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Fターム[2H096KA06]の内容

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Fターム[2H096KA06]に分類される特許

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【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用出来るだけでなく従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用出来るレジスト下層膜を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)で示される有機ホウ素化合物及びその縮合物からなる群から選ばれる化合物(A)一種以上と、下記一般式(2)で示されるケイ素化合物(B)一種以上とを含む混合物の縮合物及び/又は加水分解縮合物を含有するものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。
m0B(OH)m1(OR)(3−m0−m1) (1)
10m1011m1112m12Si(OR13(4−m10−m11−m12) (2) (もっと読む)


【課題】pH12以下の現像液を用いて良好な現像特性を示し、高い耐刷性及び良好な耐傷性を有し、インキ着肉性が向上した平版印刷版前駆体を提供する。
【解決手段】基体と、該基体上に形成された、水不溶性且つアルカリ性水溶液に可溶性又は分散性の樹脂を含む画像形成層とを含んで成るポジ型平版印刷版前駆体であって、前記画像形成層が、少なくとも下層及び上層を含んで成り、前記下層及び前記上層の一方、又は前記下層及び前記上層の両方の前記樹脂が、酸性水素原子を有する置換基を含む単位及び側鎖にフッ素化されたアルキル又はポリエーテル基を有するジオール残基で表される単位を有するポリウレタンを含むことを特徴とするポジ型平版印刷版前駆体。 (もっと読む)


【課題】多層レジストプロセスにおいて、シリコン含有膜のフッ素系ガスエッチングに対する加工性と、酸素系ガスエッチングに対する耐性とを共に高め、微細なパターンを形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)ポリシロキサン組成物を用い、被加工基板の上面側にシリコン含有膜を形成する工程、(2)上記シリコン含有膜上にレジストパターンを形成する工程、(3)上記レジストパターンをマスクとし、上記シリコン含有膜をドライエッチングしてシリコン含有パターンを形成する工程、並びに(4)上記シリコン含有パターンをマスクとし、上記被加工基板をドライエッチングして被加工基板にパターンを形成する工程を有し、上記ポリシロキサン組成物が、[A]フッ素原子を含むポリシロキサン、及び[B]架橋促進剤を含有するパターン形成方法である。 (もっと読む)


【課題】多層レジストプロセスにおいて、有機溶媒現像の場合に、パターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成させることができるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、(1)レジスト下層膜形成用組成物を用い、基板上にレジスト下層膜を形成する工程、(2)フォトレジスト組成物を用い、上記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、(3)上記レジスト膜を露光する工程、及び(4)上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を80質量%以上含有する現像液を用いて現像する工程を有し、上記レジスト下層膜形成用組成物が、[A]ポリシロキサン鎖を含み、カルボキシル基、酸の作用によりカルボキシル基を生じうる基及び酸無水物基からなる群より選ばれる少なくとも1種の基を有する成分を含有するレジストパターン形成方法である。 (もっと読む)


【課題】金属層の下方に配置されたレジストが、種々の要因によって劣化する。
【解決手段】半導体装置形成方法は、基板上に、第1波長の光で感光する下層レジストおよび第1波長と異なる第2波長の光で感光する上層レジストがこの順序で配された加工対象を準備する段階と、第2波長の光によるフォトリソグラフィを用いて、上層レジストにパターンを形成する段階と、上層レジストのパターンを用いて金属層のパターンを形成する段階と、第1波長の光を金属層のパターンに照射して、近接場光を発生させることにより、金属層のパターンよりも微細なパターンを下層レジストに形成する段階と、下層レジストのパターンを基板上に転写する段階とを備える。 (もっと読む)


【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用できるだけでなく、従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)成分:下記繰り返し単位を有するフェノール性水酸基発生可能な重合体、該重合体の加水分解物、及び前記重合体の加水分解縮合物のうち少なくとも一つ以上、及び


(B)成分:特定の加水分解性ケイ素化合物を含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物を含むものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】現像ラチチュードに優れ、耐刷性の良好な平版印刷版を作製しうる平版印刷版原版、それにより得られた平版印刷版及びその製版方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、水不溶且つアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性又はアルカリ分散性のポリウレタン及び下記一般式(1)で表される複素環化合物を含む上層と、を順次備えてなり、下層及び上層の少なくとも一方に赤外線吸収剤を含有する赤外線感光性ポジ型平版印刷版原版である。一般式(1)中、AはN又はCRを表し、BはN又はCRを表す。Rは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はアリル基を表す。R及びRはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、又はアリル基を表す。
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【課題】 本発明は、短時間でPEBを行うことができ、それによりスループットの向上や、酸拡散距離を短くすることができることによる解像性の向上が達成できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被加工基板上に波長600〜2000nmの範囲の光を吸収する下層膜を形成し、該下層膜上にフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜を露光した後、波長600〜2000nmの光を照射して加熱することでポストエクスポジュアーベーク(PEB)を行い、その後現像によってパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】平版印刷における高い耐刷性を実現し、しかも露光部の良好な現像性をも達成する平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】親水性表面を有する支持体上側に、下層及び上層をこの順に配設した記録層を有してなる赤外線感光性ポジ型平版印刷版原版であって、前記上層および/または下層が、特定のマレイミド樹脂Aと、両性界面活性剤および/またはアニオン性界面活性剤と、赤外線吸収剤とを、同じ層に、あるいはそれぞれ別々に層に含有する平版印刷版原版。 (もっと読む)


【課題】平版印刷における高い耐刷性を実現し、しかも露光部の良好な現像性をも達成する平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】親水性表面を有する支持体上側に、画像記録層を有してなる赤外線感光性ポジ型平版印刷版原版であって、前記画像記録層が、ポリ(ビニルアセタール)と、両性界面活性剤および/またはアニオン性界面活性剤と、赤外線吸収剤とを含有する平版印刷版原版、ならびに、平版印刷版原版の画像記録層を画像露光する露光工程、アルカリ水溶液を用いて現像する現像工程、をこの順で含む平版印刷版の作製方法。 (もっと読む)


【課題】所望の形状のレジストパターンを高精度に形成することができるレジストパターンの形成方法、立体構造の製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンの形成方法は、支持部10上に、多層レジスト20を形成する工程と、多層レジスト20に第1の波長の第1の光による露光を施す工程と、多層レジスト20に第1の波長と異なる第2の波長の第2の光による露光を施す工程と、露光が施された多層レジスト20に現像処理を施すことによって、レジストパターンを形成する工程とを有し、複数のレジスト層は、第1の光による露光によって第1の現像可溶領域23が形成される第1のレジスト層21と、第2の光による露光によって第2の現像可溶領域24が形成される第2のレジスト層22とを含み、レジストパターンを形成する工程は、多層レジスト20から第1及び第2の現像可溶領域21,22を除去する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】パターンの微細化、特に、SRAMのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、28nmテクノロジノードにおいては、ArFによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にHigh−k絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるhigh−kゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、ハードマスクに対して、2枚のレジスト膜を用いて、ライン&スペースパターンおよび隣接ゲート電極間切断領域パターンのパターニングを実行し、パターニングされたハードマスクを用いて、ゲート積層膜のエッチングを実行するものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ベーキング後においても、良好な画像コントラストを有するCTPポジ型平版印刷版原版を提供する。
【解決手段】基板上に、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び光熱変換材料を含有する画像形成層を有して成るポジ型平版印刷版原版であって、
前記画像形成層が、着色剤として酸性染料を含有することを特徴とするポジ型平版印刷版原版。 (もっと読む)


【課題】ハンプのない半導体装置の製造方法と、半導体装置と、露光装置とを提供する。
【解決手段】被加工膜2の上に下層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料が塗布される。下層レジスト材料膜に露光光を照射することにより酸を発生させる。ベーク処理を施すことによって下層レジスト膜3bが形成される。現像処理を施すことにより、架橋した下層レジスト膜3bを残して、未架橋の下層レジスト材料膜の部分が除去される。中間層レジスト膜となる感光性のネガ型のレジスト材料を塗布し、同様の露光処理と現像処理を施すことにより、架橋した中間層レジスト膜4bを残して、未架橋の中間層レジスト材料膜の部分が除去される。 (もっと読む)


【課題】凸版印刷版構成体から凸版印刷版を製版する凸版印刷版の製造方法であって、簡便な手法で、印刷再現性及び版面再現性の高い印刷レリーフを有する凸版印刷版を製造する方法を提供すること。
【解決手段】(1)紫外線露光製版が可能な樹脂層3にネガ型マスク5を形成する工程、(2)前記ネガ型マスクを有する構成体に酸素遮断性層6を形成する工程、(3)前記樹脂層に前記酸素遮断性層側から紫外線露光する工程、及び、(4)前記樹脂層を現像して印刷レリーフを形成する工程を含む、凸版印刷版の製造方法。 (もっと読む)


【課題】特には3層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき(反射防止膜としての最適なn、k値を有し)、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には60nmよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも下記一般式(1−1)及び/又は(1−2)で示される1種類以上の化合物、並びに下記一般式(2)で示される1種以上の化合物及び/又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。


OHC−X−CHO(2) (もっと読む)


【解決手段】ナフタレン、フルオレン、フルオレノン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、アントラキノン、キサントン、チオキサントン、ベンゾクマリン、フェナレン-1-オン、アセナフテンから選ばれる芳香族基含有繰り返し単位を有し、酸によりアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と第1のレジスト膜上にアルキルアルコールを溶剤とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と高エネルギー線で露光、ベーク後現像液を用いて前記第1,2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】第2層のレジスト膜を第1層レジスト膜と組み合わせることにより第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したりイオンを打ち込んだりするときの耐性を高くできる。 (もっと読む)


【解決手段】芳香族基を繰り返し単位の20〜100モル%の範囲で有し、かつ酸によってアルカリに溶解する高分子化合物を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布して、第1のレジスト膜を形成する工程と、第1のレジスト膜上に第1のレジスト膜を溶解させない炭素数3〜8のアルキルアルコールを溶媒とする第2のポジ型レジスト材料を塗布して、第2のレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で露光し、ベーク後、現像液を用いて前記第1と第2のレジスト膜を同時に現像してレジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】本発明のパターン形成方法によれば、現像後に基板面を開口させることができる。
本発明では、第2層のレジスト膜単独の場合よりも現像後のレジストパターンをマスクにして基板をエッチング加工したり、イオンを打ち込んだりするときの耐性を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜、特には3層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜、又は、レジストパターンの側壁に直接珪素酸化膜を形成したり、レジストパターンに珪素酸化膜を形成してポジネガ反転を行う際に用いるレジスト下層膜であり、反射率を低減でき、エッチング耐性が高いレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくともフッ素原子を有するスチレン誘導体単位を、繰り返し単位として含有する重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 (もっと読む)


【課題】多層レジスト法において、良好なドライエッチングマスクとして使用できるケイ素含有膜を形成でき、特に上層のフォトレジストとのエッチング選択性が良好な熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物の提供。
【解決手段】(A)下記一般式(1)で表される1種又は2種以上の加水分解性ケイ素化合物と、下記一般式(2−1)で表される加水分解性ケイ素化合物及び下記一般式(2−2)で表される反応性化合物からなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物とを加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、Rm1Si(OR(4−m1)(1)Rm3Si(OR(4−m3)(2−1)U(ORm5(ORm6(O)m7/2(2−2)(B)特定の1種又は2種以上の熱架橋促進剤(C)炭素数が1〜30の1価又は2価以上の有機酸(D)有機溶剤を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 (もっと読む)


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