【課題】本発明は、基板処理装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例によると、第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第２外壁間の幅が上部チャンバの第１外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用出来るだけでなく従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用出来るレジスト下層膜を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）で示される有機ホウ素化合物及びその縮合物からなる群から選ばれる化合物（Ａ）一種以上と、下記一般式（２）で示されるケイ素化合物（Ｂ）一種以上とを含む混合物の縮合物及び／又は加水分解縮合物を含有するものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。
Ｒ^１_ｍ０Ｂ（ＯＨ）_ｍ１（ＯＲ）_{（３−ｍ０−ｍ１）} （１）
Ｒ^１０_ｍ１０Ｒ^１１_ｍ１１Ｒ^１２_ｍ１２Ｓｉ（ＯＲ^１３）_{（４−ｍ１０−ｍ１１−ｍ１２）} （２） （もっと読む）

【課題】有機反射防止膜の上に形成されたフォトレジストの現像処理において、フォトレジストと現像液との反応で生じる反応生成物を、短時間でレジストパターンを損傷することなく適切に除去する。
【解決手段】フォトレジストの現像処理は、現像液を用いた現像及び現像液の除去を行う第１工程と、第１工程後に、現像液を用いた現像及び現像液の除去を行う第２工程とを含み、第２の工程によって、上記レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】金属イオン不純物濃度が低く、半導体リソグラフィーに好適に用いることができる、半導体リソグラフィー用重合体または重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体リソグラフィー用重合体、または該重合体を含む重合体溶液の製造方法において、原料または生成物と接触する容器として、該容器に対して１０体積％のメタノールで還流した時に、該還流後のメタノール中の各金属イオン不純物濃度が１０ｐｐｂ以下である容器を用いる工程を有する、半導体リソグラフィー用重合体または該重合体を含む重合体溶液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物及び熱架橋剤を含有する高感度、高解像度な厚膜用の化学増幅ポジ型レジスト材料に関する。
【解決手段】（Ａ）ベース樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）熱架橋剤、（Ｄ）有機溶剤を含有し、（Ａ）成分が１００質量部、（Ｂ）成分が０．０５〜２０質量部、（Ｃ）成分が０．１〜５０質量部、（Ｄ）成分が５０〜５，０００質量部からなり、（Ａ）ベース樹脂が、重量平均分子量１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】微細なネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜を露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により発生した塩基と予め供給された酸とを中和させ、未露光部において予め供給された酸の作用により基材成分の現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像しレジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程（５）と、熱処理を行い被覆膜を熱収縮させてパターン間の間隔を狭める工程（６）と、被覆膜を除去する工程（７）とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物は、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性を示し、例えば微細トレンチパターンやホールパターンの側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時に於ける液浸液に対する後退接触角の更なる改善及びウォーターマーク欠陥の低減が可能な液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、（Ｄ）下記一般式（Ｓ１）〜（Ｓ３）で表される群より選択される少なくとも１種の溶剤を全溶剤中３〜２０質量％含有する混合溶剤、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも１種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも１種と、組成物全量に対して０．０１〜２重量％のフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 （もっと読む）

【課題】ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部が良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、及び、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】酸によって分解しカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ａ１）を含む樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含み、繰り返し単位（ａ１）が、酸分解後のカルボキシル基を生じた際の該単位中に含まれる各原子の数を下式に代入し得られる値Ｘが０＜Ｘ≦５であるパターン形成方法。Ｘ＝（酸による分解後の繰り返し単位を構成する原子数の合計）／｛（炭素原子の数）−（炭素原子でも水素原子でもない原子の数）｝ （もっと読む）

【課題】化学増幅レジストの性能を引き出すことにより、高い解像性能と良好なパターン品質を有するレジストパターン付基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に塗布したレジストに、順次ベーク処理（ＰＡＢ処理）、パターン露光処理、露光後ベーク処理（ＰＥＢ処理）、及び現像処理を施してレジストパターンを形成するレジストパターン付基板の製造方法であって、試験用の複数のレジスト付基板に第１のベーク処理をし、第１の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをＰＡＢ処理の条件とし、他の試験用の複数のレジスト層付基板に前記第１の減膜処理で最高の残膜率のときの温度及び時間の条件で第１のベーク処理をした後に第２のベーク処理をし、第２の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをＰＥＢ処理の条件とする。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法において、パターン倒れが発生し難いパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して２０モル％以下である樹脂を含有する第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて基板上に第１の膜を形成する工程、
（イ）前記樹脂組成物（Ｉ）とは異なる第２の樹脂組成物（ＩＩ）であって、
酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いて前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程、
（ウ）前記第１の膜と前記第２の膜とを有する積層膜を露光する工程、及び
（エ）前記露光された積層膜における前記第１の膜と前記第２の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】所望とする収縮率にて縮小化された微細パターンの形成を実現することが可能なパターン形成方法、及び、その方法において用いる架橋層形成用組成物を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大する樹脂、および、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）露光した膜を有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、ネガ型のパターンを形成する工程、及び、（エ）該パターンに、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む樹脂と、架橋成分と、アルコール系溶剤を含有する組成物を塗布し、該パターンを構成する前記樹脂と架橋させて架橋層を形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ｒ_１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。）
（もっと読む）

【課題】基板上の残渣を低減でき、良好な断面形状を有するパターン形成方法の提供。
【解決手段】（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて反射防止膜を形成する工程、（イ）前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いてレジスト膜を形成する工程、（ウ）前記積層膜を露光する工程、及び、（エ）前記露光された積層膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法であって、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、（Ｉ）及び（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）