【課題】 転写能力を損なわずに洗浄を行えるマスクを提供すること。
【解決手段】 実施形態のマスクは、露光装置を用いて被加工基板上のレジスト膜にパターンを転写するためのマスクである。前記パターンに対応するパターン（以下、メインパターンという）２と、前記メインパターン２の隣りに配置され、前記露光装置の解像限界以下の寸法を有するパターン（以下、サブパターンという）とを具備する。前記サブパターンは、前記メインパターンの隣りに配置された第１のサブパターン３と、前記第１のサブパターン３に接触するように、前記第１のサブパターンの長手方向に沿って配置された複数の第２のサブパターン４とを含む。さらに、Ｐ≦λ／（ＮＡ（１＋σ₀ ））を満たす。Ｐは第２のサブパターンの配置ピッチ、ＮＡは露光装置の開口数、λは露光装置を用いてメインパターンを転写する時の露光波長、σ₀ は露光装置を用いてメインパターンを転写する時の最大σである。 （もっと読む）

【課題】一回のフォトリソグラフィー法における露光工程により、高さの異なる複数種類の突起状パターンを適正な高さと形状を保持して同時に形成するためのフォトマスクを提供すること。
【解決手段】高さの異なる複数種類の突起状パターンを露光対象基板の同一面側に製造する際に用いる、異なる高さの突起状パターン形成に対応したフォトマスクであって、最も高い突起状パターンを除く突起状パターンを形成するためのマスクパターンをフォトマスクの開口部に半透過性のハーフトーン膜により設け、かつ、ハーフトーン膜を用いるマスクパターンをハーフトーン膜を用いない最も高い突起状パターン形成に対応するマスクパターンよりも低く設けた透明基材表面に有する。 （もっと読む）

【課題】被照射体を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置または近接露光装置に被照射体と平行に設置して、１度の露光で複数の異なる角度の斜め露光を、被照射体に対して行うことができるフォトマスクを提供すること。
【解決手段】露光装置より照射されたフォトマスクに垂直な平行光を、被照射体に傾斜させて出射するフォトマスクであって、透明基板の照射面側に、回折光学素子が形成され、透明基板の出射面側に、回折光学素子からの回折光を選択的に透過する光透過部のパターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの設計データの補正の効率化を図る。
【解決手段】本実施形態の設計データの補正方法は、半導体デバイスの配線レイアウトを示す第１の設計データに対して、変換差予測点が設定された第１のラインパターンとそれに隣接する第２のラインパターンとの開口角モデルを作成するステップ（ステップＳＴ１）と、開口角モデルに基づいて第１及び第２のラインパターンのライン幅及び間隔の少なくとも一方を補正し、前記第１の設計データを、補正された前記第１及び第２のラインパターンを含む第２の設計データに補正するステップ（ＳＴ２，ＳＴ３，ＳＴ４）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングする際のパターン寸法が比較的大きい箇所と微細寸法箇所との掘り込み量の差であるＲＩＥラグを低減させることを目的とする。
【解決手段】順に、開口領域を形成した遮光膜を透明基板上に有する基板を準備する工程と、前記基板にポジ型レジストを塗布する工程と、レジスト塗布後、遮光膜の開口領域のうち位相シフタ形成領域をレジストから開口させる描画工程と、現像工程と、現像工程後、開口させた位相シフタ形成領域を、ドライエッチングにて透明基板を掘り込むエッチング工程と、残存したレジストを除去する工程とを備え、前記描画工程は、レジストが位相シフタ形成領域に重ならないように所定のマージンを持つように描画するものであり、前記所定のマージンは、前記ドライエッチングによる掘り込み量の位相シフタ形成領域の寸法による不均一を緩和するように、位相シフタ形成領域の寸法に応じて設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製品の精度向上と製作時間の短縮が可能な、位相シフトマスクを用いた非対称パターンの形成技術、さらには回折格子、半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】位相シフトマスク３０（遮光部と透過部（位相シフトがない第１の透過部、位相シフトがある第２の透過部）が周期的に配置）を用いた回折格子の製造方法において、照明光源１０から放出された光を、位相シフトマスク３０を透過させ、この位相シフトマスク３０を透過させることにより生じる０次光と＋１次光とをＳｉウエハ５０の表面で干渉させて、このＳｉウエハ５０の表面のフォトレジスト６０を露光し、Ｓｉウエハ５０上にブレーズド状の断面形状を有する回折格子を形成する。 （もっと読む）

【課題】位相シフト効果を生じさせるために遮光部に所定の光透過性を持たせた多階調フォトマスクにおいて、遮光部内での透光部や半透光部との境界から離れた領域にて、被加工体上のレジスト膜の感光を抑制する。
【解決手段】透明基板上に成膜された光学膜をパターニングすることにより形成された透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを備え、被加工体上に、複数の異なる残膜値をもつレジストパターンを形成する多階調フォトマスクにおいて、光学膜は、多階調フォトマスクの露光光に含まれる代表波長の位相を略１８０度シフトさせる作用をもつとともに、代表波長の光に対して３％〜５０％の透過率を有し、透光部と半透光部においては、透明基板表面の一部が露出し、遮光部は、多階調フォトマスクの露光条件において解像しない線幅の微細透過パターンを有する。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のプラズマ密度を自在に可変して、グローバルローディングを低減したエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法、フォトマスク製造装置及びフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング装置２０は、被エッチング材料をエッチングするドライエッチング装置である。演算機構３４は、被エッチング材料のパターンデータを記憶してパターン密度を算出する。また、マグネット３０などによって構成されるプラズマ制御機構は、エッチング処理の際に被エッチング材料のプラズマ密度を変更する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を防止することができる、マスクレイアウト分割方法及びマスクレイアウト分割装置を提供する。
【解決手段】複数の種類の各々のセルのセルレイアウトデータを取得するステップと、前記セルレイアウトを複数のマスクレイアウトに分割する際に発生するパターン分断部分の複数の候補を、複数の分断候補として設定し、前記複数の種類の各々のセルに対応する分断候補付きセルレイアウトデータを生成するステップと、前記分断候補付きセルレイアウトデータに基づいて、複数のセルを含むフルチップのレイアウトを示すフルチップレイアウトデータを生成し、そのデータに示される前記複数の分断候補の中から採用する分断候補群を選択するステップと、前記選択した分断候補群でパターンが分断されるように前記フルチップレイアウトデータが示すレイアウトを分割するステップと、分割結果を示す分割レイアウトデータを生成するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】
基板での露光ムラの発生を抑制することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】
露光光源３からの露光光を遮る遮光部１１と前記露光光を透過させる透光部１２とを備え、一定方向Ａに搬送中の露光対象物２の露光に使用されるフォトマスク１であって、
前記透光部１２を介して露光される露光対象部分２１の、前記露光対象物２の搬送方向Ａと垂直な方向Ｂの全幅Ｗに渡って露光量Ｅが等しくなるように、前記透光部１２の各部の前記搬送方向Ａの長さｌが決定されたものである。 （もっと読む）

【目的】半導体製造工程で生じる寸法変動をより正確に補正する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、露光用マスクのパターン作成領域から仮想分割されたメッシュ状の複数のマス目領域のマス目領域毎に含まれるパターンの面積と、かかるパターンの外周の辺の長さの総和とを用いてＣＤ寸法誤差を補正する補正量を算出する工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、補正量が補正された寸法のパターンをレジスト膜が塗布された基板に露光する工程（Ｓ２０２）と、露光後に、レジスト膜を現像する工程（Ｓ２０４）と、現像後のレジストパターンを用いて、前記基板を加工する工程（Ｓ２０６〜Ｓ２１０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィプロセス条件を決定するための良好な方法およびシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィプロセスのためのリソグラフィプロセス条件を決定する方法およびシステムが記載される。入力を取得した後、非矩形状サブ分解能アシスト特徴部を許容する条件下で、照明光源特よびマスク設計について第１の最適化を行う。続いて、矩形状サブ分解能アシスト特徴部だけが許容される１つ又はそれ以上の追加の最適化において、マスク設計が最適化される。これにより良好なリソグラフィプロセスが得られるとともに、マスク設計の複雑性を制限する。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる配線レイアウトの設計方法、半導体装置及び配線レイアウトの設計を支援するプログラムを提供する。
【解決手段】実施形態に係る配線レイアウトの設計方法は、側壁法によって形成されるレイアウトの設計方法であって、第１の方向に延び、前記第１の方向と交差する第２の方向に第１の周期で配置された複数本の第１のパターン、及び、前記第１の方向に延び、前記第１のパターン間の中央にそれぞれ配置された複数本の第２のパターンが設けられたベースパターンを用意する工程と、１本の前記第２のパターンを挟んで隣り合う２本の前記第１のパターン間に、前記第２の方向に延び、前記２本の第１のパターン同士を接続すると共に、前記１本の第２のパターンを前記２本の第１のパターンと接しない２つのパターンに置き換える工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光におけるフレアを低減する。
【解決手段】ＥＵＶ露光時にマスクを介して発生するフレア量を評価するステップと、フレア量の評価結果に基づいてマスクにダミーマスクパターンを付与するステップと、ダミーマスクパターンが付与されたマスクを介してＥＵＶ露光されたレイアウトパターンについてのフレア補正および近接効果補正を行うステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのマスクパターンを、フレアの影響を適正に反映させて、精度良く補正する。
【解決手段】マスクパターン補正装置５０は、マスクパターンデータ６１を複数の単位領域に分割する分割部５１、分割された各単位領域のパターン密度を算出するパターン密度算出部５２、任意の単位領域のフレア強度を算出するフレア算出部５４を含む。フレア算出部５４は、単位領域のフレア強度を、露光装置でフォトマスクと被転写体の間に配置されるスリットを基に設定された領域範囲６３で、当該単位領域のパターン密度と、フレア量を距離の関数で表したＰＳＦ６２の値との畳み込み積分により算出する。補正部５５は、算出されたフレア強度を用いてマスクパターンデータ６１を補正する。 （もっと読む）

【課題】入射放射線に起因して基板上のレジスト層内に形成される像をシミュレートする方法を提供する。
【解決手段】レジスト層内のある深さでの入射放射線から発生する順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界を計算するステップと、レジスト層内の前記深さでの入射放射線から発生する逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界を計算するステップと、順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界と逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界との間の干渉を考慮することなく、順方向伝搬電界又は順方向伝搬磁界及び逆方向伝搬電界又は逆方向伝搬磁界からレジスト層内の前記深さでの放射電磁界を計算するステップと、を含む方法が本明細書に記載されている。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの微細化に伴う倒壊または抜け不良を低減する。
【解決手段】パターン生成装置１１において、露光に基づいて形成されるパターンおよびパターン周辺の光強度を算出する光強度算出部１１ａと、前記パターンおよびパターン周辺の光強度を評価する光強度評価部１１ｂと、光強度評価部１１ｂによる評価結果に基づいて前記パターンの補正データを出力するデータ出力部１１ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、真空紫外光を用いて高精細なパターニングが可能なパターン形成体の効率的な製造方法およびそれに用いられるレジストマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、真空紫外光を透過する透過部と、上記透過部上に形成され、上記透過部よりも真空紫外光の透過率が低いレジストパターンとを有し、上記透過部は、上記透過部の大きさが上記レジストパターンの大きさ以上となるように形成されていることを特徴とするレジストマスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】位相シフトマスクを製造する際のアンダーカット形成時のウェットエッチング工程において、非シフタ透光部に生じるダメージを軽減する。
【解決手段】透明基板上に遮光膜と第１レジスト層が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし第１遮光膜パターンを形成する工程と、第１遮光膜パターンまたは第１レジストパターンをマスクとして遮光膜の下層をエッチングにより除去しシフタ透光部を形成する工程と、透明基板上全面に第２レジスト層を形成する工程と、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングし、非シフタ透光部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パラメータの変動に対して非常に感度が高く、従って複数のフィーチャを有するターゲット設計を結像するために使用されるリソグラフィプロセスの較正におけるランダムで反復的な測定誤差に対して頑健であるゲージパターンを設計する方法及びシステムに関する。
【解決手段】該方法は、最も感度が高い線幅／ピッチと、最適のアシストフィーチャ配置と、の組合せを識別することを含むことができ、これは波面収差パラメータの変動などのリソグラフィプロセスパラメータの変動に対して最も感度が高いＣＤ（又は他のリソグラフィ応答パラメータ）の変化につながる。該方法は、波面関連の又は他のリソグラフィプロセスのパラメータに対して特定の応答を生成するためにゲージの組合せ応答を調整できるように、複数のテストパターンを有するゲージを設計することも含むことができる。パラメータの変動に対するこの感度は、ランダム測定誤差及び／又は他のいかなる測定誤差に対しても頑健な性能につながる。 （もっと読む）