ハフニウム、およびジルコニウムから選ばれる１以上の元素を含有し、ケイ素の含有量が３０原子％以下である材料からなる金属系半透光膜と、金属およびケイ素を含有する材料からなるシリサイド系半透光膜と、クロムを含有する材料からなる遮光膜とを順に積層した構造からなることを特徴とするマスクブランク。 （もっと読む）