【課題】有機反射防止膜の上に形成されたフォトレジストの現像処理において、フォトレジストと現像液との反応で生じる反応生成物を、短時間でレジストパターンを損傷することなく適切に除去する。
【解決手段】フォトレジストの現像処理は、現像液を用いた現像及び現像液の除去を行う第１工程と、第１工程後に、現像液を用いた現像及び現像液の除去を行う第２工程とを含み、第２の工程によって、上記レジストパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】金属イオン不純物濃度が低く、半導体リソグラフィーに好適に用いることができる、半導体リソグラフィー用重合体または重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体リソグラフィー用重合体、または該重合体を含む重合体溶液の製造方法において、原料または生成物と接触する容器として、該容器に対して１０体積％のメタノールで還流した時に、該還流後のメタノール中の各金属イオン不純物濃度が１０ｐｐｂ以下である容器を用いる工程を有する、半導体リソグラフィー用重合体または該重合体を含む重合体溶液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用出来るだけでなく従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用出来るレジスト下層膜を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）で示される有機ホウ素化合物及びその縮合物からなる群から選ばれる化合物（Ａ）一種以上と、下記一般式（２）で示されるケイ素化合物（Ｂ）一種以上とを含む混合物の縮合物及び／又は加水分解縮合物を含有するものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。
Ｒ^１_ｍ０Ｂ（ＯＨ）_ｍ１（ＯＲ）_{（３−ｍ０−ｍ１）} （１）
Ｒ^１０_ｍ１０Ｒ^１１_ｍ１１Ｒ^１２_ｍ１２Ｓｉ（ＯＲ^１３）_{（４−ｍ１０−ｍ１１−ｍ１２）} （２） （もっと読む）

【課題】本発明は、アルカリ不溶性又は難溶性の高分子化合物及び熱架橋剤を含有する高感度、高解像度な厚膜用の化学増幅ポジ型レジスト材料に関する。
【解決手段】（Ａ）ベース樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）熱架橋剤、（Ｄ）有機溶剤を含有し、（Ａ）成分が１００質量部、（Ｂ）成分が０．０５〜２０質量部、（Ｃ）成分が０．１〜５０質量部、（Ｄ）成分が５０〜５，０００質量部からなり、（Ａ）ベース樹脂が、重量平均分子量１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】ｐＨ１２以下の現像液を用いて良好な現像特性を示し、高い耐刷性及び良好な耐傷性を有し、インキ着肉性が向上した平版印刷版前駆体を提供する。
【解決手段】基体と、該基体上に形成された、水不溶性且つアルカリ性水溶液に可溶性又は分散性の樹脂を含む画像形成層とを含んで成るポジ型平版印刷版前駆体であって、前記画像形成層が、少なくとも下層及び上層を含んで成り、前記下層及び前記上層の一方、又は前記下層及び前記上層の両方の前記樹脂が、酸性水素原子を有する置換基を含む単位及び側鎖にフッ素化されたアルキル又はポリエーテル基を有するジオール残基で表される単位を有するポリウレタンを含むことを特徴とするポジ型平版印刷版前駆体。 （もっと読む）

【課題】化学増幅レジストの性能を引き出すことにより、高い解像性能と良好なパターン品質を有するレジストパターン付基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に塗布したレジストに、順次ベーク処理（ＰＡＢ処理）、パターン露光処理、露光後ベーク処理（ＰＥＢ処理）、及び現像処理を施してレジストパターンを形成するレジストパターン付基板の製造方法であって、試験用の複数のレジスト付基板に第１のベーク処理をし、第１の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをＰＡＢ処理の条件とし、他の試験用の複数のレジスト層付基板に前記第１の減膜処理で最高の残膜率のときの温度及び時間の条件で第１のベーク処理をした後に第２のベーク処理をし、第２の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをＰＥＢ処理の条件とする。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時に於ける液浸液に対する後退接触角の更なる改善及びウォーターマーク欠陥の低減が可能な液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、（Ｄ）下記一般式（Ｓ１）〜（Ｓ３）で表される群より選択される少なくとも１種の溶剤を全溶剤中３〜２０質量％含有する混合溶剤、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【課題】有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法において、パターン倒れが発生し難いパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して２０モル％以下である樹脂を含有する第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて基板上に第１の膜を形成する工程、
（イ）前記樹脂組成物（Ｉ）とは異なる第２の樹脂組成物（ＩＩ）であって、
酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いて前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程、
（ウ）前記第１の膜と前記第２の膜とを有する積層膜を露光する工程、及び
（エ）前記露光された積層膜における前記第１の膜と前記第２の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の残渣を低減でき、良好な断面形状を有するパターン形成方法の提供。
【解決手段】（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて反射防止膜を形成する工程、（イ）前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いてレジスト膜を形成する工程、（ウ）前記積層膜を露光する工程、及び、（エ）前記露光された積層膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法であって、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、（Ｉ）及び（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセスにおいて、有機溶媒現像の場合に、パターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成させることができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）レジスト下層膜形成用組成物を用い、基板上にレジスト下層膜を形成する工程、（２）フォトレジスト組成物を用い、上記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、（３）上記レジスト膜を露光する工程、及び（４）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を８０質量％以上含有する現像液を用いて現像する工程を有し、上記レジスト下層膜形成用組成物が、［Ａ］ポリシロキサン鎖を含み、カルボキシル基、酸の作用によりカルボキシル基を生じうる基及び酸無水物基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有する成分を含有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】高感度であり、保存安定性に優れ、得られる硬化膜の信頼性（特に耐薬品性）に優れ、硬化膜製造の際の露光マージンや現像マージンが広い感光性樹脂組成物等の提供。
【解決手段】 （Ａ）酸分解性基で保護されたカルボキシ基を有するモノマー由来の繰り返し単位、および／または、酸分解性基で保護されたフェノール性水酸基を有するモノマー由来の繰り返し単位（ａ１）と、架橋基を有する繰り返し単位（ａ２）とを、同一の重合体および／または異なる重合体に含む重合体成分（Ｂ）下記一般式（ｂ１）で表されるオキシムスルホネート残基を含む化合物、および（Ｃ）溶剤、を含有し前記溶剤として、少なくとも１種の沸点が１８０℃未満の溶剤と、少なくとも１種の沸点が１８０℃以上の溶剤を含み、（沸点が１８０℃未満の溶剤の合計量）：（沸点が１８０℃以上の溶剤合計量）が質量換算で９９：１〜５０：５０である、感光性樹脂組成物。
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【課題】多層レジストプロセスにおいて、シリコン含有膜のフッ素系ガスエッチングに対する加工性と、酸素系ガスエッチングに対する耐性とを共に高め、微細なパターンを形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）ポリシロキサン組成物を用い、被加工基板の上面側にシリコン含有膜を形成する工程、（２）上記シリコン含有膜上にレジストパターンを形成する工程、（３）上記レジストパターンをマスクとし、上記シリコン含有膜をドライエッチングしてシリコン含有パターンを形成する工程、並びに（４）上記シリコン含有パターンをマスクとし、上記被加工基板をドライエッチングして被加工基板にパターンを形成する工程を有し、上記ポリシロキサン組成物が、［Ａ］フッ素原子を含むポリシロキサン、及び［Ｂ］架橋促進剤を含有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、撥水性、耐溶出性及び溶解性についての特性を満たしつつ、剥がれ耐性及び露光余裕度をバランス良く両立することができる液浸上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ１］下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｉ−１）を有する重合体、［Ａ２］上記［Ａ１］重合体と異なる重合体、及び［Ｂ］溶媒を含有する液浸上層膜形成用組成物である。下記式（ｉ）中、Ｒ^１は、炭素数１〜２０の（ｎ＋１）価の炭化水素基である。ｎは、１〜３の整数である。［Ａ２］重合体の成膜状態での水との後退接触角は、［Ａ１］重合体よりも大きいことが好ましい。
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【課題】金属層の下方に配置されたレジストが、種々の要因によって劣化する。
【解決手段】半導体装置形成方法は、基板上に、第１波長の光で感光する下層レジストおよび第１波長と異なる第２波長の光で感光する上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する段階と、第２波長の光によるフォトリソグラフィを用いて、上層レジストにパターンを形成する段階と、上層レジストのパターンを用いて金属層のパターンを形成する段階と、第１波長の光を金属層のパターンに照射して、近接場光を発生させることにより、金属層のパターンよりも微細なパターンを下層レジストに形成する段階と、下層レジストのパターンを基板上に転写する段階とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】形成したパターンをベークした後であっても矩形または矩形に近いプロファイルが形成可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供することが可能な樹脂を提供する。
【解決手段】主鎖末端にカルボキシル基を含有し、かつ、３員環および／または４員環の環状エーテル基を有する繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶または難溶性で酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となるポジ型感光性アクリル樹脂を用いる。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び／又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び／又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と酸発生剤を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、スルホン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤と、カルボン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
【効果】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基をアセタール保護した繰り返し単位を含む高分子化合物と、高エネルギー線でスルホン酸を発生する化合物及びカルボン酸を発生する化合物を含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴と、ナノエッジラフネスを低減する特徴を有し、このことにより微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、形成されるレジストパターンの耐パターン倒れ性やドライエッチング時におけるレジストパターンに対する高いエッチング選択性を維持しつつ、高い屈折率及び吸光係数を有するレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法並びに重合体を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］電子求引性基が結合する芳香族構造を有する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位、環状カーボネート構造を有する構造単位及び環状イミド構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。 （もっと読む）