【課題】微細なパターンを有し且つ優れた信頼性を有するソルダーレジストを表面に備えるプリント配線板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】開口を有するソルダーレジストを表面に備えるプリント配線板の製造方法であって、ドライフィルムレジストして機能する第一の感光性樹脂組成物からなる第一の層を形成する工程、ソルダーレジストとして機能する第二の感光性樹脂組成物からなる第二の層を形成する工程とを備えるプリント配線板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】微細なネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、レジスト膜を露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により発生した塩基と予め供給された酸とを中和させ、未露光部において予め供給された酸の作用により基材成分の現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像しレジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と、レジストパターン上に被覆形成剤を塗布して被覆膜を形成する工程（５）と、熱処理を行い被覆膜を熱収縮させてパターン間の間隔を狭める工程（６）と、被覆膜を除去する工程（７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】膜パターンの倒れを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板上に低ガラス転移温度材料膜と高ガラス転移温度材料膜との積層膜を形成する工程と、前記積層膜上に加熱下で上層膜を形成する工程と、前記上層膜をパターニングする工程と、前記上層膜をマスクとして前記積層膜をパターニングする工程と、前記上層膜をウェットエッチング処理により除去する工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】所望とする収縮率にて縮小化された微細パターンの形成を実現することが可能なパターン形成方法、及び、その方法において用いる架橋層形成用組成物を提供する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大する樹脂、および、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）露光した膜を有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、ネガ型のパターンを形成する工程、及び、（エ）該パターンに、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む樹脂と、架橋成分と、アルコール系溶剤を含有する組成物を塗布し、該パターンを構成する前記樹脂と架橋させて架橋層を形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ｒ_１は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルコキシカルボニル基を表す。）
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【課題】現在の露光光源の露光限界（解像限界）を超えるパターンサイズのパターンを被加工面に形成することができるパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、前記第１のレジストパターンの表面を覆うように、被覆材料による被覆層を形成する被覆層形成工程と、第２のレジストパターンを形成する第２のレジストパターン形成工程とを含むパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを有し且つ優れた信頼性を有するソルダーレジストを表面に備えるプリント配線板を効率的に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプリント配線板の製造方法は、（Ｉ）プリント配線板上に第一の感光性樹脂組成物で第一のパターンを形成する工程と、（ＩＩ）第一のパターンの少なくとも一部を覆うように、プリント配線板上に第二の感光性樹脂組成物で第二のパターンを形成する工程と、（ＩＩＩ）第二のパターンに対して第一の紫外線硬化処理及び第一の熱硬化処理を施す工程と、（ＩＶ）デスミア処理によって第二のパターンを研削して第一のパターンを露出させる工程と、（Ｖ）更なるデスミア処理によって第一のパターンを除去し、第二の感光性樹脂組成物の硬化物からなり且つプリント配線板の表面にまで至る開口を有するソルダーレジストを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面荒れ、ブリッジ欠陥、または未解像などの不具合が無い、微細なネガ型フォトレジストパターンを形成できる組成物と、それを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成させる方法において、レジストパターンを太らせることによってパターンを微細化するために用いられる微細パターン形成用組成物であって、繰り返し単位中に、
【化１】


のいずれかの構造を含むポリマーと、溶剤とを含んでなる組成物。有機溶剤現像液で現像して得られるネガ型フォトレジストパターンにその組成物を塗布し、加熱することによって、微細なパターンを形成させる。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて側壁部形成のための薄膜が堆積される対象構造を有機材料により形成した場合であっても、均一な側壁部を形成する。
【解決手段】基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をアルカリ性の薬剤に曝す工程と、前記薬剤に曝された前記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する工程とを含むフォトレジストパターン形成方法により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】 着色画素の更なる薄膜化を達成すべく、着色剤を高濃度で含有しながらも、液中における着色剤の分散安定性に優れた着色組成物を提供する。また、耐溶剤性及び耐アルカリ現像液性に優れた着色画素を形成できることにより、他の着色層における色と重なり合うオーバーラップ領域の発生を低減でき、種々のカラーフィルタの作成工程における色の変化が少なく、その結果、高性能のカラーフィルタを製造可能な着色組成物を提供する。更に、上記着色組成物を用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 着色剤と樹脂とを含有する着色組成物であって、前記着色組成物の全固形分に対する前記着色剤の含有量が５０質量％以上であり、かつ、前記着色組成物に含有される全種の樹脂の内、固形分酸価が最も高い樹脂の当該固形分酸価が８０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である、着色組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び／又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＡＧ（光酸発生物質）二重層を用い、残留物が無くＬＥＲも僅かな犠牲ポリマー層、及び犠牲ポリマー層の分解方法と、これを使用して改良されたエアキャビティー、又はエアギャップを作製するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＡＧ二重層はその中に光酸発生物質を組込み、上部のＰＡＧ濃度は構造物の低部より高い。ＰＡＧが非存在の犠牲層１５が基板１０上に形成される。犠牲層が乾燥された後、ＰＡＧ単層２０が形成され、層１５と層２０はＰＡＧ二重層２５を形成する。次いで二重層２５の像様暴露（光線照射３５）遮蔽物３０を使用して行われる。暴露部分は熱分解法によって除去されて、基板上に残った非暴露部分４０を残す。次いで保護被覆層５０が構造体上に配置され、部分４５の分解及び保護被覆５０を通る分解生成物の浸透のために適当な温度に加熱した後、エアギャップ５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンを所望の寸法に制御すると共に、欠陥の低減をはかり得る現像処理方法及び現像処理装置を提供することである。
【解決手段】所望のパターンが露光されたレジストを現像処理するための現像処理方法であって、レジスト膜１１にデバイスパターンと共にモニタパターン３０を露光しておき、モニタパターン３０を第１の現像条件で現像し、現像されたモニタパターン３０を検査して得られる検査画像から欠陥出現リスクを定量化する。これと共に、予め取得された欠陥出現リスク情報と欠陥数、及び欠陥数と現像条件の関係から、定量化された欠陥出現リスクの際に欠陥数が許容値以下となる第２の現像条件の許容範囲を決定する。そして、第２の現像条件の中でパターン寸法が所望の値となる第３の現像条件を決定し、該決定した第３の現像条件で前記デバイスパターンの現像を行う。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。
【解決手段】（ア）基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、（イ）露光工程、及び（エ）ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。 （もっと読む）

【課題】高感度な化学増幅型レジストとして有用な新規な酸分解性をもつ重合性単量体、これを用いて重合または共重合された重合体、およびそれを用いたレジストおよびそのパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される重合性単量体、およびその重合体。


（式（１）中、Ｒ^２〜Ｒ^１４は、水素、炭化水素基。） （もっと読む）

【課題】酸化タングステン膜を水性溶液から形成させるための組成物およびそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】水溶性メタタングステン酸塩と、アニオン性ポリマー、ノニオン性ポリマー、アニオン性界面活性剤、および３級アミノ基含有ノニオン性界面活性剤から選ばれる少なくとも一種の添加剤と、水とを含んでなる酸化タングステン膜形成用組成物。画像反転三層構造、レジスト層膜、またはレジスト上層保護膜を用いたパターン形成方法において用いられる二酸化ケイ素膜形成用組成物の代わりに、前記酸化タングステン膜形成用組成物を用いてパターンを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高いエッチング耐性を有するレジストパターンを形成させることのできる微細パターン形成用組成物、およびそれを用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】側鎖に芳香族含有置換基を有する水溶性樹脂と純水とを含む微細パターン形成用組成物。この組成物は、水溶性樹脂に結合した酸基を含むか、または組成物中に遊離の酸を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、リソグラフィの解像限界以下の微細なラインパターンを本数の選択自由度を高めて形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数のラインパターン２３ａを形成する工程と、それぞれのラインパターン２３ａの側壁に側壁膜２６ａを形成し、複数のラインパターン２３ａおよび複数の側壁膜２６ａを含むパターン列５０を形成する工程と、隣り合う側壁膜２６ａ間およびパターン列５０の端の側壁膜２６ａの横の領域６０に、スペーサ膜２７ａ、２７ｂを形成する工程と、領域６０に形成されたスペーサ膜２７ｂをラインアンドスペースパターンに加工するとともに、側壁膜２６ａを除去し、ラインパターン２３ａおよびスペーサ膜２７ａ、２７ｂ１、２７ｂ２を残す工程とを備えている。 （もっと読む）