【課題】 本発明は、反射型マスクブランクスの基板に形成したアライメントマークが発塵源となることを防止し、前記アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法、並びに、反射型マスクブランクスの検査方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 前記アライメントマークの底部に丸みをつけて、垂直な側壁部分と、丸みを有する底部とを有する凹型のアライメントマークとするにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】極めて平坦度が高く、かつ、微小欠陥（凹状欠陥、凸状欠陥）を低減したマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２１，１１が貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤２０と下定盤１０との間に、複数のガラス基板を挟持し、ガラス基板に上定盤側２０より研磨液を供給しながら、ガラス基板の両主表面を両面研磨する。ガラス基板の形状は四角形で、そのコーナー部においてノッチマークを少なとも１以上有する。ガラス基板の上記両面研磨は、ノッチマークが形成されていない一方の主表面を上定盤２０側にセットして行う。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、露光マスクに基板ステージを接近させプロキシミティ露光を行う場合に、露光マスクの膨らみを制限することにより、露光マスクと被露光基板との隙間が均一な状態を短時間で達成することができる。
【解決手段】本発明の露光方法は、ガラス基板の片面にマスクパターンが形成され、前記マスクパターンの遮光部に該当する任意の位置に前記ガラス基板を貫通する通気孔が単数または複数個形成された露光マスクと、前記露光マスクにより露光される被露光基板との間隙を調整する前後いずれかにて、前記通気孔から前記間隙の気体を真空手段により排出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アウトオブバンド光の影響を軽減した遮光枠を有する、製造しやすい反射型マスクの製造方法および反射型マスクを提供する。
【解決手段】吸収層や多層反射層をすべて掘り込み除去して基板表面を露呈させた遮光枠を形成するとともに、裏面導電膜の遮光枠領域の部分も除去することによって、基板を透過したアウトオブバンド光が反射型マスクの表面に戻らないようにして、チップ外周部が重なる領域についての多重露光を軽減することを可能にした。更に、この吸収層や多層反射層、導電膜などをレーザー光を用いて一括して除去することにより、精度が良く、スループットを高く製造することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクガラス基板の位置ずれや脱離、ガラス基板の変形が生じることがなく、保持によるガラス基板への傷の発生や異物の付着を抑制できるガラス基板保持手段を提供する。
【解決手段】ガラス基板２００の保持手段１００Ａは、ガラス基板の裏面を非接触で吸引する静電チャック機構と、ガラス基板の裏面の一部を支持する支持部材１１４とを有し、静電チャックの静電吸引力を発揮する作用面１１２の投影面積（ｍｍ²）と、ガラス基板の裏面の品質保証領域２１０の面積（ｍｍ²）と、の比（静電チャック機構の作用面の投影面積／ガラス基板の裏面の品質保証領域の面積）が０．５以上であり、静電チャック機構の作用面１１２と、ガラス基板２００の裏面との距離が２０μｍ超であり、支持部材１１４、ガラス基板２００の裏面の品質保証領域２１０より外側（裏面外周部）をなす４辺のうち、少なくとも２辺を含む領域をのみを支持するガラス基板保持手段。 （もっと読む）

【課題】 マスク基板の欠陥検査を的確に行うことが可能なマスク基板の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るマスク基板の欠陥検査方法は、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させない非同期状態で、マスク基板の非同期像を取得する工程Ｓ１２と、非同期像に基づいて、ある値以上の像強度を有する箇所の数を取得する工程Ｓ１３、Ｓ１４、Ｓ１５と、箇所の数に基づいて像強度の閾値を決定する工程Ｓ１６と、マスク基板を載置したステージの走査とマスク基板の像を取得するＴＤＩカメラの電荷転送とを同期させた同期状態で、マスク基板の同期像を取得する工程Ｓ１７と、同期像に基づいて、閾値以上の像強度を有する箇所を欠陥と判定する工程Ｓ１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】平坦度が悪化することを抑制したマスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】主表面に対して鏡面研磨を行ったガラス基板を準備する工程と、準備された前記ガラス基板に対し、加熱処理を行う工程と、加熱処理後のガラス基板の主表面上にタンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなる薄膜を形成する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】漏れ光を抑制し、高い寸法精度及び位置精度を実現しうるフォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板の第１の領域上に形成されたデバイスパターンと、透明基板の第２の領域上に形成された周辺パターンと、周辺パターンが形成された領域の透明基板内に形成され、デバイスパターンをウェーハに露光する際に用いる露光光に対する周辺パターンの光透過部の透過率を、露光光に対するデバイスパターンの光透過部の透過率よりも低下させる改質層とを有する。 （もっと読む）

【課題】保管ケースからのアウトガス成分のフォトマスク用合成石英ガラス基板及びフォトマスクブランクへの吸着を防ぎ、同時に、基板等表面への微小異物の固着を抑える。
【解決手段】
フォトマスク用合成石英ガラス基板又はフォトマスクブランクの保管方法であって、保管ケースを用意することと、セルロース系不織布に包装された吸着剤を前記保管ケースの内部に設置することと、前記フォトマスク用合成石英ガラス基板又はフォトマスクブランクを、前記保管ケース内に収納することを含むフォトマスク用合成石英ガラス基板又はフォトマスクブランクの保管方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】近接露光を行う際にパターンの転写精度を向上させる。
【解決手段】第１主表面に転写用パターンを形成してフォトマスクとなすための、厚さＴ（ｍｍ）のフォトマスク用基板であって、第１主表面の裏面にある第２主表面において、１０（ｍｍ）離間した任意の２点の高低差がΔＺｂ（μｍ）であるとき、第１主表面のパターン形成領域に対応する第２主表面の領域内のΔＺｂが、ΔＺｂ≦（１／Ｔ）×３．０を満たす。 （もっと読む）

【課題】露光装置より照射された平行光７を、被照射体６に傾斜させて出射するフォトマスク１であって、被照射体６を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置で、１度の露光で多角度の斜め露光を、被写体６に対して行うことができるフォトマスク１を提供する。
【解決手段】透明基板の照射面側に、光透過部３１のパターンが形成され、透明基板の出射面側の、パターンに対応した部位に斜面２１、２２が形成され、あるいは、さらに光透過部に、グレースケール膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】露光装置より照射された平行光７を、被照射体６に傾斜させて出射するフォトマスク１であって、被照射体６を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置で、１度の露光で多角度の斜め露光を、被写体６に対して行うことができるフォトマスク１を提供する。
【解決手段】透明基板の出射面側に、光透過部３１のパターンが形成され、照射面の前記パターンに対応した透明基板部位に斜面２１、２２が形成され、あるいは、さらに光透過部に、グレースケール膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】高さが数十ｎｍ、大きさが数十ｎｍ〜２０００ｎｍの凸状欠陥の発生を抑制できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨砥粒は、コロイダルシリカ砥粒を含み、研磨前の基板の濡れ性（接触角）は、θ／２法で測定したとき２０°未満である状態で前記研磨を行う、ことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高さが数ｎｍ、大きさが５μｍ〜２０μｍ程度の凸状欠陥の発生を抑制できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨後の基板を、フッ酸、ケイフッ酸、またはフッ酸及びケイフッ酸を含む洗浄液で処理する洗浄工程を有すると共に、前記洗浄工程を行う前の基板を保管しておく純水槽内、または前記純水槽の純水循環経路に、紫外線を照射する手段を有する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられるフォトマスクにおいて、半導体素子のフォトリソグラフィ工程における露光裕度を向上させることができるバイナリ型のフォトマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられるフォトマスクにおいて、前記フォトマスクが、透明基板上にエッチング加工しない薄膜層を２層または２層以上形成し、前記薄膜層上に設けた遮光膜でマスクパターンを形成したバイナリ型のフォトマスクであって、前記薄膜層が、少なくとも前記透明基板上に設けた所定の屈折率と消衰係数とを有する中間層と、前記中間層上に設けた前記露光光を透過する透明層とからなり、前記フォトマスクに入射した前記露光光を干渉させることにより、前記露光光の光強度を向上させたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ネガ型フォトレジストとフォトマスクとの密着強度が高くても、フォトマスクと半導体ウェーハとを容易に分離可能な半導体素子の製造方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】ウェーハの表面に、ネガ型フォトレジストを塗布する工程と、マスクパターンが設けられた面のうち、前記マスクパターンが設けられていない領域に設けられた溝部を有する第１のフォトマスクの前記面と、前記ネガ型フォトレジストと、を密着して露光する第１露光工程と、前記溝部を介して気体を導入させ、前記第１のフォトマスクと前記ネガ型フォトレジストが塗布された前記ウェーハとを分離する第１分離工程と、前記ネガ型フォトレジストを現像し、開口部を有する前記ネガ型フォトレジストのパターンを形成する現像工程と、前記開口部に露出した前記ウェーハの前記表面に、リフトオフ法を用いて電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶＬ光学基材用での成膜面における凹欠点の発生が抑制されたＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０の上下定盤１２，１４の研磨面でキャリア２０に保持されたガラス基板２２を挟持し、上定盤１２に設けられた供給孔から研磨粒子を含む流体を供給しつつ、上下定盤１２，１４と、キャリア２０に保持されたガラス基板２２と、を相対的に移動させてガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）光学基材用ガラス基板２２の研磨方法であって、ＥＵＶＬ光学基材での成膜面が、下定盤１４の研磨面と対面するようにガラス基板２２を挟持ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の内部欠陥による蛍光部画像が黄色・橙色系の画像でもそのエッジを検出して内部欠陥の検出精度を高める。
【解決手段】マスクブランク用ガラス基板の製造時に、２つの主表面と４つの端面を有するガラス基板を準備する基板準備工程と、いずれかの面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、欠陥検査工程は、いずれかの面から前記ガラス基板をカラー撮影し、当該カラー撮影画像の赤センサからの画像データのみを２倍にして微分法により光量差を求める処理を含む画像処理を行うことで、検査光によって、ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を判定し、蛍光が無いと判定されたガラス基板を選定する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の内部欠陥による蛍光部画像がモヤ状画像でもそのエッジを検出して内部欠陥の検出精度を高める。
【解決手段】マスクブランク用ガラス基板の製造時に、２つの主表面と４つの端面を有するガラス基板を準備する基板準備工程と、いずれかの面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、欠陥検査工程は、いずれかの面から前記ガラス基板を撮影し、当該撮影画像に対して遠隔差分により光量差を求める処理を含む画像処理を行うことで、検査光によって、ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を判定し、蛍光が無いと判定されたガラス基板を選定する。 （もっと読む）