【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性（高い限界解像性など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が６以上のアルキル基、炭素数が６以上のシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される１つ以上の基を有する樹脂と、（Ｄ）溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用途のために、改良された（すなわち、低減された）ライン幅ラフネスを有するフォトレジストポリマーを提供する。
【解決手段】ポリマーは、酸脱保護性モノマー、塩基可溶性モノマー、ラクトン含有モノマーおよび光酸生成モノマーを含むモノマー；下記式の連鎖移動剤；並びに場合によって開始剤の重合生成物を含む：


式中、Ｚはｙ価のＣ_１−２０有機基であり、ｘは０または１であり、Ｒ^ｄは置換もしくは非置換のＣ_１−２０アルキル、Ｃ_３−２０シクロアルキル、Ｃ_６−２０アリール、またはＣ_７−２０アラルキルである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のダブルパターニング技術に適用される反転材料として特に適した組成物を提供する。
【解決手段】表面上に形成された感光性樹脂からなるパターン形状の間隙に埋め込む組成物であって、少なくともアリールオキシシラン原料の加水分解縮合物と、溶媒として芳香族化合物を有することを特徴とする間隙埋め込み用組成物。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィーにおいて、リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたＥＵＶ用レジスト組成物、該ＥＵＶ用レジスト組成物の製造方法、および該ＥＵＶ用レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】２４８ｎｍのＫｒＦ光での感度Ｅ０_ＫｒＦが、ＥＵＶ光での感度Ｅ０_ＥＵＶより大きいことを特徴とするＥＵＶ用レジスト組成物。２４８ｎｍのＫｒＦ光での感度Ｅ０_ＫｒＦが、ＥＵＶ光での感度Ｅ０_ＥＵＶより大きくなるように前記レジスト組成物を調製する工程を有することを特徴とするＥＵＶ用レジスト組成物の製造方法。支持体上に、前記ＥＵＶ用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜をＥＵＶ露光する工程、および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像し、当該レジスト膜に形成されるレジストパターンの寸法精度を向上させる。
【解決手段】現像処理装置３０の現像液ノズル１３３には、当該現像液ノズル１３３に現像液を供給する現像液供給ブロック１３６が接続されている。現像液供給ブロック１３６は、内部に現像原液を貯留する現像原液供給源１５０と、内部に有機溶剤を貯留する有機溶剤供給源１６０と、現像原液と有機溶剤を混合して現像液を生成する現像液供給源１７０とを有している。有機溶剤には、現像原液に可溶であり、且つ現像原液と中和反応しないものが用いられる。現像液は、現像原液に対する有機溶剤の濃度が５質量％以下になるように、現像原液と有機溶剤が混合されて生成される。 （もっと読む）

【課題】 パターン形状及び露光ラチチュード（Exposure Latitude）の改善とブリッジ欠陥の低減との両立を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を発生する構造部位（Ｓ１）と、アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する構造部位（Ｓ２）とを備えた繰り返し単位（Ａ）を含んだ樹脂（Ｐ）と、プロトンアクセプター性官能基を有し、且つ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物（ＰＤＡ）とを含有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、レジスト材料として用いることのできるスルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（１）で示されるスルホニウム塩。


（式中、Ｘ、Ｙは重合性官能基を有する基を示す。Ｚはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３３の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３６の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３０の一価の炭化水素基を示すか、あるいはＲ^２及びＲ^３が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。） （もっと読む）

酸に対して不安定な保護基を有する側鎖をもつメタノフラーレン誘導体が記載される。このメタノフラーレン誘導体は、フォトレジスト材料、特にポジティブトーンのフォトレジストとしての用途がある。
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【課題】感度、解像力、パターン形状、ラインウィズスラフネス、ブリッジマージン、倒れマージン、残膜率に優れるレジストパターン形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターンの提供。
【解決手段】架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を露光する工程（２）、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（４）をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターン。 （もっと読む）

【課題】感度、解像力、ラインウィズスラフネスに優れるレジストパターン形成方法およびそれに用いる現像液の提供。
【解決手段】 架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を露光する工程（２）、露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程（４）、現像後に有機溶剤からなる現像後処理液を用いて処理する工程（５）をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】高解像度でラインエッジラフネスが小さく、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すレジスト膜を与えるポジ型レジスト材料を提供する。
【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²はＨ、Ｃ１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、Ｃ６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基。ＲはＨ、Ｃ１〜１２のアルキル基、Ｏ又はＳを有していてもよく、Ｃ２〜１２のアルケニル基、Ｃ２〜１２のアルキニル基、又はＣ６〜１０のアリール基。Ｒ³〜Ｒ⁶はＨ、あるいはＲ³とＲ⁴、Ｒ⁴とＲ⁵、又はＲ⁵とＲ⁶が結合してベンゼン環を形成してもよい。ｍ、ｎは１〜４の整数。） （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が下記一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしていることを特徴とするポジ型レジスト材料。


（式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基又はアルコキシカルボニル基、炭素数６〜１０のアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。ｍは１〜４の整数である。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とラインエッジラフネスが良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、ラクトンがフェノールにおけるＯＨ基の水素と置換された基と酸脱離基とを含むポリマーを有する化学増幅型レジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、レジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。その後、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】光学リソグラフィの解像度を向上させるためのダブルパターニング法などのリソグラフィパターニング法において、アライメントマークのコントラストを改善すること。
【解決手段】第１または第２リソグラフィパターンに色素を付加するリソグラフィダブルパターニングプロセスを伴う、半導体デバイスをリソグラフィにより製造するシステムおよび方法、ならびに製造物が提供される。第１リソグラフィパターンの位置を検出するとともに、それに第２リソグラフィパターンを直接位置合わせするために色素が使用される。この日は、特定の波長または所与の波長帯域において蛍光性、発光性、吸収性、または反射性とすることができる。この波長は、アライメントビームの波長と一致することができる。色素は、第１リソグラフィパターンを、それが放射感応層（例えばレジスト）で上塗りされている場合でも検出できるようにする。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンに生じるラフネスを低減して良好な形状を有するパターン形成方法を実現できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成し、形成したレジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。レジスト膜１０２を構成するレジスト材料には、イオン性の光酸発生剤と、酸脱離基と親水性基とを含む第１のポリマーと、第１のポリマーと比べて光酸発生剤に対する親和性が小さい分子又は第２のポリマーとを含んでいる。 （もっと読む）