【課題】 加熱処理中に生ずる昇華物の析出が有効に防止される加熱処理装置を実現する。
【解決手段】 基板３を加熱すると、基板３の表面に塗布されたレジスト液などから溶剤が気化しあるいは樹脂から昇華したものが天板１０の下面のフッ素樹脂被膜１１で凝集する。凝集物はフッ素樹脂被膜１１の表面に形成されるため微細な径となるが、更にフッ素樹脂被膜は滑りやすいので、傾斜に沿って移動し、天板１０の端部から下方に落下する。凝集液滴が落下する位置は基板３よりも外側にしているため、歩留り低下の原因にはならない。 （もっと読む）

【課題】 化学増幅型のレジストが塗布され、例えば低加速の電子ビームにより露光された基板を加熱処理するにあたり、レジストの化学増幅反応を促進させて線幅精度の高いレジストパターンを形成すること
【解決手段】 表面にレジストの酸触媒反応を促進させるためのレジスト改質流体例えばグリセリンなどが供給された基板を基板載置部である載置台３に載置した状態で加熱手段をなすヒータ３３及び５１により加熱する構成とする。この場合、露光領域内での酸の活動を活発にすることができるので、結果として例えば低加速の電子ビームにしょり露光したレジストであっても現像後において基板の表面に線幅精度の高いレジストパターンを形成することができる。 （もっと読む）