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Fターム[2H095BC08]の内容

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Fターム[2H095BC08]に分類される特許

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【課題】高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な遮光膜を有する転写用マスクを作製することを可能とする、マスクブランクを提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用いられるマスクブランクであり、透光性基板上に遮光膜とエッチングマスク膜とが順に積層した構造を有するマスクブランクであって、前記エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、前記遮光膜は、タンタルを含有する材料からなり、前記遮光膜の透光性基板側とは反対側の表層に高酸化層が形成されており、前記高酸化層は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが23eVよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とするマスクブランクである。 (もっと読む)


【課題】タンタル系材料の吸収体膜と、クロム系材料のエッチングマスク膜とが積層した反射型マスクブランクを用いて、高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な吸収体膜を有する反射型マスクを作製することを可能とする反射型マスクブランクを提供する。
【解決手段】反射型マスクを作製するために用いられる反射型マスクブランク100であり、基板1上に多層反射膜5と吸収体膜2とエッチングマスク膜3が順に積層した構造を有する反射型マスクブランクであって、エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、吸収体膜は、タンタルを含有する材料からなり、吸収体膜の基板側とは反対側の表層に高酸化層22が形成されており、高酸化層は、X線電子分光分析を行ったときのTa4fのナロースペクトルが23eVよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする反射型マスクブランクである。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの発生が少なく、洗浄耐性の優れた遮光枠を有する反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】多層反射層02を掘り込んだ遮光枠を有する反射型マスクにおいて、多層反射層の側面に、電解めっき法により側壁保護層を形成することで、パーティクルの発生を低減することができる。さらに本発明のマスクとすることで、マスク洗浄工程における多層反射層の劣化を抑制することが可能となり、高品質の反射型マスクを提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 従来における有機系レジストとクロムの遮蔽膜を用いるフォトマスクは、製造工程が煩雑で、かつ、クロム金属のエッチング後の廃液処理が必要なため、環境負荷が大きく、かつ、コストが高くなるといった問題があり、また、有機系レジストに姻族が添加されている遮蔽膜を用いるフォトマスクにあっては、耐久性や遮蔽性が劣るといった問題があった。
【解決手段】 レーザー光のエネルギーによって表面電位差が生じる表面電位が変位し易い金属原子Xと、酸化されても変化し難い金属原子Yとの組み合わせによる金属レジスト2の遮蔽膜で構成したフォトマスクである。 (もっと読む)


【課題】チャージアップを生じさせず、かつ、アライメントマークの欠けを生じさせないマスクブランクの製造方法及びマスクブランクを提供する。
【解決手段】電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであり、マスクブランクは、基板1上に、転写パターン形成用薄膜2と、転写パターン形成用薄膜2のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜3とがこの順に形成され、転写パターン形成用薄膜2は、電子線描画しパターニングする際にチャージアップしない程度に導電性を有する材料とし、基板の主表面から、基板の側面又は面取り面までに亘って形成され、エッチングマスク膜3は、基板の少なくとも側面に存在せず、転写パターン形成用薄膜2が露出するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置であって、少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソード7と、複数のスパッタリングカソード7と対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段95と、スパッタリングガスを、複数のスパッタリングカソード7間を通過して基板表面の近傍に供給するスパッタリングガス供給手段9とを備える。 (もっと読む)


【解決手段】露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、該酸素の含有量が7at%以上30at%以下である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、該光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理して得られたフォトマスクブランクを用いてマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて、マスクパターンを転写する。
【効果】本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクを用いることで、ステッパーやスキャナーで長期間使用していても、フォトマスクを構成する窒素を含有する膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質(例えば、硫酸アンモニウム等)に由来する欠陥の発生を少なくすることができ、フォトリソグラフィー法を用いた半導体回路製造時の歩留低下を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】極めて微細なパターンを形成できるフォトマスクブランク及びそのフォトマスクブランクに微細パターンを形成したフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、少なくとも2層からなる薄膜を有するフォトマスクブランクであって、前記薄膜は、タンタル、窒素、およびキセノンを含む材料からなる第1の層と、該第1の層の上面に積層されるタンタル、酸素、およびアルゴンを含む材料からなる第2の層とを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 的確に遮光枠を形成することが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、マスクパターンが形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを用意する工程S12と、マスクパターンが形成された領域の周囲の領域に選択的に遮光材を塗布して遮光枠を形成する工程S15とを備える。 (もっと読む)


【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板11と、前記基板表面に形成された多層反射層21と、前記多層反射層21の上に形成された吸収層51を有する反射型マスクブランクおよびマスクの製造工程において、前記多層反射層形成時に選択的に成膜しない、もしくは成膜後物理的または化学的または熱処理により多層反射層21から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠25を作製する。 (もっと読む)


【課題】遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板1上に少なくともクロムと窒素を含む遮光膜2を有するフォトマスクブランクの製造方法である。遮光膜2を形成した後、該遮光膜2に加わる熱処理によって生じる膜応力変化により得られるフォトマスクブランクの平坦度が所定値以下になるように、上記膜応力変化とは逆方向の所望の膜応力を有する遮光膜2となるように、スパッタリング成膜中に含まれる窒素ガス、窒素化合物ガス、ヘリウムガスのうち少なくとも一のガスの流量を調整して遮光膜2を形成する。 (もっと読む)


【課題】半透明膜中の位相差調整および透過率制御を容易化することが可能な構成のフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】半透明積層膜12は、第1の半透明膜13と第2の半透明膜14の積層構造とされ、これらの半透明膜の膜厚d、ならびに露光光に対する屈折率nおよび消衰係数kは、その一方が位相先行膜となり他方が位相遅延膜となるように設計される。位相進行膜の膜厚(nm)をd(+)、屈折率をn(+)、消衰係数をk(+)とし、位相遅延膜の膜厚をd(-)、屈折率をn(-)、消衰係数をk(-)としたときに、位相進行膜はk(+)>a1・n(+)+b1、位相遅延膜はk(-)<a2・n(-)+b2となるように設計される。係数aおよびbは、a1=0.113・d(+)+0.774、b1=−0.116・d(+)−0.281、a2=0.113・d(-)+0.774、b2=−0.116・d(-)−0.281、である。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング工程中にパーティクルが発生し難い珪素ターゲット材を提供し、成膜される珪素含有膜の低欠陥化(高品質化)を図ること。
【解決手段】珪素含有膜の成膜に、室温での比抵抗が20Ω・cm以上の珪素ターゲット材を用いる。珪素ターゲット材は、多結晶や非晶質のものでもよいが、単結晶のものとすればより安定した放電状態を実現できるという利点がある。また、FZ法により結晶育成された単結晶シリコンは、酸素含有量が低いため、高純度珪素ターゲット材として好ましい材料である。また、安定した放電特性を得る観点からはドナー不純物を含むn型のもののほうが好ましい。珪素含有膜のスパッタリング成膜は、本発明の珪素ターゲット材のみを単独または複数用いて行うことのほか、珪素ターゲット材と遷移金属と珪素を含有するターゲット材を同時に用いたり、珪素ターゲット材と遷移金属ターゲット材を同時に用いることとして行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】UV又はEUVリソグラフィ用の光学素子における変形を低減するための光学素子を提供する。
【解決手段】基板41の第1の表面42上に機能性コーティング46を備える光学素子であって、基板41は、第1の表面42と共通の縁部45を有する第2の表面43を備え、第2の表面43は、コーティング47も有し、第2の表面43上のコーティング47の厚さt及び応力σを、第1の表面42上の機能性コーティング46の厚さt及び応力σと組み合わせて条件t・σ/t・σ=Xを満足し、式中、Xが0.8〜5.0の値を有するよう選択する。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクブランク上に形成された遮光層に対して事後的に導電性を付与することで、パターン位置精度の向上が可能な遮光層を備えるフォトマスクブランクの提供を目的とする。
【解決手段】フォトマスクブランクの遮光膜中にイオン注入または熱拡散にて添加物をドープし、遮光膜に導電性を付与したことを特徴とするフォトマスクブランクであって、イオン注入によりドープされる添加物が、リン、ボロン、砒素、ゲルマニウムの中から選択されたいずれかで、熱拡散によりドープされる添加物が、リンまたはボロンの中から選択されたいずれかで、遮光膜が、酸化クロム、モリブデン、シリコン、モリブデンシリコン、ジルコニウム、タンタルの中から選択された少なくとも1種により組成されていることを特徴とするフォトマスクブランクである。 (もっと読む)


【課題】金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長200nm以下の露光光
に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製
造方法を提供する。
【解決手段】波長200nm以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用
いられるフォトマスクブランクであって、
透光性基板1上に薄膜2を備え、
前記薄膜2は、遷移金属、ケイ素及び炭素を含み、ケイ素炭化物及び/又は遷移金属炭
化物を有する材料からなることを特徴とするフォトマスクブランク。 (もっと読む)


【課題】遮光膜の深さ方向でのドライエッチング速度を最適化させ良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜を有し、該遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、上記遮光膜の透光性基板側におけるドライエッチング速度を、遮光膜の表面側におけるドライエッチング速度よりも遅くさせるようにした。 (もっと読む)


【課題】パターン形成用薄膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する60nm以上150nm未満の大きさの高酸化物欠陥数を低減させ、高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板1上に金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなるパターン形成用薄膜2をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することによりマスクブランク10を製造する。ここで、透光性基板1が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いでパターン形成用薄膜2のスパッタリング法による成膜を開始する。 (もっと読む)


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