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Fターム[2H096GA04]の内容

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Fターム[2H096GA04]に分類される特許

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【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位(a1)とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を1つ以上含む繰り返し単位(a2)とを含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式(1)の繰り返し単位a1及び/又はa2を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
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【課題】良好なラインウィズスラフネス(Line Width Roughness:LWR)を有し、かつ矩形なプロファイルを有するパターンを形成し得るパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】(ア)基板上に第1の樹脂組成物(I)を用いて第1の膜を形成する工程、
(イ)前記第1の膜上に、前記樹脂組成物(I)とは異なる第2の樹脂組成物(II)を用いて第2の膜を形成する工程、
(ウ)前記第1の膜と前記第2の膜とを有する積層膜を露光する工程、及び
(エ)前記露光された積層膜における前記第1の膜と前記第2の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】高感度、高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス(LER))、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、レジスト膜、及びレジスト塗布マスクブランクスを提供することにある。
【解決手段】非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物(A)、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)、及び、酸の作用により前記高分子化合物(A)を架橋する架橋剤(C)を含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程(1)、該膜を露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程(4)をこの順番で有する、レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、レジスト膜、及びレジスト塗布マスクブランクス。 (もっと読む)


【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いメチルイソブチルケトンからなる溶媒Bとを含む。 (もっと読む)


【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高いアルコール溶媒Bと、酢酸−n−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Cとを含む。 (もっと読む)


【課題】所定の組成を有するレジスト層を用いて、所望の解像度を示すレジストパターンを形成する際の必要露光量の低減。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるアルコール溶媒Aと、酢酸−n−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Bとを含むレジスト現像剤。 (もっと読む)


【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、アルコール溶媒Aと、メチルイソブチルケトンからなる溶媒Bとを含む。 (もっと読む)


【課題】所定の組成を有するレジスト層に対して所望の解像度をもたらしつつも、レジストパターンを形成する際の必要露光量を低減させる。
【解決手段】α−クロロアクリル酸エステルとα−メチルスチレンとの重合体を含むレジスト層にエネルギービームを照射して露光して、現像を行う際に用いられるレジスト現像剤であって、フルオロカーボンを含む溶媒Aと、前記溶媒Aよりも前記レジスト層に対する溶解度が高い酢酸−n−アミル又は酢酸エチル又はそれらの混合物からなる溶媒Bとを含む。 (もっと読む)


【課題】 高い寸法安定性と十分な機械強度を有し、かつ微細なパターニングが可能な優れた感光性を付与することが可能な多孔質ポリイミド樹脂膜を得ることができる樹脂組成物、及びこれらの樹脂組成物を用いて得られる多孔質ポリイミド、当該多孔質ポリイミドからなる保護膜を有するプリント配線板を提供する。
【解決手段】 ポリイミド前駆体溶液及び下記(a)〜(e)の要件を充足する空孔形成剤を含有する樹脂組成物を用いることで、所望の多孔質ポリイミドを得ることができる。
(a)重量平均分子量1000〜200万
(b)前記ポリイミド前駆体溶液に難溶乃至は不溶
(c)窒素雰囲気下で加熱したときの質量減少率が50%となるときの温度(以下、「熱分解温度」という)が350℃以下
(d)アスペクト比1.0〜2.0、
(e)平均粒径100nm〜10μm (もっと読む)


【課題】 高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、線幅バラツキ(LWR)、フォーカス余裕度(DOF)およびパターン形状に優れる感活性光線または感放射線性樹脂組成物組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 感活性光線または感放射線樹脂組成物を基板上に塗布して膜を形成する工程、マスクを介して該膜を選択的に露光する工程、及び有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法であり、該感活性光線または感放射線樹脂組成物が、(A)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、(B)活性光線または放射線の照射によりフッ素原子を含有する酸を発生する光酸発生剤、および(C)溶剤を含有してなり、光酸発生剤(B)の含有率が、該組成物の全固形分を基準として8〜20質量%であるパターン形成方法。 (もっと読む)


エステル炭化水素成分、エーテル炭化水素成分、アルコール炭化水素成分を含む、フレキソ印刷版を現像するためのポリマーウォッシュアウト溶剤。本発明のウォッシュアウト溶剤は、既知の溶剤よりも有害な特性が少ない。洗浄工程においてフレキソ印刷版を現像するための、ポリマーウォッシュアウト溶剤の使用。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。
【解決手段】架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程をこの順で有するレジストパターンの形成方法において、現像液が有機溶剤として、露光前のレジスト膜に対して良溶媒となる溶剤(S−1)及び露光前のレジスト膜に対して貧溶媒となる溶剤(S−2)を含有し、沸点について、溶剤(S−2)>(S−1)の関係を満足することを特徴とするレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。 (もっと読む)


処理液を用いて、フレキソグラフレリーフ印刷版を提供する。この溶液は、ジイソプロピルベンゼン、及び、少なくとも1種は脂肪族二塩基酸エステルである、1種又は複数の有機共溶媒を含む。処理液はまた、共溶媒として1種以上のアルコールを含んでもよい。 (もっと読む)


【課題】半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフォトファブリケーション工程等に使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少するレジスト組成物を塗布することで、膜を形成し、前記膜を液浸媒体を介して露光し、ネガ型現像液を用いて現像を行うことを含み、前記組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有し、かつ、アルカリ可溶性基、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する基、及び特定の繰り返し単位、のいずれかを有する樹脂を含有するパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】アニオン再生剤を含有しないことによる、形成されたフォトレジストの物性低下防止。
【解決手段】カルボニル基(C=O)を主鎖に有するポリマーに、ジアゾナフトキノン化合物などの光酸発生剤のみを混合して成膜し、紫外線を照射して現像すると、従来よりも低い露光量で、従来と同様のネガ型フォトレジストを形成することができる。即ち、本発明は、基板上に、ヘテロ原子に結合したカルボニル基(C=O)を主鎖に含む縮合型ポリマー及び光酸発生剤を含み、アニオン再生剤を含まないフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成り、該現像液がテトラ置換アンモニウムヒドロキシド、低分子アルコール及び水を含む溶媒から成る反応現像画像形成法である。 (もっと読む)


【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】(ア)基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、(イ)露光工程、及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 (もっと読む)


【課題】架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する感光性組成物を使用したフォトリソグラフィ方法において、感度、解像度、パターン形状、残膜率などの現像性を向上させることができる現像液組成物を提供する。
【解決手段】架橋性官能基を有するポリアリーレン樹脂を含有する感光性組成物を使用したフォトリソグラフィ方法において、前記ポリアリーレン樹脂に対する良溶媒および貧溶媒を含有する現像液組成物を用いて現像を行う。 (もっと読む)


【課題】超微細領域での高感度、高解像性、良好なパターン形状、残膜率を満足できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂を有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又はEUV光を用いて露光する工程(2)、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程(4)をこの順番で有することを特徴とする、パターンの形成方法。 (もっと読む)


【課題】ナノエッジラフネスに優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能なレジストパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、その膜厚が50nm以下であるレジスト膜を選択的に露光するとともに、有機溶剤を含有する水溶液であるレジストパターン形成用現像液を用いて現像することを含むレジストパターン形成方法である。 (もっと読む)


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