説明

Fターム[2H096HA30]の内容

感光性樹脂・フォトレジストの処理 (33,738) | 現像後の処理 (2,818) | その他 (268)

Fターム[2H096HA30]に分類される特許

1 - 20 / 268


【課題】現在の露光光源の露光限界(解像限界)を超えるパターンサイズのパターンを被加工面に形成することができるパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】第1のレジストパターンを形成する第1のレジストパターン形成工程と、前記第1のレジストパターンの表面を覆うように、被覆材料による被覆層を形成する被覆層形成工程と、第2のレジストパターンを形成する第2のレジストパターン形成工程とを含むパターンの形成方法。 (もっと読む)


【課題】フォトレジストパターンの耐熱性を向上させる、レジストパターンの表面処理方法およびそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】現像済みフォトレジストパターン表面に酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、前記フォトレジストパターン表面にオキサゾリン骨格などを含む架橋性基を含有するポリマーを含む被覆層形成用組成物を接触させることを含んでなる、現像済みフォトレジストパターンの処理方法。 (もっと読む)


【課題】ブロックコポリマーのミクロ相分離を利用したパターン形成方法において、ブロックコポリマーの配向を容易に制御でき、より短時間で微細なパターンを形成できる方法を提供する。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法は、基板11上に熱架橋性分子を塗布し熱架橋性分子層12を形成する工程と、前記熱架橋性分子層12上に感光性ポリマーを塗布して感光性ポリマー層17を形成する工程と、前記熱架橋性分子層12と前記感光性ポリマー層17とを加熱による架橋反応により接着する工程と、前記感光性ポリマー層17を選択的に露光することにより、露光部および未露光部の感光性ポリマーパターンを形成する工程と、前記感光性ポリマー層17上に、第1および第2のブロック鎖を含むブロックコポリマー層14を形成し、前記ブロックコポリマー層をミクロ相分離させ、前記ポリマー層13の表面エネルギーに基づいて前記第1および第2のブロック鎖のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】T−ゲート構造物の改良された形成法の提供。
【解決手段】a)基板を提供する工程、b)基板上に平坦化層を配置する工程、c)UV感受性第一フォトレジストの層を配置する工程、d)マスクを通してUV放射線に露光し、現像することによって、第一フォトレジストをパターン化して、T−ゲートの底部用の第一開口を規定する工程、e)パターンを平坦化層に転写する工程、f)このパターンをUV放射線に対して非感受性にする工程、g)UV感受性第二フォトレジストの層を配置する工程、h)第二フォトレジストをマスクを通してUV放射線に露光し、現像することによって、第二フォトレジストをパターン化して、第一開口の上のT−ゲートのキャップ用の第二開口を規定する工程、i)第一開口および第二開口内に導電性材料を堆積してT−ゲートを形成する工程、を含む方法。 (もっと読む)


【課題】現像残渣がなく、高い撥水性を有し、熱架橋度を上げることも可能な、インクジェット方式に対応可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】メチル基、フェニル基又はヒドロキシフェニル基等を置換基として含有するフェノール誘導体を繰り返し単位とするフェノール樹脂、エポキシ基又は水酸基等の架橋性反応基含有モノマーを共重合したフルオロアルキル基含有アクリレートモノマーを重合したフッ素系ポリマー、感放射線性化合物及び溶剤を含有する感放射線性樹脂組成物;それを用いた有機電解発光素子絶縁膜形成用ポジ型放射線リソグラフィー用樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】パターン微細化が進展する状況下においても、所望形状のレジストパターンの形成を確実に行えるようにする。
【解決手段】レジスト膜に凹凸パターンを形成するパターン形成工程(S2,S3,S4)と、前記パターン形成工程(S2,S3,S4)で形成した前記凹凸パターンの凹状部分の底部に対してエッチングを行う除去工程(S6)と、を備えるレジストパターン形成方法において、前記パターン形成工程(S2,S3,S4)の後で前記除去工程(S6)の前に、前記パターン形成工程(S2,S3,S4)で形成した前記凹凸パターンの凸状部分の頂部を含む当該頂部の近傍領域に、前記除去工程(S6)での前記エッチングによる前記凹凸パターンのパターン消失を抑制する形状の保護膜を、化学的成膜処理により形成する保護膜形成工程(S5)を備える。 (もっと読む)


【課題】所望の形状のレジストパターンを高精度に形成することができるレジストパターンの形成方法、立体構造の製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンの形成方法は、支持部10上に、多層レジスト20を形成する工程と、多層レジスト20に第1の波長の第1の光による露光を施す工程と、多層レジスト20に第1の波長と異なる第2の波長の第2の光による露光を施す工程と、露光が施された多層レジスト20に現像処理を施すことによって、レジストパターンを形成する工程とを有し、複数のレジスト層は、第1の光による露光によって第1の現像可溶領域23が形成される第1のレジスト層21と、第2の光による露光によって第2の現像可溶領域24が形成される第2のレジスト層22とを含み、レジストパターンを形成する工程は、多層レジスト20から第1及び第2の現像可溶領域21,22を除去する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後のウエハWの表面に現像液を供給して現像を行う現像処理において、ウエハWの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液を吐出する現像ノズル30と、ウエハWの表面全域に現像停止及び乾燥用のN2ガスを吐出するガスノズル40と、を具備する。現像ノズル30からウエハWの表面全域に現像液を吐出してウエハWの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液の液膜を形成した後、ガスノズル40からウエハWの表面全域にN2ガスを吐出して、現像の停止を行うと共に、現像液を除去してウエハWの乾燥を行う。 (もっと読む)


【課題】導電性繊維によって形成された導電層を有する導電パターン付基板の高温高湿条件での信頼性を向上させることができるオーバーコート用光硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】基板と、当該基板上に樹脂硬化層を介して設けられ所定の導電パターンを有し導電性繊維を含有する導電層と、を備える導電パターン付基板の前記導電層が設けられている側にオーバーコート層を形成するためのオーバーコート用光硬化性樹脂組成物であって、イオン吸着剤を含む、オーバーコート用光硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】 1)パターン表面の異物、パターン倒れ、ならびにパターンラフネスの問題を解決することができる、2)レジストパターンを微細化できる、及び3)低塗布量化が可能であるリソグラフィー材料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式(1)で表される化合物(例えば、旭化成ケミカルズ株式会社製のペリセア(登録商標))を含むことを特徴とする、レジスト基板用材料およびレジストパターン製造方法。
【化1】


(上記一般式(1)において、R1、R2は水素又は炭化水素基を示し、Yはカルボキシル基などを示し、Zは−NR'−(R'は水素又は炭素数1〜10の炭化水素基)などを示し、j、kは0、1、2のいずれかであり、かつj、kは同時に0ではなく、nは2〜20の整数を示す。Xは分子量100万以下の炭化水素鎖を示す。) (もっと読む)


【課題】SiON、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ酸ハフニウム、ケイ酸ジルコニウムおよび他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な接着性を示しうるイオン注入リソグラフィ適用に特に有用な新規フォトレジストの提供。
【解決手段】1)樹脂、2)光活性成分、および3)多ケト成分を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し、並びにイオンを前記基体に適用する。 (もっと読む)


【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 (もっと読む)


【課題】現像後の余分なフォトレジストの存在を容易に把握することができる検査支援方法、検査方法、フォトマスク、及び検査支援システムを提供する。
【解決手段】ウェハ100に積層されたレジスト102に所定解像度の回路パターンを転写するための転写パターン18が形成され、かつ転写パターン18を構成している領域の一部に所定解像度よりも高解像度の検査用パターンが形成されたフォトマスク14を介して、レジスト102に所定解像度に対応する所定波長光を予め定められた照射時間照射することにより回路パターンをレジスト102に転写し、レジスト102に回路パターンが転写された後にレジスト付きウェハ104を現像液槽16の現像液に浸漬する。 (もっと読む)


【課題】基板の端部領域におけるレジスト表面難溶化層の剥離及び再付着で生じるスジ状欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】基板1の板厚中心に位置する中央面を含む仮想平面1bより上方に位置する上方吹き出し部2aから、基板を乾燥させるための第1の気流4を基板に向けて斜め下向きに供給し、かつ仮想平面より下方に位置する下方吹き出し部2bから、基板を乾燥させるための第2の気流5を基板に向けて斜め上向きに供給しながら、基板が上方吹き出し部と下方吹き出し部との間を、端部領域を基板先頭部として通過するように、上方及び下方吹き出し部と、基板と、を相対移動させる。第2の気流の仮想平面と垂直な上向きの速度成分が、第1の気流の仮想平面と垂直な下向きの速度成分より小さくなるように第1及び第2の気流を制御する。 (もっと読む)


【課題】ポリマーアロイに配向性の高い相分離構造のパターンを短時間で形成することのできるパターン形成方法及びポリマーアロイ下地材料を提供する。
【解決手段】基板上に自己組織化単分子膜とポリマー膜を積層する工程と、エネルギー線を照射することにより前記ポリマー膜と前記自己組織化単分子膜を化学結合させ、ポリマー表面層を前記自己組織化単分子膜上に形成する工程と、相分離構造のパターンを有するポリマーアロイを前記ポリマー表面層上に形成する工程と、を含むパターン形成方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】良好な焦点深度をはじめとする良好な解像度を提供する新規のフォトレジストシステムの提供。
【解決手段】樹脂、光活性成分、およびフェノール系成分;を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し;並びにイオンを前記基体に適用する;ことを含む、イオン注入された半導体基体を提供する方法 (もっと読む)


【課題】選択的位置のレジスト膜とその下地との密着性を高め、非選択的位置のレジスト膜の残渣を減少させる。
【解決手段】下地1に第1レジスト材3を塗布し(工程1―1)、所望パターンとは逆パターンで第1レジスト材3をパターニングして前記下地の表面のうち前記所望パターンの表面を露出させ(工程1―2)、該下地の前記露出された表面を疎水化処理し(工程1―3)、該疎水化処理後に下地1から前記パターニングされた第1レジスト材3を除去(工程1―4)して下地1に第2レジスト材2を塗布し、(工程1―5)、第2レジスト材2を前記所望パターンでパターニングする(工程1―6)。 (もっと読む)


【課題】小粒径かつ狭い粒度分布を有する粒子が得られる粒子作製方法を提供する。
【解決手段】粒子形成用の原料を溶媒に溶解または分散させた溶液または分散液の複数の液滴を、基材の表面に形成する液滴形成工程と、液滴を固化して粒子を形成する粒子形成工程と、粒子を材の表面から剥離する剥離工程と、を含む粒子作製方法である。 (もっと読む)


【解決手段】(i)化学増幅ポジ型レジスト組成物を封止されるべき回路にレジスト膜を形成する工程、(ii)レジスト膜を露光し、ベークし、アルカリ性現像液にて現像して、上記回路を封止するための封止材を注型する部分のレジスト膜を除去する工程、(iii)封止材を塗布し硬化する工程、(iv)残りのレジスト膜を溶解剥離する工程を有する封止材パターンの形成方法において、レジスト組成物が、酸と反応してアルカリ性現像液に可溶性となる機能を与える全繰り返し単位中、90モル%以上がt−アルキルオキシスチレンで表される繰り返し単位である樹脂と、光酸発生剤とを含有する封止材パターンの形成方法。
【効果】120〜200℃,30〜120分間の加熱工程でレジストパターンが変形及び架橋反応を起こすことなく、その後の剥離工程で容易にレジスト膜が剥離可能である。 (もっと読む)


【課題】 有機ポリマー樹脂を基板上にパターン加工、硬化を行った後、得られたパターンを構成する有機ポリマー樹脂の一部を化学反応によって気化した後、簡便な方法で有機ポリマー中に含まれる不純物を低減する方法を提供する。
【解決手段】 基板上にパターン加工、硬化した有機ポリマー樹脂の一部を化学反応によって気化した後、下記(1)〜(3)のいずれかの処理を行うことによって、有機ポリマー樹脂中に含まれる不純物を低減することを特徴とする不純物の低減方法である。
(1)100℃以上の温度で加熱処理を行う。
(2)塩基性水溶液で洗浄する。
(3)酸系水溶液で洗浄する。 (もっと読む)


1 - 20 / 268