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Fターム[2H096JA02]の内容

感光性樹脂・フォトレジストの処理 (33,738) | 処理工程 (1,945) | 工程の組合せ (1,865) | 画像露光するまでの (446)

Fターム[2H096JA02]に分類される特許

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【課題】金属イオン不純物濃度が低く、半導体リソグラフィーに好適に用いることができる、半導体リソグラフィー用重合体または重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体リソグラフィー用重合体、または該重合体を含む重合体溶液の製造方法において、原料または生成物と接触する容器として、該容器に対して10体積%のメタノールで還流した時に、該還流後のメタノール中の各金属イオン不純物濃度が10ppb以下である容器を用いる工程を有する、半導体リソグラフィー用重合体または該重合体を含む重合体溶液の製造方法。 (もっと読む)


【課題】化学増幅レジストの性能を引き出すことにより、高い解像性能と良好なパターン品質を有するレジストパターン付基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に塗布したレジストに、順次ベーク処理(PAB処理)、パターン露光処理、露光後ベーク処理(PEB処理)、及び現像処理を施してレジストパターンを形成するレジストパターン付基板の製造方法であって、試験用の複数のレジスト付基板に第1のベーク処理をし、第1の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをPAB処理の条件とし、他の試験用の複数のレジスト層付基板に前記第1の減膜処理で最高の残膜率のときの温度及び時間の条件で第1のベーク処理をした後に第2のベーク処理をし、第2の減膜処理をしてその残膜率が所定の値以上になる場合の温度及び時間の条件を求め、これをPEB処理の条件とする。 (もっと読む)


【課題】液浸露光時に於ける液浸液に対する後退接触角の更なる改善及びウォーターマーク欠陥の低減が可能な液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】(A)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する樹脂、及び、(D)下記一般式(S1)〜(S3)で表される群より選択される少なくとも1種の溶剤を全溶剤中3〜20質量%含有する混合溶剤、を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。
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【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する(メタ)アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて側壁部形成のための薄膜が堆積される対象構造を有機材料により形成した場合であっても、均一な側壁部を形成する。
【解決手段】基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をアルカリ性の薬剤に曝す工程と、前記薬剤に曝された前記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する工程とを含むフォトレジストパターン形成方法により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【解決手段】一般式(1)で表される繰り返し単位を含有し、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。


(式中、R4〜R6はフッ素化1価炭化水素基を示す。)
【効果】本発明により、高撥水性かつ高滑水性の含フッ素環状アセタールを含む繰り返し単位を有するレジスト保護膜材料が提供される。 (もっと読む)


【課題】高解像性で、且つ溶出が抑制されたのネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】基材成分、光塩基発生剤成分及び酸供給成分を含有するレジスト組成物を支持体上にスピンコート法により塗布してレジスト膜を形成する工程(1)、レジスト膜にプレベークを行わず、レジスト膜を露光する工程(2)、工程(2)の後にベークを行い、レジスト膜の露光部において、露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、酸供給成分に由来する酸とを中和させ、レジスト膜の未露光部において、酸供給成分に由来する酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程(3)及びレジスト膜をアルカリ現像し、ネガ型レジストパターンを形成する工程(4)とを含み、工程(1)の塗布工程において、レジスト液を基板に供給後の回転時間が50秒以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径(例えば、60nm以下)のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(P)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、(C)窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物(C)の含有量が1.0質量%以上であり、かつ前記化合物(C)の前記化合物(B)に対するモル比率[C]/[B]が0.40以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】微細な孔径(例えば、60nm以下)を有し、かつ、断面形状の矩形性に優れるホールパターンを、局所的なパターン寸法の均一性に優れた状態で形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂(P)、及び
活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物(B)を含有し、かつ
フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有し、前記樹脂(P)とは異なる樹脂(C)を、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、1質量%以上含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。
、R及びRは、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 (もっと読む)


【課題】感度、ラフネス特性及び露光ラチチュードに優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、(A)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物であって、下記一般式(1−1)により表される化合物とを含有している。
【化1】
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【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に好適に使用され、特にネガ型現像技術において、ラインエッジラフネス、スカムやマイクロブリッジ等の欠陥の発生の無い微細なレジスパターン形成方法を提供することを課題としている。

【解決手段】露光により発生した酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する感放射線性組成物を、下記条件(1)を満足するフィルターを通過させた組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法である。
条件(1):フィルターの臨界表面張力が70dyne/cm以上であり、かつ荷電修飾されていない。 (もっと読む)


【課題】パターン形成装置と塗布現像装置との間における基板の搬送スループットの向上に有利となるパターン形成装置および塗布現像装置を提供する。
【解決手段】このパターン形成装置は、隣設される塗布現像装置との間で基板の受け渡しを実施する。パターン形成装置側の第1制御部は、基板に対してパターン形成処理を開始するに際し、第1搬送ハンド35の動作を開始させたとき、またはその後、塗布現像装置側の第2制御部に対して、新たな基板の受け渡し動作を予告する第1信号(S41−2)を送信して予め第2搬送ハンド52の動作を開始させ、第2搬送ハンド52の動作中に、第2搬送ハンド52の動作を要求する第2信号(S41−4)を送信する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、レジスト膜のパターン形成工程における膜減りを抑制すると共に、得られるパターンのLWRを低減でき、露光余裕度(EL)、焦点深度(DOF)等を指標としたリソグラフィー特性に優れるレジストパターンを形成することができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)フォトレジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び(3)上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含有するネガ型現像液で現像する工程を含むパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、[A]酸の作用により解離する酸解離性基を含む構造単位(I)を有し、この酸解離性基の解離により上記現像液に対する溶解性が減少する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、上記現像液が含窒素化合物を含むことを特徴とするパターン形成方法である。 (もっと読む)


【課題】反射防止膜としての機能を有するとともに、パターン転写性能及びエッチング耐性に優れ、微細化したパターンの転写時においてもパターンが曲がらないレジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本レジスト下層膜形成方法は、レジスト下層膜用組成物(例えば、フェノール性水酸基を有する化合物、溶剤及び促進剤を含有する組成物等)を被加工基板に塗布する塗布工程と、得られた塗膜を、酸素濃度が1容量%以上、且つ温度が300℃以上の酸化性雰囲気下において成膜させる成膜工程と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】有機溶剤現像を用いて形成されるネガ型レジストパターンの形成方法として最適なパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、ケイ素含有膜形成用組成物を用いて被加工体上にケイ素含有膜を形成する工程(B)と、該ケイ素含有膜上に化学増幅型レジスト組成物を用いてフォトレジスト膜を形成する工程(C)と、加熱処理後に高エネルギー線で前記フォトレジスト膜を露光する工程(D)と、有機溶剤の現像液を用いて前記フォトレジスト膜の未露光部を溶解させることによりネガ型のパターンを得る工程(F)を含むパターン形成方法において、前記ケイ素含有膜形成用組成物として、前記フォトレジスト膜が露光された時に、該露光部に対応する前記ケイ素含有膜の露光後の純水に対する接触角が35度以上70度未満となるものを用いる。 (もっと読む)


【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜の提供。
【解決手段】(ア)下記一般式(I)で表される酸によって分解しカルボキシル基を生じる繰り返し単位(a1)を有する樹脂(P)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、及び(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。
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【課題】CTP方式に利用できる高感度な感光性平版印刷版材料であり、水により現像が可能で、特に紫外線硬化インキを使用した場合にも耐刷性が良好であり、またタック値の低いインキを使用した場合にも網絡みの発生のない印刷性に優れた感光性平版印刷版材料を提供すること。
【解決手段】支持体上に、水溶性ポリマーとヒドロキシアパタイトを含有する親水性層と、該親水性層上に、不飽和二重結合基を側鎖に有する水溶性重合体、光重合開始剤、および光重合開始剤を増感する化合物を含有する光重合性感光層を有する感光性平版印刷版材料。 (もっと読む)


【課題】フォトレジスト製造において、感度の高いオキシムエステル系光重合開始剤の溶解性が良く、電子材料用途のペースト組成物の特性を損なわないフォトレジスト製造用溶剤組成物を提供する。
【解決手段】特定構造の化合物を含む溶剤Aとオキシムエステル系光重合開始剤とを混合して溶剤組成物(C)とした後、前記溶剤組成物(C)を、前記溶剤Aと相溶する溶剤Bと混合してフォトレジスト製造用組成物(D)を得ることを特徴とするフォトレジスト製造用組成物の製造方法を提供する。 (もっと読む)


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