【課題】 転写能力を損なわずに洗浄を行えるマスクを提供すること。
【解決手段】 実施形態のマスクは、露光装置を用いて被加工基板上のレジスト膜にパターンを転写するためのマスクである。前記パターンに対応するパターン（以下、メインパターンという）２と、前記メインパターン２の隣りに配置され、前記露光装置の解像限界以下の寸法を有するパターン（以下、サブパターンという）とを具備する。前記サブパターンは、前記メインパターンの隣りに配置された第１のサブパターン３と、前記第１のサブパターン３に接触するように、前記第１のサブパターンの長手方向に沿って配置された複数の第２のサブパターン４とを含む。さらに、Ｐ≦λ／（ＮＡ（１＋σ₀ ））を満たす。Ｐは第２のサブパターンの配置ピッチ、ＮＡは露光装置の開口数、λは露光装置を用いてメインパターンを転写する時の露光波長、σ₀ は露光装置を用いてメインパターンを転写する時の最大σである。 （もっと読む）

【課題】透過率の微妙な調整が可能であり、さらにはカラーフィルタにおける３種以上の異種部材を形成するのに有用な階調マスクを用いたカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１２と、上記透明基板１２上にパターン状に形成された遮光膜１３および透過率調整機能を有する半透明膜１４とを有し、上記透明基板１２のみを有する透過領域２１と、上記透明基板１２上に上記遮光膜１３のメインパターンが設けられた遮光領域２２と、上記透明基板１２上に上記半透明膜１４の補助パターンのみが設けられ、上記半透明膜１４の補助パターンおよび開口部の少なくともいずれか一方が解像限界以下の寸法をもつ第２半透明領域２４とを有する階調マスク１１を用いる。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型露光用マスクを提供する。
【解決手段】基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクスを準備する。次に、回路パターンとその領域外の吸収膜を選択的に除去して回路パターンと遮光枠領域を形成する。次に、前記遮光枠領域において保護膜と多層反射膜を除去する。加えて、前記遮光枠領域の基板とは対向位置の裏面導電膜に酸化インジウムスズを形成する。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクのパターンに損傷を及ぼす危険性を解消し、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板と、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層で形成された吸収体パターンと、を少なくとも備えた反射型マスクであって、吸収体パターンによって形成された転写パターン領域の周囲に、ＥＵＶ光を遮光するための遮光領域が設けられ、前記遮光領域が反射層と吸収層とを備え、前記遮光領域の反射層が、転写パターン領域の反射層と同一平面上になく、基板の主面に対して所定の角度を有する斜面上にあり、遮光領域に入射したＥＵＶ光の反射光を、転写パターン領域に入射したＥＵＶ光の反射光とは異なる方向に反射させる反射層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を防止することができる、マスクレイアウト分割方法及びマスクレイアウト分割装置を提供する。
【解決手段】複数の種類の各々のセルのセルレイアウトデータを取得するステップと、前記セルレイアウトを複数のマスクレイアウトに分割する際に発生するパターン分断部分の複数の候補を、複数の分断候補として設定し、前記複数の種類の各々のセルに対応する分断候補付きセルレイアウトデータを生成するステップと、前記分断候補付きセルレイアウトデータに基づいて、複数のセルを含むフルチップのレイアウトを示すフルチップレイアウトデータを生成し、そのデータに示される前記複数の分断候補の中から採用する分断候補群を選択するステップと、前記選択した分断候補群でパターンが分断されるように前記フルチップレイアウトデータが示すレイアウトを分割するステップと、分割結果を示す分割レイアウトデータを生成するステップとを具備する。 （もっと読む）

【目的】半導体製造工程で生じる寸法変動をより正確に補正する方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、露光用マスクのパターン作成領域から仮想分割されたメッシュ状の複数のマス目領域のマス目領域毎に含まれるパターンの面積と、かかるパターンの外周の辺の長さの総和とを用いてＣＤ寸法誤差を補正する補正量を算出する工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、補正量が補正された寸法のパターンをレジスト膜が塗布された基板に露光する工程（Ｓ２０２）と、露光後に、レジスト膜を現像する工程（Ｓ２０４）と、現像後のレジストパターンを用いて、前記基板を加工する工程（Ｓ２０６〜Ｓ２１０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィプロセス条件を決定するための良好な方法およびシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィプロセスのためのリソグラフィプロセス条件を決定する方法およびシステムが記載される。入力を取得した後、非矩形状サブ分解能アシスト特徴部を許容する条件下で、照明光源特よびマスク設計について第１の最適化を行う。続いて、矩形状サブ分解能アシスト特徴部だけが許容される１つ又はそれ以上の追加の最適化において、マスク設計が最適化される。これにより良好なリソグラフィプロセスが得られるとともに、マスク設計の複雑性を制限する。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＦバイアスが低減された遮光膜であり、転写マスク作製に係る様々な負荷が
大きく軽減される。さらに、重ね露光による漏れ光によって、ウェハ上のレジスト膜が露
光することを抑制できるだけの光学濃度を遮光膜に確保するという条件も同時に満たすこ
とができる転写用マスクを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
ＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光光が用いられる露光装置にバイナリ型の転写用マスクをセットし、半導体ウェハ上のレジスト膜に対して転写パターンの露光転写を行う工程を有する半導体デバイスの製造方法であって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを備えた遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が２．８以上であり、
前記遮光膜は、前記露光光に対する表面反射率が５０％未満であり、
前記遮光膜を透過した前記露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した前記露光光との間での位相差が３０度以下である
ことを特徴する半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる配線レイアウトの設計方法、半導体装置及び配線レイアウトの設計を支援するプログラムを提供する。
【解決手段】実施形態に係る配線レイアウトの設計方法は、側壁法によって形成されるレイアウトの設計方法であって、第１の方向に延び、前記第１の方向と交差する第２の方向に第１の周期で配置された複数本の第１のパターン、及び、前記第１の方向に延び、前記第１のパターン間の中央にそれぞれ配置された複数本の第２のパターンが設けられたベースパターンを用意する工程と、１本の前記第２のパターンを挟んで隣り合う２本の前記第１のパターン間に、前記第２の方向に延び、前記２本の第１のパターン同士を接続すると共に、前記１本の第２のパターンを前記２本の第１のパターンと接しない２つのパターンに置き換える工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光におけるフレアを低減する。
【解決手段】ＥＵＶ露光時にマスクを介して発生するフレア量を評価するステップと、フレア量の評価結果に基づいてマスクにダミーマスクパターンを付与するステップと、ダミーマスクパターンが付与されたマスクを介してＥＵＶ露光されたレイアウトパターンについてのフレア補正および近接効果補正を行うステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】アウトオブバンド光の影響を軽減した遮光枠を有する、製造しやすい反射型マスクの製造方法および反射型マスクを提供する。
【解決手段】吸収層や多層反射層をすべて掘り込み除去して基板表面を露呈させた遮光枠を形成するとともに、裏面導電膜の遮光枠領域の部分も除去することによって、基板を透過したアウトオブバンド光が反射型マスクの表面に戻らないようにして、チップ外周部が重なる領域についての多重露光を軽減することを可能にした。更に、この吸収層や多層反射層、導電膜などをレーザー光を用いて一括して除去することにより、精度が良く、スループットを高く製造することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パラメータの変動に対して非常に感度が高く、従って複数のフィーチャを有するターゲット設計を結像するために使用されるリソグラフィプロセスの較正におけるランダムで反復的な測定誤差に対して頑健であるゲージパターンを設計する方法及びシステムに関する。
【解決手段】該方法は、最も感度が高い線幅／ピッチと、最適のアシストフィーチャ配置と、の組合せを識別することを含むことができ、これは波面収差パラメータの変動などのリソグラフィプロセスパラメータの変動に対して最も感度が高いＣＤ（又は他のリソグラフィ応答パラメータ）の変化につながる。該方法は、波面関連の又は他のリソグラフィプロセスのパラメータに対して特定の応答を生成するためにゲージの組合せ応答を調整できるように、複数のテストパターンを有するゲージを設計することも含むことができる。パラメータの変動に対するこの感度は、ランダム測定誤差及び／又は他のいかなる測定誤差に対しても頑健な性能につながる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィプロセスのために好ましいレイアウトを得るための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、複数のフィーチャを含む初期レイアウトを識別するステップと、終了条件が満足するまでフィーチャを再構成することによって、好ましいレイアウトを得るステップと、を含み、再構成するステップが、複数のリソグラフィプロセス条件に関しフィーチャへの一組の変化がリソグラフィメトリックにどのように影響したかを測定する費用関数を評価するステップと、少なくとも幾つかがフィーチャの特性の関数である一連の項に費用関数を展開するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 微細なパターンを精度よく形成する原版のデータを生成する生成方法を提供する。
【解決手段】 光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のデータをコンピュータによって生成する生成方法であって、近似空中像に基づいて主パターンを決定し、補助パターンを挿入することで原版のデータを生成する生成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる位相変調マスクを提供する。
【解決手段】照明光学系１１からの光は、位相変調マスク２０によって、所定の周期的な変調パターンで位相変調される。被露光物１４は、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して所定の露光パターンで露光される。ここで位相変調マスク２０は、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって被露光物１４が露光されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングによるトランジスタの特性ばらつきを抑える。
【解決手段】並列に配置される複数のゲート電極パターン１０〜１５を交互に、ダブルパターニングの第１の露光工程で形成する第１のパターン及び第２の露光工程で形成する第２のパターンとして設定し（ステップＳ１）、第１のパターンと第２のパターンとを並列に接続したトランジスタ対を含む回路をレイアウトすることで（ステップＳ２）、ダブルパターニングによるトランジスタの特性ばらつきが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】露光不良の発生を抑制できるマスクを提供する。
【解決手段】マスクは、第１、第２投影光学系の物体面側で第１方向に移動されながら露光光が照射され、その少なくとも一部の像が基板に投影される。第１、第２投影光学系は、第２方向に関して異なる位置に配置され、それぞれ投影領域を形成する。投影領域は、第１、第２方向に第１、第２寸法を有する第１領域と、第２方向に関して第１領域の隣に位置し、第１、第２方向に第３、第４寸法を有する第２領域と、を含む。第３寸法は第１寸法よりも小さい。マスクは、第１、第２投影光学系のそれぞれによって投影され、第１パターンが形成された第１部分と、第２方向に関して第１部分の隣に位置する第２部分と、を有し、第２方向に関する第１部分の第５寸法は、第２寸法以下であり、第１部分からの露光光が第１領域に入射し、第２領域に入射しない。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ（限界寸法）誤差を低減し、シュリンク処理の形状依存を補正できるパターン化フォトレジスト層を実現するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えた装置を提供する。
【解決手段】媒体６１４は形状レイアウトを受信するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、形状レイアウトに対してシュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードとを備える。シュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、パターン化層に形状を形成するための角切り欠き部を提供して、線の幅および長さ、形の修正などを調整する。 （もっと読む）

【課題】露光装置より照射された平行光７を、被照射体６に傾斜させて出射するフォトマスク１であって、被照射体６を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置で、１度の露光で多角度の斜め露光を、被写体６に対して行うことができるフォトマスク１を提供する。
【解決手段】透明基板の照射面側に、光透過部３１のパターンが形成され、透明基板の出射面側の、パターンに対応した部位に斜面２１、２２が形成され、あるいは、さらに光透過部に、グレースケール膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）