【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用出来るだけでなく従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用出来るレジスト下層膜を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１）で示される有機ホウ素化合物及びその縮合物からなる群から選ばれる化合物（Ａ）一種以上と、下記一般式（２）で示されるケイ素化合物（Ｂ）一種以上とを含む混合物の縮合物及び／又は加水分解縮合物を含有するものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。
Ｒ^１_ｍ０Ｂ（ＯＨ）_ｍ１（ＯＲ）_{（３−ｍ０−ｍ１）} （１）
Ｒ^１０_ｍ１０Ｒ^１１_ｍ１１Ｒ^１２_ｍ１２Ｓｉ（ＯＲ^１３）_{（４−ｍ１０−ｍ１１−ｍ１２）} （２） （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物は、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性を示し、例えば微細トレンチパターンやホールパターンの側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部が良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、及び、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】酸によって分解しカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ａ１）を含む樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含み、繰り返し単位（ａ１）が、酸分解後のカルボキシル基を生じた際の該単位中に含まれる各原子の数を下式に代入し得られる値Ｘが０＜Ｘ≦５であるパターン形成方法。Ｘ＝（酸による分解後の繰り返し単位を構成する原子数の合計）／｛（炭素原子の数）−（炭素原子でも水素原子でもない原子の数）｝ （もっと読む）

【課題】有機溶媒を含む現像液を用いた場合においてミッシングコンタクトホールの発生が抑制され、リソグラフィー特性に優れる感放射線性樹脂組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるネガ型レジストパターン形成方法用の感放射線性樹脂組成物であって、［Ａ］酸解離性基を有するベース重合体、［Ｂ］［Ａ］重合体よりフッ素原子含有率が高い重合体、［Ｃ］感放射線性酸発生体、［Ｄ］溶媒、及び［Ｅ］［Ｄ］溶媒の比誘電率よりも１５以上大きい比誘電率を有する化合物を含有し、上記［Ａ］重合体が、下記式（１）で表される構造単位を有し、上記［Ｅ］化合物が、［Ａ］重合体１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下含有することを特徴とする。
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【課題】基板上の残渣を低減でき、良好な断面形状を有するパターン形成方法の提供。
【解決手段】（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて反射防止膜を形成する工程、（イ）前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いてレジスト膜を形成する工程、（ウ）前記積層膜を露光する工程、及び、（エ）前記露光された積層膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法であって、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、（Ｉ）及び（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望とする収縮率にて縮小化された微細パターンの形成を実現することが可能なパターン形成方法、及び、その方法において用いる架橋層形成用組成物を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大する樹脂、および、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）露光した膜を有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、ネガ型のパターンを形成する工程、及び、（エ）該パターンに、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む樹脂と、架橋成分と、アルコール系溶剤を含有する組成物を塗布し、該パターンを構成する前記樹脂と架橋させて架橋層を形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ｒ_１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。）
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【課題】有機溶剤現像によるネガ型のパターン形成方法において、パターン倒れが発生し難いパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位の含有量が、樹脂中の全繰り返し単位に対して２０モル％以下である樹脂を含有する第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて基板上に第１の膜を形成する工程、
（イ）前記樹脂組成物（Ｉ）とは異なる第２の樹脂組成物（ＩＩ）であって、
酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する樹脂及び
活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いて前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程、
（ウ）前記第１の膜と前記第２の膜とを有する積層膜を露光する工程、及び
（エ）前記露光された積層膜における前記第１の膜と前記第２の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセスにおいて、有機溶媒現像の場合に、パターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成させることができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）レジスト下層膜形成用組成物を用い、基板上にレジスト下層膜を形成する工程、（２）フォトレジスト組成物を用い、上記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、（３）上記レジスト膜を露光する工程、及び（４）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を８０質量％以上含有する現像液を用いて現像する工程を有し、上記レジスト下層膜形成用組成物が、［Ａ］ポリシロキサン鎖を含み、カルボキシル基、酸の作用によりカルボキシル基を生じうる基及び酸無水物基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有する成分を含有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】表面荒れ、ブリッジ欠陥、または未解像などの不具合が無い、微細なネガ型フォトレジストパターンを形成できる組成物と、それを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられる微細パターン形成用組成物であって、繰り返し単位中に、
【化１】


のいずれかの構造を含むポリマーと、溶剤とを含んでなる組成物。有機溶剤現像液で現像して得られるネガ型フォトレジストパターンにその組成物を塗布し、加熱することによって、微細なパターンを形成させる。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性（高い限界解像性など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が６以上のアルキル基、炭素数が６以上のシクロアルキル基、炭素数が９以上のアリール基、炭素数が１０以上のアラルキル基、少なくとも１個の炭素数３以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも１個の炭素数５以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される１つ以上の基を有する樹脂と、（Ｄ）溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、スルホン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤と、カルボン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
【効果】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基をアセタール保護した繰り返し単位を含む高分子化合物と、高エネルギー線でスルホン酸を発生する化合物及びカルボン酸を発生する化合物を含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴と、ナノエッジラフネスを低減する特徴を有し、このことにより微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することを可能とする。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び／又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び／又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と酸発生剤を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高解像力で、パターン倒れが抑制され、低ラインエッジラフネスの微細なパターンを形成可能なレリーフパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される１種以上の置換基を１分子中に１個以上有する分子量４００〜２５００のフェノール性化合物（Ａ）を、当該ネガ型レジスト組成物の全固形分中に７０重量％以上含有するネガ型レジスト組成物を基板上に塗布した後、加熱処理し、露光前レジスト膜を形成する工程、（ｉｉ）前記露光前レジスト膜を電子線、イオンビーム、ＥＵＶ、又はＸ線でパターン状に露光し、露光後レジスト膜を形成する工程、及び（ｉｉｉ）前記露光後レジスト膜を、有機溶剤を用いて現像する工程を含み、当該有機溶剤は、前記露光前レジスト膜の２３℃の溶解速度が０．５ｎｍ／ｓｅｃ以上であって、水酸基以外にヘテロ原子を含まないアルコール溶剤である、レリーフパターンの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径（例えば、６０ｎｍ以下）のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｃ）の含有量が１．０質量％以上であり、かつ前記化合物（Ｃ）の前記化合物（Ｂ）に対するモル比率［Ｃ］／［Ｂ］が０．４０以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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