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Fターム[2H096BA01]の内容

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【課題】フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ用剥離液は、(A)フッ化水素酸、(B)一般式(b−1)で表される塩基性化合物、及び(C)水を含有する。式中、R1bからR5bは、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基等を示し、R1bからR5bの少なくとも1つは水素原子である。R1bからR4bのうちいずれか1つとR5bとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Y1b及びY2bは炭素数1〜3のアルキレン基を示し、nは0〜5の整数を示す。nが2以上のとき、複数のR5b同士及び複数のY1b同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、R5b同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。
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【課題】有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法において、パターン倒れが発生し難いパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】(ア)酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して20モル%以下である樹脂を含有する第1の樹脂組成物(I)を用いて基板上に第1の膜を形成する工程、
(イ)前記樹脂組成物(I)とは異なる第2の樹脂組成物(II)であって、
酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第2の樹脂組成物(II)を用いて前記第1の膜上に第2の膜を形成する工程、
(ウ)前記第1の膜と前記第2の膜とを有する積層膜を露光する工程、及び
(エ)前記露光された積層膜における前記第1の膜と前記第2の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】基板上の残渣を低減でき、良好な断面形状を有するパターン形成方法の提供。
【解決手段】(ア)基板上に第1の樹脂組成物(I)を用いて反射防止膜を形成する工程、(イ)前記反射防止膜上に、第2の樹脂組成物(II)を用いてレジスト膜を形成する工程、(ウ)前記積層膜を露光する工程、及び、(エ)前記露光された積層膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法であって、前記第1の樹脂組成物(I)が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第1の樹脂を含有し、前記第2の樹脂組成物(II)が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第2の樹脂を含有し、(I)及び(II)の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】多層レジストプロセスにおいて、有機溶媒現像の場合に、パターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成させることができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)レジスト下層膜形成用組成物を用い、基板上にレジスト下層膜を形成する工程、(2)フォトレジスト組成物を用い、上記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、(3)上記レジスト膜を露光する工程、及び(4)上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を80質量%以上含有する現像液を用いて現像する工程を有し、上記レジスト下層膜形成用組成物が、[A]ポリシロキサン鎖を含み、カルボキシル基、酸の作用によりカルボキシル基を生じうる基及び酸無水物基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を有する成分を含有するレジストパターン形成方法である。 (もっと読む)


【課題】自動現像機の現像浴や水洗浴等に堆積物の蓄積による汚れが少なく、長時間連続的に製版処理した場合においても、析出物の発生が抑制され、容易に洗浄が可能であり、且つ、得られた再生水は再利用が可能である製版処理廃液のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】感光性平版印刷版の製版処理廃液を、蒸発濃縮装置中で加熱し、発生した水蒸気と製版処理廃液中に含まれる溶解成分とに分離し、分離された水蒸気を凝縮して再生水とする現像処理システムであって、沸点が100℃〜300℃の範囲である有機溶剤を5質量%〜30質量%の範囲で含む現像補充液を、現像浴に補充し、且つ、発生する製版処理廃液を容量基準で、1/2.5〜1/5(=濃縮後の製版処理廃液/濃縮前の製版処理廃液)の範囲に濃縮し、再生水を現像補充液の希釈水またはリンス水の少なくとも一方に使用する製版処理廃液のリサイクル方法。 (もっと読む)


【課題】金属含有膜を用いる多層レジストプロセスにおいて、金属含有膜からの金属溶出を抑制することができるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)被加工基板の上側に金属含有膜を形成する工程、(2)上記金属含有膜上に保護膜を形成する工程、(3)レジスト組成物を用い、上記保護膜上にレジスト膜を形成する工程、(4)フォトマスクを介した露光光の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、(5)上記露光されたレジスト膜の現像により、レジストパターンを形成する工程、及び(6)上記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有するパターン形成方法である。 (もっと読む)


【課題】高解像力で、パターン倒れが抑制され、低ラインエッジラフネスの微細なパターンを形成可能なレリーフパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】(i)フェノール性水酸基を1分子中に2個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される1種以上の置換基を1分子中に1個以上有する分子量400〜2500のフェノール性化合物(A)を、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中に70重量%以上含有するネガ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、露光前レジスト膜を形成する工程、(ii)前記露光前レジスト膜を電子線、イオンビーム、EUV、又はX線でパターン状に露光し、露光後レジスト膜を形成する工程、及び(iii)前記露光後レジスト膜を、有機溶剤を用いて現像する工程を含み、当該有機溶剤は、前記露光前レジスト膜の23℃の溶解速度が0.5nm/sec以上であって、水酸基以外にヘテロ原子を含まないアルコール溶剤である、レリーフパターンの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】超微細の孔径(例えば、60nm以下)を有し、かつ、真円性に優れるホールパターンを、良好な現像時間依存性を以って形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスの提供。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物(B)の含有量が8.0質量%以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。 (もっと読む)


【課題】 超微細の孔径(例えば、60nm以下)を有し、かつ、断面形状に優れるホールパターンを、局所的なパターン寸法の均一性が優れた状態で形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】 (P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を、全繰り返し単位に対して30モル%以上含有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(G)フッ素原子及び珪素原子の少なくとも一方を有するとともに、塩基性を有する又は酸の作用により塩基性が増大する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【化1】


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


【課題】電子デバイス製造における微細パターンの形成を可能にするネガティブトーン現像のための改良されたフォトリソグラフィ方法の提供。
【解決手段】フォトレジスト上塗り組成物、前記上塗り組成物でコーティングされた基体、並びにネガティブトーン現像プロセスによって電子デバイスを形成する方法。即ち(a)パターン形成される1以上の層を含む半導体基体と、(b)前記パターン形成される1以上の層上にフォトレジスト層を形成し、(c)前記フォトレジスト層上にフォトレジスト上塗り組成物をコーティングし、前記上塗り組成物は塩基性クエンチャー、ポリマーおよび有機溶媒を含んでおり、(d)前記層を化学線に露光し、並びに(e)前記露光された膜を有機溶媒現像剤で現像することを含む。 (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して1〜30質量%であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】側鎖にヘテロ原子に結合したカルボニル基(C=O)を有し、カルボン酸基を有さないポリマーを用い、かつ現像液にテトラ置換アンモニウムヒドロキシドを含む水溶液を用いてフォトレジストを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に側鎖にヘテロ原子に結合したカルボニル基を有し、カルボン酸基を有さないポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成る反応現像画像形成法であり、この現像液はテトラ置換アンモニウムヒドロキシド及び低分子アルコールを含む水溶液である。ポリマーの構造により、ポジ型又はネガ型のフォトレジストが得られる。 (もっと読む)


【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に好適に使用され、特にネガ型現像技術において、ラインエッジラフネス、スカムやマイクロブリッジ等の欠陥の発生の無い微細なレジスパターン形成方法を提供することを課題としている。

【解決手段】露光により発生した酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する感放射線性組成物を、下記条件(1)を満足するフィルターを通過させた組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法である。
条件(1):フィルターの臨界表面張力が70dyne/cm以上であり、かつ荷電修飾されていない。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜の面方向における断面形状に関して整形性が良好な(変形度が低い)コンタクトホールを形成できるパターン形成方法、並びに、これを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(1)基板上に、(A)化学増幅型レジスト組成物によって、レジスト膜を形成する工程、(2)露光して、ラインアンドスペースの潜像を形成する工程、(3)第1の加熱処理を行う工程、(4)第2のラインアンドスペースの潜像を、前記第1のラインアンドスペースの潜像におけるライン方向と交差するように形成する工程、(5)第2の加熱処理を行う工程、及び、(6)前記第2の加熱処理が行われたレジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像を行う工程を、この順で有するパターン形成方法、並びに、このパターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】形成された硬化膜の耐久性、耐溶剤性及び未硬化部の現像性のいずれにも優れたネガ型或いはポジ型の感光性組成物、及び、該感光性組成物を含む記録層を備えた、画像部の耐刷性及び耐溶剤性と、非画像部の現像性に優れた平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】(A)下記一般式(I)で表される化合物を含むジオール成分とポリイソシアネート成分とを反応させて得られるポリウレタン、及び(B)感光性成分を含有する感光性組成物。一般式(I)中、Aは単結合又は炭素原子、水素原子、及び酸素原子から選ばれた原子を含んで構成される2価の連結基を表し、Bは一価の有機基を表す。R〜Rはそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を表す。mは0〜3の整数を表し、nは0〜3の整数を表し、m+nが0となることはない。
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【課題】微細なホールパターンを低コストで確実に形成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、インプリント法を用いて、第1の方向に延伸する溝パターンを有するインプリント材料層12aを基板上に形成する工程と、溝パターンをポジ型のレジスト材料で埋める工程と、第1の方向に直交する第2の方向に延伸する透光パターンを有するマスクを介してレジスト材料を露光する工程と、透光パターンを介して露光されたレジスト材料の部分を除去することでホールパターン15を形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像しつつ、当該レジスト膜にレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】現像処理装置30は、ウェハWを収容して処理する処理容器110と、ウェハWを保持して回転させるスピンチャック140と、ウェハW上に有機溶剤を含有する現像液を供給する現像液ノズル160と、ウェハW上にリンス液を供給するリンス液ノズル164と、処理容器110内に酢酸ブチルガスを供給する処理ガス供給部122と、処理容器110内に窒素ガスを供給するパージガス供給部126と、処理容器110内の酢酸ブチルガスの濃度を測定する濃度測定器130と、処理容器110内のガス濃度を所定の濃度に制御する濃度制御部131と、処理容器110から流出した酢酸ブチルガスを再度処理容器110内に供給して循環させるガス循環部151と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ネガ型レジストのパターン形成に際し、ラフネスが小さく、レジストパターンの倒壊やブリッジ形成を招くことなく安定的に微細パターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
(ア)架橋反応によりネガ化する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、および
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むレジストパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、
(A)分子量500〜5000の低分子量化合物、
(B)可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線(EUV)、X線およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的または間接的に酸を発生する酸発生剤、
(C)酸架橋剤、および
(D)溶剤
を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


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