【課題】ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部が良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、及び、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】酸によって分解しカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ａ１）を含む樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含み、繰り返し単位（ａ１）が、酸分解後のカルボキシル基を生じた際の該単位中に含まれる各原子の数を下式に代入し得られる値Ｘが０＜Ｘ≦５であるパターン形成方法。Ｘ＝（酸による分解後の繰り返し単位を構成する原子数の合計）／｛（炭素原子の数）−（炭素原子でも水素原子でもない原子の数）｝ （もっと読む）

【課題】塗布欠陥及びパターン欠陥等の欠陥の発生を減少させることのできるリソグラフィー用レジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、前記フィルターが設置されている容器内を減圧下に保持した後、前記フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることを特徴とするリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】塗布欠陥及びパターン欠陥等の欠陥の発生を減少させることのできるリソグラフィー用レジスト組成物を提供する。
【解決手段】リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター３上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることにより、該リソグラフィー用レジスト組成物中の微小粒子を除去するリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。符号１、６、７はタンク、２、４は送液ポンプ、３はフィルター容器、５は充填容器、８はドレイン、９は排出弁、１０は二次側弁を表す。 （もっと読む）

【課題】高解像性で、且つ溶出が抑制されたのネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】基材成分、光塩基発生剤成分及び酸供給成分を含有するレジスト組成物を支持体上にスピンコート法により塗布してレジスト膜を形成する工程（１）、レジスト膜にプレベークを行わず、レジスト膜を露光する工程（２）、工程（２）の後にベークを行い、レジスト膜の露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸供給成分に由来する酸とを中和させ、レジスト膜の未露光部において、酸供給成分に由来する酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）及びレジスト膜をアルカリ現像し、ネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含み、工程（１）の塗布工程において、レジスト液を基板に供給後の回転時間が５０秒以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高感度な化学増幅型レジストとして有用な新規な酸分解性をもつ重合性単量体、これを用いて重合または共重合された重合体、およびそれを用いたレジストおよびそのパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される重合性単量体、およびその重合体。


（式（１）中、Ｒ^２〜Ｒ^１４は、水素、炭化水素基。） （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体ウエハＳＷ上に被加工膜１を形成し、被加工膜１上に反射防止膜２を形成し、反射防止膜２上にレジスト層３を形成してから、レジスト層３の液浸露光、現像およびリンス処理を行うことで、レジストパターン３ａが形成される。その後、レジストパターン３ａをエッチングマスクとして、反射防止膜２および被加工膜１を順次エッチングする。レジスト層３の現像工程では、レジスト層３が現像処理によって除去された部分から反射防止膜２が露出する。現像後のリンス処理を行う際に、レジスト層３から露出する反射防止膜２の表面の撥水性が、レジスト層３の表面３ｂの撥水性と同等以上である。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の１つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】微細なホールパターンを低コストで確実に形成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、インプリント法を用いて、第１の方向に延伸する溝パターンを有するインプリント材料層１２ａを基板上に形成する工程と、溝パターンをポジ型のレジスト材料で埋める工程と、第１の方向に直交する第２の方向に延伸する透光パターンを有するマスクを介してレジスト材料を露光する工程と、透光パターンを介して露光されたレジスト材料の部分を除去することでホールパターン１５を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示される重合性エステル化合物。


【効果】重合性エステル単量体は、波長５００ｎｍ以下、特に波長３００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を改善し、パターン倒れを抑制できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスの提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも１種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】パターン形状、ラフネス性能、及び、オーバー露光マージンに優れたパターンを形成することができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）カチオン部に窒素原子を含み、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩化合物、（Ｃ）下記一般式（Ｃ−Ｉ）により表される化合物、又は、下記一般式（Ｃ−Ｉ）により表される化合物の複数が連結基を介して結合された構造を有する化合物、及び、（Ｇ）溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】黒色のソルダレジストや膜厚が厚いソルダレジストの仕様に対しても、アンダーカットが生じることのないソルダレジストを形成し、高い解像性を有するプリント配線板を提供することを目的とする。
【解決手段】導体パターン３が形成された絶縁基板２上にソルダレジスト４ａを塗布、仮硬化し、露光用マスクフィルム５を介しソルダレジスト４ａを紫外線で露光する工程において、紫外光を選択的に拡散させてソルダレジスト４を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１ａ）又は（１ｂ）で示されるスルホニウム塩。


（Ｒはヘテロ原子を含んでもよい炭素数７〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の１価の炭化水素基を示し、ｎは１〜４の整数を示す。）
【効果】本スルホニウム塩は、親水性の高いフェノール性水酸基やエチレングリコール鎖を有しており、特定アニオンと組み合て用いた場合には液浸水への溶出も少なく、またパターン依存性が少なく、化学増幅型レジスト材料の光酸発生剤として非常に有用。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト層を純水で現像することができる親水性モノマー、およびそれを含む親水性フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の４官能基からなる親水性アクリレートモノマーおよび親水性樹脂は、それぞれ、純水に溶解出来、親水性フォトレジスト組成物を基板表面にスピンコーティングしてフォトレジスト層を形成し、フォトレジスト層を純水で現像することができ、塩基性の現像溶媒の使用により、環境汚染、またフォトリソグラフィに費用がかかるという従来技術の欠陥を克服出来る。 （もっと読む）

【課題】線幅の面内均一性（ＣＤＵ）に優れたパターンを形成することができる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）特定のラクトン構造を有する繰り返し単位と、特定の単環脂環構造を有する繰り返し単位とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する特定構造を有する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線照射の高エネルギー線に感応して酸を発生する特定の構造の繰り返し単位と酸不安定単位を有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物（Ａ）、特定の構造のスルホニウム塩（Ｂ）を共に含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明は、酸拡散の抑制と溶解コントラスト向上を両立し、かつケミカルフレア耐性を高めることにより、微細パターン、特にトレンチ（溝）パターンやホール（穴）パターンのリソグラフィー性能（形状、ＤＯＦ、エッジラフネス）を改善させることができる。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ前寸法等の解像力及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ａ）、酸の作用により分解し、現像液に対する溶解性が変化する樹脂（Ｂ）、及び、活性光線又は放射線の照射により前記化合物（Ａ）が発生する酸と、酸存在下で反応し、共有結合を形成する化合物（Ｃ）を含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（但し、前記樹脂（Ｂ）と化合物（Ｃ）とは同一の化合物であっても良い）、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液浸露光時における疎水性を確保しつつ、アルカリ現像液に対する反応性に優れ、ブロッブ欠陥、ブリッジ欠陥等の現像欠陥の発生を抑制することができる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される基を有する重合体、及び［Ｂ］感放射線性酸発生体を含有する感放射線性樹脂組成物である。また、下記式（１）におけるＡは、炭素数４〜２０の脂環式基又は炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基であることが好ましい。さらに、下記式（１）におけるＱは、下記式（２−１）又は（２−２）で表される基であることが好ましい。
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【課題】ガム現像性、ランニング処理性、耐傷性に優れ、機上現像性、インキ着肉性、感度及び耐刷性のすべての性能が良好である平版印刷版原版及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持体と、ラジカル重合開始剤及びラジカル重合性化合物を含有する画像記録層と、水溶液中で曇点を有するアミノ基及びアミド結合の少なくともいずれかを含むモノマー単位を有する高分子樹脂を含有するオーバーコート層とをこの順に有することを特徴とする平版印刷版原版。 （もっと読む）