【課題】洗浄水中の多価金属イオン濃度を一定の濃度に保持することで現像残渣のない優れた現像性を常に安定して保つことができる感光性樹脂の現像方法を提供すること。
【解決手段】基板１表面に感光性樹脂２を被着する第１の工程と、次に被着された前記感光性樹脂２を所定のパターンに露光する第２の工程と、次に露光された前記感光性樹脂２を所定のパターンに現像液で現像する第３の工程と、次に現像された前記感光性樹脂２を純水で洗浄する第４の工程と、次に純水で洗浄された前記感光性樹脂２を所定の化合物が飽和状態で溶解し該化合物から溶出した多価金属イオンが一定の濃度に保持された洗浄水で洗浄する第５の工程とを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノズル支持アームをその長手方向軸を中心として回転させることができる場合でも、ノズルに接続される配管における配管抵抗を小さくすることができ、またこの配管の占めるスペースを小さくすることにより省スペース化を図ることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２は、当該ノズル支持アーム８２の移動方向に沿った長手方向軸を中心として回転可能となっており、ノズル支持アーム８２は、ノズル８２ａに流体を送るための配管８３ｐ〜８３ｕを有し、配管８３ｐ〜８３ｕは可撓性材料から形成されている。配管８３ｐ〜８３ｕは、ノズル支持アーム８２が退避位置にあるときにノズル支持アーム８２の後端部で当該ノズル支持アーム８２の延びる方向に直交する平面上で渦巻き形状となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含む現像液によるネガ型パターン形成において、感度、現像欠陥低減、パターン形状のいずれにも優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）第三級アルコールとを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ブリッジ前寸法等の解像力、ＤＯＦに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用により分解してアミド基又はチオアミド基を生じる樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の処理を行う処理部を複数備えた基板処理装置において、複数の基板処理を効率よく行う。
【解決手段】現像装置３０は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２１０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体２２０とを備えた処理部１３０と、ウェハＷ上に第１の現像液を吐出する第１の現像液ノズル１５１と、ウェハＷ上に第２の現像液を吐出する第２の現像液ノズル１５２と、第１の現像液ノズル１５１と第２の現像液ノズル１５２を共に支持する共有アーム１５０とを有している。第１の現像液ノズル１６１から斜め下方に吐出される第１の現像液の吐出方向と第２の現像液ノズル１６２から斜め下方に吐出される第２の現像液の吐出方向は、平面視において、それぞれウェハＷの回転方向と同一方向である。 （もっと読む）

【課題】解像力が高く、ＬＷＲを低減でき、パターン形状に優れるパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）（Ａ）酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｃ）溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、
を含むパターン形成方法であって、
前記樹脂（Ａ）が、極性基が酸の作用により分解し脱離する脱離基で保護された構造を有し、
前記脱離基がケイ素原子を含有する、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストの現像工程において、半導体ウエハの裏面への汚れの付着を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ（半導体ウエハ）の表面に塗布されたフォトレジストを現像した後（ステップＳ１１）、ウエハが回転している状態で、フォトレジストに第１のリンス液を吐出しながら、ウエハの裏面に第２のリンス液を吐出することにより、フォトレジストとウエハの裏面とを洗浄する（ステップＳ１２、Ｓ１３）。その後、ウエハが回転している状態で、第１のリンス液の吐出と第２のリンス液の吐出とを停止させて（ステップＳ１４、Ｓ１５）ウエハを乾燥させた後、ウエハの回転加速度を制御しながら、ウエハの回転を減速して停止させる（ステップＳ１６）。 （もっと読む）

【課題】低温の現像液を用いた現像処理を基板面内で均一に行い、基板上に所定のパターンを適切に形成する。
【解決手段】先ず、冷却装置において、１５℃に温度調節された冷却板に基板を載置して冷却する（ステップＳ１）。その後、現像装置において、３℃のリンス液を基板に供給して、基板を冷却する（ステップＳ２）。その後、基板上に３℃の現像液を供給し、基板上のレジスト膜を現像して当該レジスト膜にレジストパターンを形成する（ステップＳ３）。その後、基板上に３℃のリンス液を供給して、基板の表面を洗浄する（ステップＳ４）。その後、基板上に３℃の処理液を供給して、基板のレジストパターン上のリンス液の表面張力を低下させる（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】膜の破断強度及び水性インキ転移性に優れるレリーフ印刷版を得ることができ、印刷版のレーザー彫刻時に発生する彫刻カスのリンス性及びレーザー彫刻における彫刻感度に優れるレーザー彫刻用樹脂組成物、前記レーザー彫刻用樹脂組成物を用いたレリーフ印刷版原版、それを用いたレリーフ印刷版の製版方法、及び、それにより得られたレリーフ印刷版を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）加水分解性シリル基及び／又はシラノール基を有する化合物と、（成分Ｂ）バインダーポリマーとして、ポリウレタンと、を含有することを特徴とするレーザー彫刻用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストパターンが形成された基板からリンス液を除去する際にパターン倒れを防止でき、また、疎水化剤の使用量を低減し、基板処理を行う際の処理コストを低減できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程Ｓ１２と、レジストパターンを疎水化する第１の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程Ｓ１４〜Ｓ１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】水置換工程における現像液から水洗水への水置換の際に、水洗槽に混入した現像液の成分が、循環して基板に汚れを発生させない現像装置を提供する。
【解決手段】水置換工程の水置換槽Ｓ４へ水洗水を供給する循環タンクＳＴ１に、循環タンク内の水洗水の現像液成分による汚染度を計測する測定器４０を備え、測定器で計測された汚染度が予め設定された公差外となった際に、循環タンク内の水洗水の排水Ｄ３及び循環タンク内へ水洗槽から回収された水洗水の補充を行い、汚染度を公差内に調整する。現像液成分による汚染度として水洗水の導電率を用いる。循環タンクとして２基の循環タンクを並列に設け、一方の循環タンク内の水洗水の汚染度が公差外となった際に、他方の循環タンクに切り換えること。 （もっと読む）

【課題】現像時に、処理液をミスト状に発生させてレジスト膜の現像を行うために、スプレー現像のような現像液の液滴によるレジストへのインパクト（衝撃）や、パドル現像のような基板に盛った現像液を振り切る際の現像液との摩擦によるパターン倒壊がなく、良好なレジスト膜のパターンを形成するパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。
【解決手段】フォトマスクまたは半導体製造の微細加工におけるレジストのパターン形成方法において、現像液及び処理液をミスト状に発生させてレジストのパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】印刷版の現像処理時に当該印刷版の表面に不純物が付着するのをさらに抑制することを可能とする。
【解決手段】感光性樹脂版Ａに活性光線を照射して露光部と未露光部とを形成する露光工程と、露光された感光性樹脂版Ａを載置台２０に固定して現像液を供給し、かつ、感光性樹脂版Ａと未露光部除去装置２１とを接触させ、感光性樹脂版Ａに該未露光部除去装置２１を相対的に動作させて未露光部を除去する現像工程と、相対的な動作を継続させたまま未露光部除去装置２１と当該感光性樹脂版Ａとを引き離して非接触状態とする工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの倒壊を抑制する基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、基板上にレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、レジスト膜を露光する露光工程と、露光工程の後、基板を処理室２０内に収容し、処理室２０の外部で生成したイオンを含むガスを処理室２０内に導入し、イオンを含む雰囲気中でレジスト膜に現像液を供給しレジスト膜を現像する現像工程と、現像工程の後、イオンを含む雰囲気に維持された処理室２０内でレジスト膜にリンス液を供給しレジスト膜を洗浄するリンス工程と、リンス工程の後、レジスト膜を乾燥する乾燥工程とを備えた。 （もっと読む）

【課題】超微細領域での高感度、高解像性、良好なパターン形状、残膜率を満足できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂を有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又はＥＵＶ光を用いて露光する工程（２）、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（４）をこの順番で有することを特徴とする、パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】現像液を基板に均一性高く供給して、歩留りの低下を抑えることができる現像装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後の基板を水平に保持する基板保持部と、現像液の前記基板への濡れ性を高めるための表面処理液を霧化させる表面処理液霧化手段と、霧化した前記表面処理液を前記基板に噴霧する第１の噴霧ノズルと、前記表面処理液が噴霧された基板に現像液を吐出して現像を行うための現像液吐出ノズルと、を備えるように現像装置を構成する。霧化した表面処理液は、液状のままの表面処理液に比べて、基板に対する表面張力が低いので、基板上で凝集することが抑えられるため、容易に基板全体に供給することができ、基板の濡れ性を高めることができる。その結果として、現像液を均一性高く基板に供給することができ、歩留りの低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、現像欠陥を解消した電子デバイスを得るためのレジストパターン形成方法であって、簡便で低コスト、かつ高速スキャン可能な高撥水性を付与することが可能なプロセスを提供することを目的とする。
【解決手段】レジスト膜に液浸露光を施す工程と、液浸露光を施したレジスト膜を、アルカリ現像液に可溶化する工程と、アルカリ現像液に可溶化したレジスト膜をアルカリ浸漬により現像する工程と、現像したレジスト膜に対して純水リンス処理を行なう工程とをこの順で含み、アルカリ現像液に可溶化する工程は、液浸露光を施したレジスト膜を紫外線照射することなくオゾンガスに晒して行なう（以下、オゾン処理ということがある）ことを特徴とするレジストパターン形成方法に関する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、洗浄溶液を半導体ウエハの一以上の表面に供する最適化されたすすぎ洗浄システム及び方法を供する。本発明の実施例は、製造サイクルにおける様々な時点でのウエハの処理に適用されて良い。前記ウエハは一層以上の金属層を有して良い。
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半導体基板処理動作中に流体を吐出する第１側部および第２側部を有する筐体を備える。筐体は第１処理ステーションおよび第２処理ステーションを備える。第２処理ステーションは第１処理ステーションと隣り合って配置される。さらに、基板処理装置は、第１側部と第１処理ステーションとの間に配置され、第１処理ステーションに流体を供給するように構成された第１吐出アームと、第２側部と第２処理ステーションとの間に配置され、第２処理ステーションに流体を供給するように構成された第２吐出アームと、を含む。基板処理装置は、第１処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第１リンスアームおよび第２処理ステーションにリンス流体を供給するように構成された第２リンスアームをも含む。 （もっと読む）