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Fターム[2H095BD31]の内容

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【課題】反射型マスクがダメージを受けることなく、精度よく、位相欠陥が修正されることを可能とする、反射型マスクの位相欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】位相欠陥部上に2種類の材料からなる多層膜を積層することにより、該位相欠陥部と高反射部の位相差を実用上0(ゼロ)とし、該位相欠陥部の反射率と高反射部の反射率を実用上等しくするように行う反射型フォトマスクの位相欠陥修正方法である。基板真上の突起欠陥と多層膜中央の突起欠陥であっても、修正用多層膜を積層することでこれらの位相欠陥を修正することが可能である。 (もっと読む)


【課題】的確に吸収体パターンの修正を行うことにより、EUVL用マスクの製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】マスクブランクに対して露光波長暗視野検査を行い、検出された信号強度からマスクブランクに存在する位相欠陥の位置を特定し、位置座標として登録する。次に、AFMにより欠陥位置のマスクブランクの表面形状の1回目の計測を行った後、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成し、さらにAFMにより欠陥位置のマスクブランクの表面形状の2回目の計測を行う。次に、吸収体パターンの位置と位相欠陥の位置との関係を特定した後、吸収体パターンと位相欠陥との位置関係および位相欠陥の形状から、吸収体パターンの加工形状および加工量を決定して、吸収体パターンを加工する。 (もっと読む)


【課題】より低い透過率のフォトマスクのハーフトーンパターンの修正を可能にする。
【解決手段】Qスイッチ周波数が1Hzから1kHzの範囲内に設定されたCVD加工用レーザ発振器11から出射される、1パルス当りの照射エネルギ密度が40mJ/cm以上、もしくは、照射パワー密度が1MW/cm以上の紫外レーザ光、および、クロムカルボニルガスからなる原料ガスを用いてフォトマスク2のハーフトーンパターンの修正部分にCVD膜を成膜する。本発明は、例えば、フォトマスクの修正を行うレーザ加工装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】フォトリソグラフィマスクの誤差を補正する分野に関する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、フォトリソグラフィマスクの複数の誤差を補正する方法に関連し、本方法は、フォトリソグラフィマスクの結像変換の第1のパラメータと、フォトリソグラフィマスク上に局所的に向けられるレーザビームの第2のパラメータとを最適化する段階と、最適化された第1のパラメータを用いて結像変換を適用し、かつ最適化された第2のパラメータを用いてレーザビームをフォトリソグラフィマスク上に局所的に向けることによって複数の誤差を補正する段階とを含み、第1及び第2のパラメータは、共同の最適化工程において同時に最適化される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、吸収層の側面において下部が上部よりも欠落している場合に、その欠陥を補修し、信頼性の高い反射型マスクを得ることが可能であり、さらには歩留まりの向上を図ることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第1吸収層と上記第1吸収層上に形成された第2吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第1吸収層が上記第2吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、上記側面欠陥部に位置する上記第2吸収層上に堆積膜を形成する補修工程を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、吸収層の側面において下部が上部よりも欠落している場合に、その欠陥を補修し、信頼性の高い反射型マスクを得ることが可能であり、さらには歩留まりの向上を図ることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層積層体とを有し、上記吸収層積層体が上記多層膜上に形成された第1吸収層と上記第1吸収層上に形成された第2吸収層とを有し、上記吸収層積層体の側面にて上記第1吸収層が上記第2吸収層よりも欠落している側面欠陥部を有する反射型マスクの、上記側面欠陥部に位置する上記吸収層積層体を除去する側面欠陥部除去工程と、上記吸収層積層体が除去された側面欠陥部除去部に堆積膜を形成する堆積膜形成工程とを有する補修工程を備えることを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクにおける欠陥検査及び修正工程の効率化を図り、マスク生産における歩留の向上及び安定を図ることができるフォトマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】フォトマスク1に形成された第1の転写パターンに生じたパターン欠陥4,5のうち、フォトマスク1を用いた被転写体への転写と、フォトマスク1と組み合わせて同一の被転写体に第2の転写パターンを転写する第2のフォトマスクを用いた被転写体への転写との両方を行ったときに、被転写体上において第1の転写パターンに含まれるパターンであって、第2の転写パターンの転写によってパターンが形成されなくなる領域を除いた領域にある欠陥4に対してのみ、欠陥修正を行う。 (もっと読む)


【課題】修正半透過膜の波長依存性を考慮した最適な透過率を設定する具体的な方法を提供する。
【課題を解決するための手段】多階調フォトマスクに使用される複数の露光波長を含む露光光源に対し、未修正半透過膜と修正半透過膜のそれぞれについて各波長のスペクトル強度比で加重平均した透過率の値が等しくなるように、修正半透過膜の膜厚を制御する。修正半透過膜の堆積には、光CVD法などの膜厚を制御しながら局所的に堆積できる気相堆積法を用いることが好ましい。 (もっと読む)


本発明は、部分吸収薄膜が配置されたフォトマスク基板の方向に電磁放射線を誘導する段階と、フォトマスク基板に温度上昇を発生させる段階と、薄膜の位相遅延損失の少なくとも一部分を回復させる段階とを含むフォトマスクの有効耐用年数を増加させる方法を提供する。電磁放射線は、フォトマスク基板の高吸光係数と実質的に一致する波長を有する。 (もっと読む)


【課題】半透光部に発生した欠陥を好適に修正できるグレートーンマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】半透光部は半透光膜26により形成され、半透光部において欠陥50、51が生じたときに該欠陥部分を特定し、特定した欠陥部分に修正膜27a、27bを形成するための成膜手段と成膜素材を決定し、決定した成膜手段と成膜素材を適用したときに、露光光の透過量が所定範囲となるような成膜面積を決定し、決定した成膜面積の修正膜27a、27bを形成する。 (もっと読む)


【課題】 電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームで孤立パターンの欠陥を修正するときのチャージアップに起因する問題点を解決する。
【解決手段】 電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。AFMスクラッチ加工で発生した加工屑は洗浄により除去する。 (もっと読む)


【課題】高速高精度に設計パターンを修正することが可能な半導体装置の設計レイアウト作成方法を提供すること。
【解決手段】設計レイアウト作成方法は、設計レイアウトから抽出した第1の修正領域を第1の修正方法により修正する工程(S102,S103,S104)と、前記第1の修正領域を含むように前記設計レイアウトから抽出した第2の修正領域を、前記第2の修正領域内の少なくとも一部の設計レイアウトから算出されるパターン修正指針に基づいて第2の修正方法により修正する工程(S106,S107,S104)とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 透明基板の透過率補正を高精度に行うことができ、hp45nm以下という極微細な半導体デバイスの製造歩留まり向上をはかる。
【解決手段】 フォトマスクの製造方法であって、透明基板上に遮光膜パターンが形成されたフォトマスクを用意する工程(S4)と、パターンの寸法のマスク面内分布を測定することにより、パターン寸法マップを生成する工程(S6)と、パターン形成領域を複数の領域に区切り、該複数の各領域に透過率補正係数を決定し、透過率補正係数マップを生成する工程(S3)と、パターン寸法マップと透過率補正係数マップから各領域の透過率補正値を求める工程(S7)と、透過率補正値に基づいて、各領域に対応する透明基板の透過率を変化させる工程(S8)とを含む。 (もっと読む)


イオン源、システム及び方法を開示するものである。
(もっと読む)


【課題】合成石英ガラス基板に存在し、波長が200nm以下の短波長光を露光光としたときのパターン転写に影響の大きな内部欠陥を簡単、確実に検出できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】波長が200nm以下のArFエキシマレーザー光25を導入する一端面2を含む表面を有する合成石英ガラス基板4を準備する準備工程と、この準備された合成石英ガラス基板の内部欠陥16を検出する検出工程とを有し、上記検出工程で転写パターンに影響する内部欠陥が存在しない合成石英ガラス基板を用いてマスクブランク用ガラス基板を製造するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、上記検出工程は、合成石英ガラス基板の内部欠陥が変質するエネルギーを有するArFエキシマレーザー光25を第1レーザー照射装置21から当該合成石英ガラス基板4に導入して、内部欠陥16を変質させる欠陥変質工程を有するものである。 (もっと読む)


【課題】設計データに光近接効果補正を施してマスクデータを作成する場合にマスク工期の遅延を抑制できるマスクデータ作成方法を提供すること。
【解決手段】マスクデータ作成方法は、基板上に形成されるデバイスのパターンの設計データに対し、光近接効果補正を含む補正を施す工程(S11)と、前記補正が施された設計データが、前記デバイスの特性には影響はないが、マスク製造上障害となる微小寸法を有する障害図形を含むか否かを判断する工程(S13)と、前記補正が施された設計データが障害図形を含む判断した場合には、マスク製造上障害となる微小寸法を有する障害図形とならいように、前記障害図形を補正する工程(S14)とを含む。 (もっと読む)


【課題】 その大きさが集束イオンビームの照射幅より小さなものである場合にあっても、その加工を行いたい個所を好ましく加工することができる。
【解決手段】 集束イオンビームを被加工体90に照射して該被加工体90にデポジション加工またはエッチング加工を行う集束イオンビームIによる加工方法であって、前記被加工体90のエッジEに前記集束イオンビームIを照射して、かつ、前記集束イオンビームのドーズ量を制御することにより、ドーズ量を増加させるに従って、エッジから徐々に加工される領域が広がって、該被加工体90をデポジション加工またはエッチング加工する。 (もっと読む)


【課題】 基板の欠陥検出ユニットを備えることによって、正確かつ短時間で欠陥の修正を行うことが可能な欠陥修正装置を提供する。
【解決手段】 基板1の欠陥を修正する欠陥修正機構を備えた欠陥修正装置Aにおいて、基板1を支持するステージ部2と、ステージ部2に支持された基板1の画像を撮像する画像読取手段6d及び画像読取手段6dで撮像された画像を処理して欠陥を検出する画像処理手段13とからなる欠陥検出ユニット6と、欠陥検出ユニット6により検出された欠陥の位置座標に移動し、同一のステージ部2上で、基板1の欠陥を修正する欠陥修正ユニット7とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 マスクパターンの撮像データに対して簡便な方法により、高精度の位置補正を行う方法を実現し、高信頼性のパターン欠陥検査方法を実現する。
【解決手段】 この画像補整方法は、パターンが形成されている試料に光を照射し、その光学像を撮像した被検査パターン画像と、この被検査パターン画像に対応する検査基準パターン画像とを比較検査するパターン検査方法で用いる画像補正方法において、前記被検査パターン画像、及び検査基準パターン画像に対して2次元線形予測モデルを用いた入出力関係を記述する連立方程式を生成する連立方程式生成ステップと、前記入出力関係を記述した連立方程式を最小二乗法で推定して前記連立方程式のパラメータを求める連立方程式解法ステップと、前記パラメータの重心位置を求めるステップと、前記重心位置の値を用いて線形結合補間処理を行うことにより補正画像を生成するステップとからなっている。 (もっと読む)


【課題】極短紫外光に対応する露光用マスクについて、斜め入射効果による影響を考慮したマスク補正を行えるようにして、ウエハ上転写像の忠実度低下を回避する。
【解決手段】マスクパターンに応じた形状の転写像をウエハ上へ露光転写する露光用マスクについてのマスク補正方法において、マスク表面へ斜め入射する極短紫外光を当該マスク表面に射影した射影ベクトルが前記マスクパターンの構成辺に対して平行でない場合に得られるウエハ上での転写像について、当該構成辺を含むパターン部分に生じる当該パターン部分の中心に対する非対称度を認識する工程と、前記非対称度が予め設定された規定範囲に属するように前記マスクパターンまたは前記極短紫外光の光学系の少なくとも一方に対する補正処理を行う工程とを含む。 (もっと読む)


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