【課題】一回のフォトリソグラフィー法における露光工程により、高さの異なる複数種類の突起状パターンを適正な高さと形状を保持して同時に形成するためのフォトマスクを提供すること。
【解決手段】高さの異なる複数種類の突起状パターンを露光対象基板の同一面側に製造する際に用いる、異なる高さの突起状パターン形成に対応したフォトマスクであって、最も高い突起状パターンを除く突起状パターンを形成するためのマスクパターンをフォトマスクの開口部に半透過性のハーフトーン膜により設け、かつ、ハーフトーン膜を用いるマスクパターンをハーフトーン膜を用いない最も高い突起状パターン形成に対応するマスクパターンよりも低く設けた透明基材表面に有する。 （もっと読む）

【課題】被照射体を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置または近接露光装置に被照射体と平行に設置して、１度の露光で複数の異なる角度の斜め露光を、被照射体に対して行うことができるフォトマスクを提供すること。
【解決手段】露光装置より照射されたフォトマスクに垂直な平行光を、被照射体に傾斜させて出射するフォトマスクであって、透明基板の照射面側に、回折光学素子が形成され、透明基板の出射面側に、回折光学素子からの回折光を選択的に透過する光透過部のパターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ上に保護障壁構造をパターニングするために用いられる構造を備え、マスク中の領域が絶縁されたリソグラフィマスクを提供する。
【解決手段】導体で構成されており、溝を有する第１層と、領域、セクション及びそのセクションを囲む溝状透明構造を含む第２層とを具備し、前記第１層と第２層とが、前記第２層における電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されており、前記溝状透明構造が、前記セクションと前記領域とを分離するものであり、前記第１層と第２層の材料が、前記セクションと前記領域との間に電気的ポテンシャルの差が生じないように選択した。 （もっと読む）

【解決手段】半導体用ガラス基板の少なくとも一方の面に非貫通の穴、溝又は段差を有し、非貫通の穴、溝又は段差の側面と基板の非貫通の穴、溝又は段差を有する面との間に第１の面取り部が存在し、上記非貫通の穴、溝又は段差の側面及び底面が鏡面であると共に、上記第１の面取り部が鏡面である、半導体用ガラス基板。
【効果】本発明によれば、ＩＣ等の製造に重要な光リソグラフィ法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板やナノインプリント用モールド基板等の非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用ガラス基板おいて、形状精度が高く、底面及び側面が鏡面である非貫通の穴、溝又は段差を有し、非貫通の穴、溝又は段差において割れ及び欠けが発生しにくく、高い強度及び清浄度を有する半導体用合成石英ガラス基板を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少なく、洗浄耐性の優れた遮光枠を有する反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】多層反射層０２を掘り込んだ遮光枠を有する反射型マスクにおいて、多層反射層の側面に、電解めっき法により側壁保護層を形成することで、パーティクルの発生を低減することができる。さらに本発明のマスクとすることで、マスク洗浄工程における多層反射層の劣化を抑制することが可能となり、高品質の反射型マスクを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクおよびマスクブランク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板表面に形成された多層反射層と、前記多層反射層の上に形成された吸収層を有する反射型マスクブランクの製造工程において、前記基板に遮光枠パターンを掘り込み、その段差分吸収層を厚く形成することにより
反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランクを作製することができる。この反射型マスクブランクに回路パタンーを形成することで、遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクを作成することができる。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクに、回路パターンと、回路パターン形成領域外の遮光枠領域とを設けて、反射型マスクを構成する。遮光枠領域内の吸収膜と、保護膜と、多層反射膜とを除去して溝を形成し、この溝の内部に不要な波長の光を吸収する樹脂層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主表面を平坦度３０ｎｍ以下に研磨することができる、ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０のガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法であって、前記研磨パッド２４が、微多孔が形成された表面層を有し、圧縮率が２０％以上である第１の軟質プラスチックシートと、前記第１の軟質プラスチックシートの前記研磨面の背面側に接合された、圧縮率が２０％未満である第２の軟質プラスチックシートと、を備えており、前記第２の軟質プラスチックシートの前記第１の軟質プラスチックシートが接合された反対面側をバフ処理した後、前記第２の軟質プラスチックシートのバフ処理された面を前記両面研磨装置の上下定盤の側にして、前記研磨パッドを該上下定盤に取り付けた状態で、前記研磨面側をドレス処理してから、前記ガラス基板の両主表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる位相変調マスクを提供する。
【解決手段】照明光学系１１からの光は、位相変調マスク２０によって、所定の周期的な変調パターンで位相変調される。被露光物１４は、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して所定の露光パターンで露光される。ここで位相変調マスク２０は、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって被露光物１４が露光されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】研磨加工において、斜断面からなる基板マークによる平坦度への悪影響を排除し、平坦度を向上させることができるマスクブランク用基板、マスクブランク及び転写マスク、並びに、それらの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】マスクブランク用基板１は、斜断面からなる基板マーク４が形成され、主表面１１２に対する基板マーク４の傾斜角が、４５°よりも大きく９０°未満であり、主表面１１２と基板マーク４の境界からマスクブランク用基板１の外周までの距離Ｗ_１が、１．５ｍｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】チャック前後の主表面の平坦度変化をより小さくして、フォトマスク起因の位置ずれを非常に少なくすることができ、さらに、フォトマスク毎のチャック前後の基板変形の傾向の相違を非常に少なくすること。
【解決手段】本発明のマスクブランク用基板は、２つの主表面と４つの端面を有する基板の主表面に中心点を設定し、該中心点を通りいずれかの端面に平行な第一対称軸と、前記中心点を通り第一対称軸に直交する第二対称軸とをそれぞれ設定し、前記第一対称軸および第二対称軸を基準にグリッド状に測定点を設定して基準面からの前記主表面の高さをそれぞれ測定し、前記第一対称軸を基準に線対称の位置にある測定点同士について高さ測定値の差分を算出し、算出した高さ測定値の差分について、全個数のうち少なくとも９５％にあたる個数の差分が所定値以内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 平坦度の違いによる位置ずれを抑制し、ブランクス状態における位相欠陥をマスク段階で吸収体により隠すことができ、製造歩留まりの向上に寄与する。
【解決手段】 実施形態の露光用マスクの製造方法は、マスクブランクスの欠陥検査段階での欠陥座標と基板保持の平坦度情報、及びマスクブランクスのフリースタンディング状態における平坦度情報を求めておき、検査段階での平坦度情報とフリースタンディング状態での平坦度情報を基に、検査段階の欠陥座標をフリースタンディング状態の欠陥座標に座標変換する。そして、マスクブランクスにパターンを描画する際に、座標変換された欠陥座標を用い、欠陥を避けるためにブランクスの回転・ＸＹシフト量を決定する。 （もっと読む）

【課題】基板上にパターンの像を良好に形成することができるマスクを提供する。
【解決手段】所定軸Ｊ周りに回転しつつ基板Ｐ上にパターンＭＰの像を形成するためのマスクＭであって、パターンＭＰが形成され、所定軸Ｊ周りに配置されたパターン形成面ＭＦと、パターン形成面ＭＦの所定領域にパターンＭＰに対して所定位置関係で形成された位置情報を取得するためのマークとを備えている。前記マークは、前記パターン形成面ＭＦの周方向に連続的もしくは断続的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】近接露光を行う際に、保持領域の近傍におけるパターンの転写精度を向上させる。
【解決手段】第１主表面に転写用パターンを形成してフォトマスクとなすためのフォトマスク用基板であって、四角形状である第１主表面上の、転写用パターンの形成されるパターン領域の外であって、第１主表面の対向する二辺の近傍に、露光機がフォトマスクを保持するときに保持部材が当接する当接面を含む保持領域を有し、保持領域は、保持領域内の平坦度指数Ｆｓｘとし、保持領域外の平坦度指数Ｆｅｘとしたとき、Ｆｓｘ≦Ｆｅｘを満たす。 （もっと読む）

【課題】近接露光を行う際にパターンの転写精度を向上させる。
【解決手段】主表面に転写用パターンを形成してフォトマスクとなすためのフォトマスク用基板であって、主表面上のパターン領域の高さ変動の最大値ΔＺｍａｘが、８．５（μｍ）以下である。 （もっと読む）

【課題】露光装置より照射された平行光７を、被照射体６に傾斜させて出射するフォトマスク１であって、被照射体６を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置で、１度の露光で多角度の斜め露光を、被写体６に対して行うことができるフォトマスク１を提供する。
【解決手段】透明基板の照射面側に、光透過部３１のパターンが形成され、透明基板の出射面側の、パターンに対応した部位に斜面２１、２２が形成され、あるいは、さらに光透過部に、グレースケール膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】露光装置より照射された平行光７を、被照射体６に傾斜させて出射するフォトマスク１であって、被照射体６を傾ける必要がなく、通常の密着露光装置で、１度の露光で多角度の斜め露光を、被写体６に対して行うことができるフォトマスク１を提供する。
【解決手段】透明基板の出射面側に、光透過部３１のパターンが形成され、照射面の前記パターンに対応した透明基板部位に斜面２１、２２が形成され、あるいは、さらに光透過部に、グレースケール膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】露光装置のマスクステージにチャックした後のマスク基板の平坦度をシミュレーションする必要がなく、しかも露光装置のチャック構造によらず、チャック後の所望の平坦度を実現すること。
【解決手段】本発明のマスクブランク用基板は、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクのマスクブランク用基板であって、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面が、中央部を含む１４２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下、かつ、中央部で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなる凸形状であり、仮想基準基板の１３２ｍｍ角内の領域で真球の球面形状である仮想基準主表面を、前記主表面に対してフィッティングを行ったときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられるフォトマスクにおいて、半導体素子のフォトリソグラフィ工程における露光裕度を向上させることができるバイナリ型のフォトマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられるフォトマスクにおいて、前記フォトマスクが、透明基板上にエッチング加工しない薄膜層を２層または２層以上形成し、前記薄膜層上に設けた遮光膜でマスクパターンを形成したバイナリ型のフォトマスクであって、前記薄膜層が、少なくとも前記透明基板上に設けた所定の屈折率と消衰係数とを有する中間層と、前記中間層上に設けた前記露光光を透過する透明層とからなり、前記フォトマスクに入射した前記露光光を干渉させることにより、前記露光光の光強度を向上させたことを特徴とする。 （もっと読む）