【課題】一回のフォトリソグラフィー法における露光工程により、高さの異なる複数種類の突起状パターンを適正な高さと形状を保持して同時に形成するためのフォトマスクを提供すること。
【解決手段】高さの異なる複数種類の突起状パターンを露光対象基板の同一面側に製造する際に用いる、異なる高さの突起状パターン形成に対応したフォトマスクであって、最も高い突起状パターンを除く突起状パターンを形成するためのマスクパターンをフォトマスクの開口部に半透過性のハーフトーン膜により設け、かつ、ハーフトーン膜を用いるマスクパターンをハーフトーン膜を用いない最も高い突起状パターン形成に対応するマスクパターンよりも低く設けた透明基材表面に有する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板と、遷移金属、ケイ素、窒素及び酸素を含有する材料からなるハーフトーン位相シフト膜パターンとを有し、ハーフトーン位相シフト膜パターンの組成が、遷移金属とケイ素との原子比（Ｍｅｔ／Ｓｉ）が０．１８以上０．２５以下、窒素含有率が２５原子％以上５０原子％以下、かつ酸素含有率が５原子％以上２０原子％以下であり、累積１０ｋＪ／ｃｍ²以上のＡｒＦエキシマレーザー光が照射されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ＡｒＦエキシマレーザー光を光源として、光パターンを照射する。
【効果】従来と比べて、光パターンの大幅なパターン寸法変動劣化なしに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を長時間実施することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ上に保護障壁構造をパターニングするために用いられる構造を備え、マスク中の領域が絶縁されたリソグラフィマスクを提供する。
【解決手段】導体で構成されており、溝を有する第１層と、領域、セクション及びそのセクションを囲む溝状透明構造を含む第２層とを具備し、前記第１層と第２層とが、前記第２層における電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されており、前記溝状透明構造が、前記セクションと前記領域とを分離するものであり、前記第１層と第２層の材料が、前記セクションと前記領域との間に電気的ポテンシャルの差が生じないように選択した。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク及びこれを用いたフォトマスクを提供する。
【解決手段】 窒素及び炭素の含有量を適切に制御して、ハードフィルムを形成することで、エッチング時に発生するCD偏差を減らし、遮光膜の金属成分が高く、反射防止膜の金属成分が低い金属膜を形成することによって、その厚さを低めて、解像度及びパターン正確度を向上させ、耐化学特性を改善することができる。また、金属膜とハードフィルムとの反射率差が大きくなるように、金属膜とハードフィルムとを形成することで、ハードフィルムの検査を容易に行える。これにより、本発明によるハードマスク用のブランクマスクを、DRAM、フラッシュメモリ、MPUなどに、ハーフピッチ32nm以下、特に、22nm以下の最小線幅の具現が可能になるように適用しうる。 （もっと読む）

【課題】高スループットで、欠陥面での品質の良い遮光枠を有する反射型マスク、反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、多層反射層を高温アニール処理にて融解し、反射率を低減することによって、遮光枠を形成することから、高スループットおよび比較的容易な工程で、欠陥面においてマスク品質の良い遮光枠を有する、反射型マスク、反射型マスクの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な遮光膜を有する転写用マスクを作製することを可能とする、マスクブランクを提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用いられるマスクブランクであり、透光性基板上に遮光膜とエッチングマスク膜とが順に積層した構造を有するマスクブランクであって、前記エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、前記遮光膜は、タンタルを含有する材料からなり、前記遮光膜の透光性基板側とは反対側の表層に高酸化層が形成されており、前記高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とするマスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】位相シフト効果を生じさせるために遮光部に所定の光透過性を持たせた多階調フォトマスクにおいて、遮光部内での透光部や半透光部との境界から離れた領域にて、被加工体上のレジスト膜の感光を抑制する。
【解決手段】透明基板上に成膜された光学膜をパターニングすることにより形成された透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを備え、被加工体上に、複数の異なる残膜値をもつレジストパターンを形成する多階調フォトマスクにおいて、光学膜は、多階調フォトマスクの露光光に含まれる代表波長の位相を略１８０度シフトさせる作用をもつとともに、代表波長の光に対して３％〜５０％の透過率を有し、透光部と半透光部においては、透明基板表面の一部が露出し、遮光部は、多階調フォトマスクの露光条件において解像しない線幅の微細透過パターンを有する。 （もっと読む）

【課題】ステンシルマスクにおいて、少なくとも貫通パターンの表面における析出物の発生を予防し、経時的に安定してパターン転写を行うことができるようにする。
【解決手段】パターン形成層２、中間層３、および支持層４からなる基材と、パターン形成層２の厚さ方向に貫通して形成され、荷電粒子線が透過可能な貫通パターン５と、少なくとも貫通パターン５を含む前記基材の表面に形成された有機汚染防止膜１と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランクス、反射型露光用マスクもしくはレチクルを提供する。
【解決手段】基板上側の一部に犠牲膜と、基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクスを準備する。次に、回路パターンとその領域外の吸収膜を選択的に除去して回路パターンと遮光枠領域を形成する。次に、前記遮光枠領域において保護膜と多層反射膜と犠牲膜をドライエッチング及びウェットエッチングの２段階により除去する。 （もっと読む）

【課題】支持基板を任意の深さまで掘り込んだシフターを有するフォトマスクの作製において、透過部の透過性を損なわずに、より安定したシフターの加工を実現できるフォトマスクブランクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】石英からなる支持基板１１と第１の遮光膜１２とを有するフォトマスクブランクにおいて、支持基板１１の一方の面に、支持基板１１のドライエッチング処理時に実質的にエッチングされないエッチングストップ膜１３を形成する。エッチングストップ膜１３の支持基板１１と反対の面に支持基板１１と同じ材質からなる透過層１４を形成する。第１の遮光膜１２を透過層１４のエッチングストップ膜１３と反対の面に形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の膜応力が時間の経過とともに圧縮応力の傾向が強くなるという問題を解決するための、マスクブランクおよび転写用マスクを提供する。
【解決手段】ガラス基板の主表面に薄膜が形成されてなるマスクブランクにおいて、前記薄膜が、タンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記ガラス基板の主表面と前記薄膜との間に、前記ガラス基板から薄膜へ水素が侵入することを抑制する侵入抑制膜を備えることを特徴とするマスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】タンタルを含有する材料からなる半透光膜におけるクロム用エッチング液に対する耐性を向上させ、半透光膜のダメージを低減する。
【解決手段】透光性基板上に、半透光膜と遮光膜とが順に形成されたマスクブランクであって、半透光膜は、タンタルを含有する材料からなり、半透光膜の透光性基板側とは反対側の表層に、酸素含有量が６０ａｔ％以上である高酸化層が形成されており、高酸化層を除いた半透光膜中の酸素含有量が６０ａｔ％未満である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、上記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、表示装置の製造に用いられる表示装置製造用階調マスクであって、上記半透明膜が金属膜であり、上記表示装置製造用階調マスクは、エッチングストッパー膜を有するものではないことを特徴とする表示装置製造用階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ブランクマスクの欠陥等に起因する測定値の誤り発生を招くこと無しに、ブランクマスクの所望領域の表面粗さを迅速に測定する。
【解決手段】露光用マスクを作製するためのブランクマスクの表面粗さを測定するマスク表面粗さ測定方法であって、ブランクマスクに測定光を入射させ、該マスクによる暗視野像を取得する光学系を用い、該マスク上の任意領域の暗視野像を取得する第１のステップと、任意領域内の注目位置における暗視野像の像強度が予め定めておいたしきい値未満の場合に、該注目位置の周辺領域の像強度と予め定めておいた関係式とを用いて表面粗さを求める第２のステップと、任意領域の全ての点において第２のステップを繰り返し、得られた表面粗さを平均化する第３のステップと、第３のステップで得られた平均値を、任意領域の表面粗さとして出力する第４のステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ハーフピッチ６５ｎｍ以降のフォトリソグラフィ技術に用いられ、微小パターンの寸法精度に優れ、かつ寸法の面内分布の均一性が高いマスクパターンを有するマスクを安価に製造するフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板と、この透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成されたフォトマスクブランクスを用い、前記遮光膜上に非感光性の有機基を有するシリコン系ポリマー層を塗布形成し、前記シリコン系ポリマー層は塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きく、前記透明基板が合成石英ガラスであり、前記遮光膜がクロムを主成分とし、前記シリコン系ポリマー層をフッ素系ガスによりドライエッチングし、前記遮光膜を塩素系ガスによりドライエッチングして遮光膜パターンを形成することを特徴とする。
【選択図】 図３
（もっと読む）

【課題】一枚の露光用マスクを、複数の異なるパターンのフォトリソグラフィー法による製品を作製する露光工程に使用可能とし、露光工程での露光用マスクパターンの切り換えを容易に行える露光用マスクを提供すること。
【解決手段】周囲が遮光部１に囲まれた固定開口部２を有する複数の開口板３を積層して、各開口板を独立に固定開口部平面内に可動制御して開口板相互の位置関係を可変とすることにより、固定開口部平面に垂直な方向の積層体開口部２１の形状を多様に限定できるシャッター素子５を構成して、シャッター素子により露光工程における光透過領域を選択する機能を付与した。 （もっと読む）

【課題】チャージアップを生じさせず、かつ、アライメントマークの欠けを生じさせないマスクブランクの製造方法及びマスクブランクを提供する。
【解決手段】電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであり、マスクブランクは、基板１上に、転写パターン形成用薄膜２と、転写パターン形成用薄膜２のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜３とがこの順に形成され、転写パターン形成用薄膜２は、電子線描画しパターニングする際にチャージアップしない程度に導電性を有する材料とし、基板の主表面から、基板の側面又は面取り面までに亘って形成され、エッチングマスク膜３は、基板の少なくとも側面に存在せず、転写パターン形成用薄膜２が露出するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】約６．４ｎｍから約７．２ｎｍの範囲の波長を有する放射を反射させるように構成された多層ミラーが提供される。
【解決手段】多層ミラーは、第１層および第２層を含む相互層を有する。第１層および第２層は、Ｕ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_４Ｃ層、Ｔｈ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_４Ｃ層、Ｌａ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_９Ｃ層、Ｌａ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_４Ｃ層、Ｕ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_９Ｃ層、Ｔｈ層またはその化合物や窒化物層およびＢ_９Ｃ層、Ｌａ層またはその化合物や窒化物層およびＢ層、Ｕ層またはその化合物や窒化物層およびＢ層、Ｃ層またはその化合物や窒化物層およびＢ層、ならびにＴｈ層またはその化合物や窒化物層およびＢ層、からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】タンタル系材料の遮光膜パターンを有する基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するのに適したマスクブランクを提供する。
【解決手段】基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するために用いられるマスクブランク１００であって、透光性基板１上に、遮光膜８と、エッチングマスク膜５とが順に積層された構造である。ここで、遮光膜８は透光性基板１に接して形成され、タンタルを主成分とし、酸素を実質的に含有しない材料からなる。エッチングマスク膜５は、クロムの含有量が４５原子%以上であり、かつ酸素の含有量が３０原子％以下の材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスクの表面に成長性欠陥が発生することを抑制するフォトマスク及びフォトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 実施形態のフォトマスクでは、露光光を透過する透明基板を持つ。前記露光光に対して前記透明基板より透過率が低く、かつ第１の原子を含む半透明膜が、前記透明基板上に周期的に設けられる。前記半透明膜の表面を覆い、前記露光光を透過する保護膜が設けられる。前記露光光が前記半透明膜に照射されたとき、前記第１の原子が前記保護膜にトラップされる。 （もっと読む）