【課題】多層レジストプロセスにおいて、有機溶媒現像の場合に、パターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成させることができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）レジスト下層膜形成用組成物を用い、基板上にレジスト下層膜を形成する工程、（２）フォトレジスト組成物を用い、上記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、（３）上記レジスト膜を露光する工程、及び（４）上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を８０質量％以上含有する現像液を用いて現像する工程を有し、上記レジスト下層膜形成用組成物が、［Ａ］ポリシロキサン鎖を含み、カルボキシル基、酸の作用によりカルボキシル基を生じうる基及び酸無水物基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を有する成分を含有するレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が２００℃以上である元素を少なくとも１種類含んでおり、分解性酸化物材料、分解性窒化物材料、分解性炭化物材料、分解性炭酸化物材料、分解性硫化物材料、分解性セレン化物材料のいずれかを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溝深さが深いパターンを形成するためのフロン系ガスのドライエッチングに対して高い耐性をもつ熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の熱反応型レジスト材料は、フロン系ガスを用いたドライエッチングに用いる熱反応型レジスト材料であって、主要フッ化物の沸点が２００℃以上である元素を少なくとも１種類含み、溶融性複合金属材料、相変化性複合金属材料、酸化性複合金属材料のいずれかを含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクパターンを用いたドライエッチングで基板の表面に凹凸のパターンを形成する場合に、パターンの側面をボーイング形状にしないで垂直面に近づける。
【解決手段】基板上にハードマスク層を形成する第１工程（Ｓ２）と、ハードマスク層を覆う状態でレジスト層を形成した後、レジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成する第２工程（Ｓ３〜Ｓ５）と、レジストパターンをマスクに用いてハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する第３工程（Ｓ６）と、ハードマスクパターンをマスクに用いて基板をドライエッチングすることにより、基板に凹凸のパターンを形成する第４工程（Ｓ８）と、を含み、第４工程（Ｓ８）においては、ハードマスクパターンの後退に寄与するガスを添加したエッチングガスを用いて基板をドライエッチングすることにより、基板のエッチングの進行とともにハードマスクパターンを後退させる。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチング工程の前に、良好にレジスト膜を改質する。
【解決手段】プラズマ処理方法は、被エッチング層上に反射防止膜であるＳｉ−ＡＲＣ１５が形成され、反射防止膜上にパターン化されたＡｒＦレジスト膜１６が形成された積層膜に対して、エッチングガスから生成されたプラズマにより前記レジスト膜をマスクとして前記反射防止膜をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の前に実行され、プラズマ処理装置内にＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＡｒガスとを含む改質用ガスを導入し、該改質用ガスから生成されたプラズマによりＡｒＦレジスト膜１６を改質する改質工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜として最適なレジスト下層膜と無機ハードマスクを組み合わせたパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(１)で表されるナフタレン誘導体又はそれを含有する高分子化合物をレジスト下層膜材料として用いた下層膜形成方法により、反射防止膜としての最適な特性、エッチング耐性、高耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、基板のエッチング中によれのないレジスト下層膜を形成できる。


（環構造Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環。Ｘは単結合又はＣ１〜２０のアルキレン基。ｍは０又は１。ｎは分子量が１０万以下となる自然数。） （もっと読む）

【課題】レジスト膜をマスクとした反射防止膜のエッチングに適したエッチング方法及びエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】レジストスリミング幅のばらつきを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコンを含む被加工層上にレジスト４１を形成するレジスト形成工程と、処理室内にハロゲン元素を含むガスを導入し、レジスト４１をマスクにして被加工層をハロゲン元素を含むガスを用いてエッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後、同じ処理室内に酸素ガスとハロゲン元素を含むガスを導入し、酸素ガスとハロゲン元素を含むガスを用いてレジスト４１の平面サイズを縮小するレジストスリミング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、下記一般式（１）で示される繰り返し単位ａ１を有するポリフルオレンを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。
【化３７】
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【解決手段】スルホ基又はそのアミン塩で置換された炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基を有するノボラック樹脂を含有することを特徴とするフォトレジスト下層膜形成材料。
【効果】本発明のフォトレジスト下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、２００ｎｍ以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるＣＦ₄／ＣＨＦ₃系ガス及びＣｌ₂／ＢＣｌ₃系ガスエッチングの速度も通常のｍ−クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有する。また、塩基性物質を吸着したポーラス低誘電率膜からの汚染に対する耐性（ポイゾニング耐性）に優れ、パターニング後のレジスト形状も良好である。 （もっと読む）

【課題】フリージング法を用いたダブルパターニング技術により形成されたフォトレジストマスクのトリミング工程において、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。
【解決手段】半導体基板２０１上の積層化された薄膜２０２〜２０５と、積層化された薄膜上にフリージング法を用いたダブルパターンニング技術により形成されたフォトレジストマスクパターン２０６，２０８とを有する被処理材を、よりマスク寸法の小さいマスクパターンを形成するトリミング工程において、フリージング材料２０７に被覆されたフォトレジストマスクパターン２０６とフリージング材料に被覆されていないフォトレジストマスクパターン２０８を酸素ガス（Ｏ_２）を含む混合ガスを用いてマスクパターン２０６と２０８フのトリミングレートを同じにし、得られる回路パターン寸法のウエハ面内の均一性を改善する。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの側面を平坦化することによりＬＥＲ又はＬＷＲを低減することができるレジスト処理装置、レジスト塗布現像装置、およびレジスト処理方法を提供する。
【解決手段】開示するレジスト処理装置１０は、基板Ｗ上に形成したレジストパターンに対して所定の処理を行うレジスト処理装置１０であって、内部を真空に維持することができる処理容器１２と、この処理容器１２内に設けられ、レジストパターンが形成された基板Ｗが載置される載置台１４と、化学的に不活性な第１のガスおよび第２のガスを含む混合ガスを、載置台１４に対して所定の傾斜角で所定の流量にて載置台１４に向けて噴出するガス供給部１６と、ガス供給部１６から所定の流量で噴出される上記の混合ガスが処理容器１２内で分子線になり得る真空度に処理容器１２を排気することが可能な排気部１８と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、デバイス上に反転トーン像を形成するための方法であって、ａ）基材上に吸光性下層を形成し； ｂ）下層の上にポジ型フォトレジストの被膜を形成し； ｃ）フォトレジストパターンを形成し； ｄ）この第一のフォトレジストパターンを硬化化合物で処理し、それによって硬化したフォトレジストパターンを形成し； ｅ）硬化したフォトレジストパターンの上に、ケイ素コーティング組成物からケイ素被膜を形成し； ｆ）ケイ素被膜をドライエッチングし、ケイ素被膜がフォトレジストパターンと概ね同じ厚さとなるまで、ケイ素被膜を除去し、及びｇ）ドライエッチングを行ってフォトレジスト及び下層を除去し、それによってフォトレジストパターンが元々在った位置の下にトレンチを形成することを含む、前記方法に関する。更に本発明は、上記方法の製造物及び上記方法を用いて製造される微細電子デバイスにも関する。 （もっと読む）

【課題】低温で、有機材料から形成される膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な多層プロセス用材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ドライエッチング可能な下層有機膜と、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物（Ｗ）を含有する多層プロセス用材料を用いて形成された中間層と、上層レジスト膜とが順に積層されてなる多層積層体を形成し、該多層積層体に、ドライエッチングを含む処理を行ってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、高い選択比が得られる方法の提供。
【解決手段】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、レジストとしてノボラック樹脂を用い、エッチングガスとしてハロゲン系ガスを用い、かつ、樹脂膜が含フッ素芳香族系樹脂を含む樹脂膜であることを特徴とするパターン形成方法。特にドライエッチングの圧力範囲が、１〜１００Ｐａであることが好ましい。また前記含フッ素芳香族系樹脂が、フッ素原子が芳香環に直接結合した分子構造を有する含フッ素ポリマーを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ArF露光装置を用いて４０ナノメートル以下のラインアンドスペースパターンを形成する。
【解決手段】シリコン含有重合体を含む反射防止膜用組成物を利用して反射防止膜パターンを形成し、前記反射防止膜パターンの間にシリコン含有重合体を含むフォトレジスト組成物を利用してフォトレジストパターンを形成した後、これらパターンを食刻マスクにスピンオンカーボン層と下部被食刻層に対する食刻工程を行なうことにより、工程段階及び製造コストを低減することのできる二重パターニング方法を利用した半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法であって、ドライエッチング処理後のフォトレジスト層の除去が容易であって、所望の着色層パターンを形成することが可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）支持体上に着色層を形成する工程と、（ｂ）前記着色層上にフォトレジスト層を形成する工程と、（ｃ）前記フォトレジスト層をパターン様に除去して前記着色層上に画像を形成する工程と、（ｄ）前記パターン様に前記着色層をフッ素系ガスと酸素とを含むガスを用いたドライエッチング処理により除去する工程と、（ｅ）前記ドライエッチング処理によりフォトレジスト層の露出面側に形成された表面変質層を、含酸素ガスを用いたドライエッチング処理により除去する工程と、（ｆ）残存するフォトレジスト層を除去する工程と、を含むカラーフィルタの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の一実施形態において、ハロゲンフリーのプラズマエッチングプロセスを用いて、アモルファスカーボン層を含む多層マスキングスタックにフィーチャーを画定する。
【解決手段】特定の実施形態において、酸素（Ｏ_２）、窒素（Ｎ_２）及び一酸化炭素（ＣＯ）を利用して、アモルファスカーボン層をエッチングし、ラインエッジ粗さ値の減じた基板フィルムにサブ１００ｎｍのフィーチャーを製造できるマスクを形成する。他の実施形態において、本発明は、ハロゲンフリーのアモルファスカーボンエッチングの前に、Ｏ_２プラズマ前処理を用いて、パターン化フォトレジスト層に酸化ケイ素領域を形成して、未酸化ケイ素を含有するパターン化フォトレジスト層に対するアモルファスカーボンエッチングの選択性を増大する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理時の支持体ダメージの発生を抑制可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を形成する第１のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を除去し支持体露出部を形成する第２のエッチング工程とで行う。 （もっと読む）