【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて側壁部形成のための薄膜が堆積される対象構造を有機材料により形成した場合であっても、均一な側壁部を形成する。
【解決手段】基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をアルカリ性の薬剤に曝す工程と、前記薬剤に曝された前記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する工程とを含むフォトレジストパターン形成方法により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、形成されるレジストパターンの耐パターン倒れ性やドライエッチング時におけるレジストパターンに対する高いエッチング選択性を維持しつつ、高い屈折率及び吸光係数を有するレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法並びに重合体を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］電子求引性基が結合する芳香族構造を有する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位、環状カーボネート構造を有する構造単位及び環状イミド構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、短時間でＰＥＢを行うことができ、それによりスループットの向上や、酸拡散距離を短くすることができることによる解像性の向上が達成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工基板上に波長６００〜２０００ｎｍの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長６００〜２０００ｎｍの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク（ＰＥＢ）を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れ、反射率が低減されたレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式で表される繰り返し単位を有する重合体を含むレジスト下層膜形成用組成物。


式中、Ｒ^１はヒドロキシ基等を示す。ｎは０〜５の整数である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、（Ａ）熱不安定基で保護されたカルボキシル基を有するフラーレン誘導体と、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基とを含有する。水溶性有機溶剤は、双極子モーメントが３．０Ｄ以上である高極性溶剤と、グリコールエーテル系溶剤と、多価アルコールとを含み、上記高極性溶剤とグリコールエーテル系溶剤との合計含有量が、全量に対して３０質量％以上である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、単層レジストプロセス、多層レジストプロセス、サイドウォールスペーサー法用等のレジスト膜の下層のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、現像後のレジストパターンの裾引きが抑制され、また、アンダーカット形状や逆テーパー形状を抑制し、パターン倒れがないレジスト下層膜材料、及びこれを用いてリソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、光及び／又は熱によってスルホン酸を発生する高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化１】
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【課題】水性アルカリ性現像剤中で現像が可能な光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物及び、このような組成物の使用方法を提供する。
【解決手段】光結像性ポジ型底面反射防止膜組成物であって、発色団基、ヒドロキシル及び／またはカルボキシル基、及び酸不安定基を含むポリマー、及び末端ビニルエーテル基を有する架橋剤を含み、更に光酸発生剤を含むかまたは含まない、上記組成物及び、このような組成物の使用方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチングに適したエッチング方法及びエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】
感度に優れると共に、ＭＥＥＦを良好に維持することが可能な化学増幅型レジストであるフォトレジスト組成物の提供
【解決手段】
下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、アルカリ不溶性又はアルカリ難溶性であり、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体（Ａ）および感放射線性酸発生剤（Ｂ）を含有するフォトレジスト組成物。
【化１】
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本発明は、水性アルカリ性現像剤中で現像可能なポジ型底面光像形成性反射防止コーティング組成物であって、発祥団基を有する少なくとも一つの繰り返し単位とヒドロキシル及び／またはカルボキシル基を有する少なくとも一つの繰り返し単位とを含むポリマー、末端にビニルエーテルを有する構造（７）の架橋剤、任意に及び光酸発生剤及び／または酸及び／または熱酸発生剤を含み、ここで構造（７）は、
【化１】


［式中、Ｗは、（Ｃ_１−Ｃ_３０）線状、分枝状もしくは環状アルキル部分、置換されているかもしくは置換されていない（Ｃ_３−Ｃ_４０）脂肪環式炭化水素部分及び置換されているかもしくは置換されていない（Ｃ_３−Ｃ_４０）シクロアルキルアルキレン部分から選択され； Ｒは、Ｃ_１−Ｃ_１０線状もしくは分枝状アルキレンから選択され； そしてｎは≧２である」
である、前記ポジ型底面光像形成性反射防止コーティング組成物に関する。本発明は、更にこのような組成物を使用する方法にも関する。
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【課題】マイクロエレクトロニクスウェハの製造において下地反射防止コーティング層として使用されうる新規な組成物を提供する。下地反射防止コーティング層として使用されることができ、かつ水性フォトレジスト現像剤で除去されうる新たな組成物が特に望まれる。
【解決手段】一形態においては、ジエン／ジエノフィル反応生成物を含む有機コーティング組成物、特に反射防止コーティング組成物を提供する。別の形態においては、ヒドロキシルナフトエ基、例えば、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ基を含む成分を含む、有機コーティング組成物、特に反射防止コーティング組成物を提供する。本発明の好ましい組成物は、基体から上塗りフォトレジスト層に戻る露光放射線の反射を低減させ、および／または平坦化、共形もしくはビアフィル層として機能させるのに有用である。 （もっと読む）

【課題】分光特性に優れた青色画素、感度、解像性、色純度、透過率に優れたカラーフィルタ、及びカラー表示装置を提供する。
【解決手段】複数色の組からなる着色膜のうちの少なくとも一色の組の着色膜が、色材に染料を含有し感光性を付与しないアルカリ現像性着色組成物の塗布膜を硬化してなる着色層（５ａ）と、該着色層の上にアルカリ現像性感光性組成物の塗布膜を硬化してなる感光層（５ｂ）とからなる。色材の染料が青色染料である。青色染料がトリアリールメタン骨格を有する青色染料である。アルカリ現像性樹脂の酸価が、５０〜１５０ｍｇ／ＫＯＨの範囲である。溶剤がケトン類である。 （もっと読む）

【課題】優れた形状を有するパターンを形成することができるレジストパターンの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】以下の（Ａ）〜（Ｄ）の工程；（Ａ）酸に不安定な基を有する樹脂と、光酸発生剤と、架橋剤とを含有する第１のレジスト組成物を用いて、基体上に第１のレジスト膜を形成し、第１のレジスト膜を露光した後、現像することによって、第１のレジストパターンを得る工程、（Ｂ）第１のレジストパターンを１９０〜２５０℃の温度で、１０〜６０秒間加熱する工程、（Ｃ）第２のレジスト組成物を用いて、第１のレジストパターンが形成された基体上に第２のレジスト膜を形成し、第２のレジスト膜を露光する工程、並びに、（Ｄ）現像することによって、第２のレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 より微細なパターンを簡便かつ効率的に形成可能であり、半導体の製造プロセスに適用することのできる、実用性の高いパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、（１）基板上に有機下層膜を成膜し、有機下層膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、（２）フォトレジストパターンに、アルカリ性物質を含むアルカリ性溶液を保持させ、その後過剰なアルカリ性溶液を除去する工程と、（３）フォトレジストパターンに、アルカリ性物質の作用により架橋可能なシロキサンポリマー溶液を塗布して、フォトレジストパターン近傍で架橋させて架橋部を形成する工程と、（４）未架橋のシロキサンポリマー及びフォトレジストパターンを除去する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れ、レジスト膜との密着性に優れるシリコン含有膜を形成でき、裾引き等のないボトム形状に優れるレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物等を提供する。
【解決手段】テトラアルコキシシランの構造単位（ａ１）、式（１）の構造単位（ａ２）、及び式（２）の構造単位（ａ３）を含むポリシロキサンと有機溶媒を含有する組成物。
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【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト膜を用い、１回の露光で密集したドットパターンと孤立ドットパターンを形成し、これを用いてポジネガ反転によってホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工基板上に、酸不安定基の脱離によってアルカリ性現像液可溶になる樹脂、光酸発生剤又はこれと熱酸発生剤、及び有機溶剤を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布しレジスト膜を形成する工程、位相シフトマスクを用いて露光し、露光後加熱しアルカリ性現像液で現像してポジ型パターンを得る工程、パターンを露光又は加熱し、上記樹脂の酸不安定基を脱離させアルカリ溶解性を向上させ、樹脂に架橋を形成させ上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物用の有機溶剤への耐性を与える工程、反転用膜を形成する工程、上記架橋形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含むポジネガ反転を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性に優れた下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる繰り返し単位を有する化合物及び有機溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物。但し、下記一般式（１）中、Ｘは所定の基、ｎは０または１である。
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【課題】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、アウトガスの発生を防ぎ、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、ビスナフトール基を有する化合物を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、該コーティングしたレジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒〜６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 （もっと読む）