【課題】金属イオン不純物濃度が低く、半導体リソグラフィーに好適に用いることができる、半導体リソグラフィー用重合体または重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体リソグラフィー用重合体、または該重合体を含む重合体溶液の製造方法において、原料または生成物と接触する容器として、該容器に対して１０体積％のメタノールで還流した時に、該還流後のメタノール中の各金属イオン不純物濃度が１０ｐｐｂ以下である容器を用いる工程を有する、半導体リソグラフィー用重合体または該重合体を含む重合体溶液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用出来るだけでなく従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用出来るレジスト下層膜を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）で示される有機ホウ素化合物及びその縮合物からなる群から選ばれる化合物（Ａ）一種以上と、下記一般式（２）で示されるケイ素化合物（Ｂ）一種以上とを含む混合物の縮合物及び／又は加水分解縮合物を含有するものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。
Ｒ^１_ｍ０Ｂ（ＯＨ）_ｍ１（ＯＲ）_{（３−ｍ０−ｍ１）} （１）
Ｒ^１０_ｍ１０Ｒ^１１_ｍ１１Ｒ^１２_ｍ１２Ｓｉ（ＯＲ^１３）_{（４−ｍ１０−ｍ１１−ｍ１２）} （２） （もっと読む）

【課題】印刷機上で現像が可能な印刷版の製造に適した重合性コーティング組成物の提供。
【解決手段】本発明のコーティング組成物は、(i)重合性化合物と、(ii)ポリエチレンオキシドセグメントを含むポリマーバインダーとを含み、このポリマーバインダーは、主鎖ポリマーおよびポリエチレンオキシド側鎖を含む少なくとも1つのグラフトコポリマーと、少なくとも1つのポリエチレンオキシドブロックおよび少なくとも1つの非ポリエチレンオキシドブロックを有するブロックコポリマーと、これらの組合せとからなる群から選択される。また本発明は、基体および重合性コーティング組成物を含む画像形成性要素も対象とする。 （もっと読む）

【課題】ｐＨ１２以下の現像液を用いて良好な現像特性を示し、高い耐刷性及び良好な耐傷性を有し、インキ着肉性が向上した平版印刷版前駆体を提供する。
【解決手段】基体と、該基体上に形成された、水不溶性且つアルカリ性水溶液に可溶性又は分散性の樹脂を含む画像形成層とを含んで成るポジ型平版印刷版前駆体であって、前記画像形成層が、少なくとも下層及び上層を含んで成り、前記下層及び前記上層の一方、又は前記下層及び前記上層の両方の前記樹脂が、酸性水素原子を有する置換基を含む単位及び側鎖にフッ素化されたアルキル又はポリエーテル基を有するジオール残基で表される単位を有するポリウレタンを含むことを特徴とするポジ型平版印刷版前駆体。 （もっと読む）

【課題】液浸露光時に於ける液浸液に対する後退接触角の更なる改善及びウォーターマーク欠陥の低減が可能な液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、（Ｄ）下記一般式（Ｓ１）〜（Ｓ３）で表される群より選択される少なくとも１種の溶剤を全溶剤中３〜２０質量％含有する混合溶剤、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【課題】有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法において、パターン倒れが発生し難いパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して２０モル％以下である樹脂を含有する第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて基板上に第１の膜を形成する工程、
（イ）前記樹脂組成物（Ｉ）とは異なる第２の樹脂組成物（ＩＩ）であって、
酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いて前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程、
（ウ）前記第１の膜と前記第２の膜とを有する積層膜を露光する工程、及び
（エ）前記露光された積層膜における前記第１の膜と前記第２の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の残渣を低減でき、良好な断面形状を有するパターン形成方法の提供。
【解決手段】（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて反射防止膜を形成する工程、（イ）前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いてレジスト膜を形成する工程、（ウ）前記積層膜を露光する工程、及び、（エ）前記露光された積層膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法であって、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、（Ｉ）及び（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回折格子を高精度に作製し、単一モード発振を安定して得ることが可能な量子カスケードレーザの製造方法を提供する。
【解決手段】量子カスケードレーザの製造方法は、可撓性を有する樹脂フィルムにマザースタンパを押しつけて、第１の溝パターンの凹凸が反転した第２の溝パターンＰ２を有する樹脂スタンパ２０１を作製する工程と、活性層が半導体基板上に形成されたウエハを作製する工程と、ウエハのうち活性層側の表面にレジスト膜３０４を形成する工程と、樹脂スタンパをレジスト膜３０４に空気圧により押しつけて、第２の溝パターンＰ２の凹凸が反転した第３の溝パターンＰ３をレジスト膜３０４に形成する工程と、レジスト膜３０４をマスクとしてウエハのエッチングを行い、ウエハの表面に回折格子を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】デジタル情報からダイレクト製版が可能であり、良好な耐刷性と耐汚れ性を両立させることが可能な平版印刷版を提供する。
【解決手段】親水性層にノニオン性ポリ（メタ）アクリルアミドと、ジルコニウム化合物、アルミニウム化合物、ニッケル化合物、およびチタン化合物の中から選ばれる少なくとも１種の水溶性金属塩を含有する平版印刷版。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセスにおいて、有機溶媒現像の場合に、パターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成させることができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）レジスト下層膜形成用組成物を用い、基板上にレジスト下層膜を形成する工程、（２）フォトレジスト組成物を用い、上記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、（３）上記レジスト膜を露光する工程、及び（４）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を８０質量％以上含有する現像液を用いて現像する工程を有し、上記レジスト下層膜形成用組成物が、［Ａ］ポリシロキサン鎖を含み、カルボキシル基、酸の作用によりカルボキシル基を生じうる基及び酸無水物基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有する成分を含有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、撥水性、耐溶出性及び溶解性についての特性を満たしつつ、剥がれ耐性及び露光余裕度をバランス良く両立することができる液浸上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ１］下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｉ−１）を有する重合体、［Ａ２］上記［Ａ１］重合体と異なる重合体、及び［Ｂ］溶媒を含有する液浸上層膜形成用組成物である。下記式（ｉ）中、Ｒ^１は、炭素数１〜２０の（ｎ＋１）価の炭化水素基である。ｎは、１〜３の整数である。［Ａ２］重合体の成膜状態での水との後退接触角は、［Ａ１］重合体よりも大きいことが好ましい。
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【課題】多層レジストプロセスにおいて、シリコン含有膜のフッ素系ガスエッチングに対する加工性と、酸素系ガスエッチングに対する耐性とを共に高め、微細なパターンを形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）ポリシロキサン組成物を用い、被加工基板の上面側にシリコン含有膜を形成する工程、（２）上記シリコン含有膜上にレジストパターンを形成する工程、（３）上記レジストパターンをマスクとし、上記シリコン含有膜をドライエッチングしてシリコン含有パターンを形成する工程、並びに（４）上記シリコン含有パターンをマスクとし、上記被加工基板をドライエッチングして被加工基板にパターンを形成する工程を有し、上記ポリシロキサン組成物が、［Ａ］フッ素原子を含むポリシロキサン、及び［Ｂ］架橋促進剤を含有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】現像スピードを低下させることなく、現像カスの発生が抑制され、耐汚れ性及び着肉性に優れた平版印刷版を与える平版印刷版原版及びそれを用いる平版印刷版の作製方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、感光層及び保護層をこの順に有する平版印刷版原版であって、前記感光層が増感色素、重合開始剤、重合性化合物及びバインダーポリマーを含有し、前記保護層が下記一般式（１）で表される繰り返し単位及び下記一般式（２）で表される繰り返し単位を有するポリマーであって、且つ、一般式（１）で表される繰り返し単位と一般式（２）で表される繰り返し単位の合計が当該ポリマーを構成する全繰り返し単位に対して９０モル％以上であるポリマーを含有する平版印刷版原版。


一般式（１）及び一般式（２）中、Ｒ_１及びＲ_４は各々水素原子又はメチル基を表す。Ｒ_２及びＲ_３は、同一でも異なってもよく、各々水素原子、メチル基又はエチル基を表す。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性（高い限界解像性など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が６以上のアルキル基、炭素数が６以上のシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される１つ以上の基を有する樹脂と、（Ｄ）溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】印刷スタート時の損紙を減少し、印刷物にムラを発生させないための、機上現像型平版印刷版原版の簡易な印刷方法を提供する
【解決手段】下記（ｉ）から（ｖ）の工程順に行う印刷方法。
（ｉ）機上現像型平版印刷版原版を画像様に露光し、印刷機の版胴に装着する。
（ｉｉ）印刷機の湿し水供給手段である水着けローラー、水着けローラーに水を給水するローラー、水量を安定化させるためのローラー、及びメータリングローラーの少なくとものいずれかに、湿し水及び有機溶剤を含む水溶液の少なくともいずれかをスプレー供給する。
（ｉｉｉ）給水ローラーを回転させる。
（ｉｖ）水着けローラーを平版印刷版原版に接触させ、湿し水を供給する。
（ｖ）平版印刷版原版にインキ着けローラーから印刷インキを供給し、印刷用紙を供給する。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を用いる多層レジストプロセスにおいて、金属含有膜からの金属溶出を抑制することができるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）被加工基板の上側に金属含有膜を形成する工程、（２）上記金属含有膜上に保護膜を形成する工程、（３）レジスト組成物を用い、上記保護膜上にレジスト膜を形成する工程、（４）フォトマスクを介した露光光の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、（５）上記露光されたレジスト膜の現像により、レジストパターンを形成する工程、及び（６）上記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【目的】高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法を提供する。
【構成】荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入し、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画し、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出し、複数の領域毎に、描画開始からポストエクスポージャーベークの開始までの経過時間を算出し、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定し、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でポストエクスポージャーベークを行い、化学増幅型レジストを現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）