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Fターム[2H096LA01]の内容

感光性樹脂・フォトレジストの処理 (33,738) | 補助処理 (1,197) | 使用済み画像層の除去、剥離 (532)

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【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。
【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸41を有し、回転軸41の回転によって基板を回転させるスピンナー40と、基板に相対する位置であってスピンナー40の回転軸41からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル24及びノズル25と、を備え、スピンナー40の回転軸41の方向に見て、ノズル24の噴射口24Aがスピンナー40の回転軸41が回転する向きと向き合っており、ノズル25の噴射口25Aが第一ノズル24の噴射口24Aの向きとは逆向きである。 (もっと読む)


【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から100Paの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から100Paの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び/又は薬液によるウェット処理とを行う。 (もっと読む)


半導体デバイス製造においてシリコン含有反射防止コーティング(SiARC)層を有する膜構造を再加工する方法が供される。当該方法は、上にSiARC層を有する膜積層体を含む基板、及び、前記SiARC層上に形成されるレジストパターンを供する工程を有する。当該方法はさらに、前記SiARC層から前記レジストパターンを除去する工程、前記SiARC層を、オゾン(O3)気体を含む処理気体に曝露することで、前記SiARC層を改質する工程、希釈フッ化水素(DHF)液体によって前記の改質されたSiARC層を処理する工程、及び、遠心力により、前記基板から前記の改質されたSiARC層を除去する工程を有する。
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【課題】難エッチング材料を不活性ガスによりエッチングする際に残渣なく加工する方法を提供する。
【解決手段】難エッチング性の金属薄膜2上に、断面形状がハンマーヘッド型となるようにレジスト4を形成した後に前記金属薄膜をドライエッチングし、その後前記レジストを除去する。前記ハンマーヘッド型の断面形状を有するレジストパターンは、現像液に対する溶解速度が異なる2種類のレジストを積層塗布して露光・現像することによって得る。 (もっと読む)


【課題】基板の凸凹を気泡なくラミネートさせ、感度向上効果を有する感光性樹脂積層体、該感光性樹脂積層体を用いて基板上にレジストパターンを形成する方法、及び該レジストパターンの用途を提供すること。
【解決手段】支持体上に、感光性樹脂層、保護層を順次積層してなる感光性樹脂積層体であって、該保護層は、感光性樹脂層と接する面の平均粗さ(Ra)が0.5μm以上であり、該感光性樹脂層は、(a)カルボキシル基含有の熱可塑性共重合体20〜90質量%、(b)分子内に少なくとも一つの重合可能な末端エチレン性不飽和基を有する付加重合性モノマー5〜75質量%、及び(c)光重合開始剤0.01〜30質量%を含むドライフィルムレジストであり、そして該(c)光重合開始剤としてヘキサアリールビスイミダゾール誘導体を含むことを特徴とする感光性樹脂積層体。 (もっと読む)


新規のダブルおよびトリプルパターニング方法が提供される。上記方法は、パターニングされたテンプレート構造(例えば、ラインを有する構造)に収縮性組成物を塗布することと、上記組成物を加熱することと、を含む。上記収縮性組成物は、加熱の間収縮する特性を有するように選択される。その結果、上記収縮性組成物は、パターニングされたテンプレート構造を覆うようにコンフォーマル層を形成する。その後、上記層は、プレスペーサー構造を残すようにエッチングされる。プレスペーサー構造は、隆起物と、隆起物の側壁に隣接した収縮性組成物の残部とを有する。上記隆起物は除去され、2倍になったパターンが残る。別の態様では、テンプレート構造上に隆起物を形成する前に、追加のエッチング工程が行われ、その結果、パターンは2倍ではなく3倍になる。
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【課題】シリコン含有膜を有する多層マスクを、シリコン化合物を含む残渣を残存させることなく、容易に確実に除去できる多層マスクの除去方法および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含有しない第1膜13と、シリコン含有膜からなる第2膜14と、レジスト層からなる第3膜15とを順に形成してなる多層膜の第3膜15をパターニングし、パターニングされた第3膜15を有する多層膜に不具合がない場合には、第3膜15をマスクとして、ドライエッチングにより第2膜14をパターニングし、多層膜に不具合がある場合には、多層膜に不具合のない場合におけるドライエッチングよりも、第1膜13のエッチング速度と第2膜14のエッチング速度との差が大きいドライエッチングにより第2膜14を除去する多層マスクの除去方法とする。 (もっと読む)


【課題】シロキサンポリマーを含む感光性組成物を基板上に塗工し、感光性組成物を硬化させることにより形成された膜を基板から剥離する方法であって、膜を基板から容易に剥離できる膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】シロキサンポリマーと、活性エネルギー線の照射によりシロキサンポリマーを架橋させる物質とを含む感光性組成物1を基板2上に塗工した後に、感光性組成物1に活性エネルギー線を照射し、感光性組成物1を硬化させることにより形成された膜1Aを基板から剥離する方法であって、10〜50℃の水中で10〜500kHz及び10W〜3kWの条件で5〜60分間、膜1Aに超音波をあてることにより、膜1Aを基板2から剥離する膜1Aの剥離方法。 (もっと読む)


【課題】レーザー光を使用することなく、短時間で高コントラストの親水・撥水パターンを形成することが可能であり、かつ保管容易性が高い印刷原版、その印刷原版を用いた印刷版の製造方法、及び印刷版を印刷原版へと再生する印刷版の再生方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る印刷原版は、酸化ジルコニウムを含有する光触媒層、及び撥水性層を備える。この印刷原版から印刷版を製造する際には、印刷原版の撥水性層に選択的に活性光を照射する。 (もっと読む)


【課題】ArFレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ArFレジスト膜を伴ったウエハからこのArFレジスト膜を除去する処理方法である。ArFレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にArFレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このArFレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したArFレジスト膜に純水を供給することにより、ArFレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 (もっと読む)


【課題】レジストをエッチングマスクとして用いず、またリフトオフ法を用いることなくパターン形成が可能となるパターンの形成方法等を提供する。
【解決手段】パターンの形成方法であって、
母材上の薄膜の表面に、レジストによるパターンを形成する工程と、
レジストによるパターンの上に、反転層を形成する工程と、
反転層を前記レジストの表面が露出するまで除去した後に、レジストを除去することにより、レジストによるパターンと相補的な前記反転層による反転パターン形成する工程と、
反転層による反転パターンをマスクとして前記薄膜をエッチングし、該薄膜上に反転層を有する該薄膜によるハードマスク層を形成し、該ハードマスク層をマスクとして、または薄膜上の前記反転層を除去したハードマスク層をマスクとして、母材をエッチングする工程と、を有する構成とする。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法であって、ドライエッチング処理後のフォトレジスト層の除去が容易であって、所望の着色層パターンを形成することが可能なカラーフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】(a)支持体上に着色層を形成する工程と、(b)前記着色層上にフォトレジスト層を形成する工程と、(c)前記フォトレジスト層をパターン様に除去して前記着色層上に画像を形成する工程と、(d)前記パターン様に前記着色層をフッ素系ガスと酸素とを含むガスを用いたドライエッチング処理により除去する工程と、(e)前記ドライエッチング処理によりフォトレジスト層の露出面側に形成された表面変質層を、含酸素ガスを用いたドライエッチング処理により除去する工程と、(f)残存するフォトレジスト層を除去する工程と、を含むカラーフィルタの製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】結晶物や剥離物等の異物を良好に捕捉する一方で、メンテナンスフリーやランニングコスト削減に貢献する。
【解決手段】剥離装置は、シャワーノズル18を備えたチャンバ10もつ処理部1と、薬液を貯溜するタンク2とを有し、このタンク2からシャワーノズル18に薬液を送液しつつチャンバ10内の使用済みの薬液をタンク2に回収して再使用するように構成される。チャンバ10には、その内定部の一部に薬液の排出口11が設けられ、さらに排出口11と基板Sの処理位置(搬送ローラ16の位置)との間の部分には、前記排出口11よりも広い濾過面積をもつフィルタ部材20が配備されている。 (もっと読む)


【課題】認識マークの脱落を確実に防止することができるとともに、箔物に対しても容易に認識マークを形成することができるメタルマスクを得る。
【解決手段】半田ペースト等をプリント配線板に塗布形成するための開口パターンが形成されたメタルマスク1の一面上に、薄膜状のレジスト2を形成する第1の工程と、メタルマスク1の一面上から、認識マークを形成する部分のレジスト2を除去する第2の工程と、メタルマスク1の認識マークを形成する部分と電極4とを電解液5に浸して、メタルマスク1と電極4とを交流電源6に接続することにより、メタルマスク1の一面の所定位置に、電解処理によって、他の部分よりも濃い色の皮膜1bを形成する第3の工程と、皮膜を形成した後、メタルマスク1の一面上からレジスト2を除去する第4の工程とによって、メタルマスク1を製造する。 (もっと読む)


【課題】側壁加工プロセス用のパターンを高い精度で効率良く作成する。
【解決手段】設計パターンを形成するためのマスクパターンである第1のパターンに任意のプロセス条件下でのシミュレーションを実行してウェーハ上でのレジストの仕上がり形状を表す第2のパターンを形成し、前記第2のパターンにリサイズ処理を実行することにより前記第2のパターンよりも太い第3のパターンを形成し、図形データ上での演算処理により前記第3のパターンから前記第2のパターンに相当する部分を除去して中抜きパターンである第4のパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】2重露光を用いた超微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板110の上部に第1のハードマスク層120、第2のハードマスク層130.第3のハードマスク層140、第4のハードマスク層150を形成し、ライン/スペースマスクで第4のハードマスク層150と第3のハードマスク層140とを選択食刻して上部水平幅が下部より狭い第4のハードマスク層パターンと第3のハードマスク層パターンとを形成し、第4のハードマスク層パターン及び第3のハードマスク層パターンを埋め込む絶縁膜を形成し、絶縁膜を食刻マスクに第4のハードマスク層パターン及び下部の第3のハードマスク層パターンを選択食刻して第3のハードマスク層パターンと該下部に第4のハードマスク層パターンとを形成し、絶縁膜と第4のハードマスク層パターンとを除去し、第3のハードマスク層パターンを食刻マスクに半導体基板をパターニングしてパターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】基板に対するダメージを抑制または回避しながら、硬化層を有するレジストを基板から良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板Wを保持して回転させる基板保持回転機構2と、基板Wに閃光を照射する光照射部7と、基板Wにレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給機構3とを備えている。基板Wは、硬化層を有するレジストが表面に形成されたものである。光照射部7は、閃光を発生するフラッシュランプ35を備えている。このフラッシュランプ35からの閃光をレジストに向けて照射することにより、硬化層が昇華および分解されて破壊される。その後に、レジストに対してレジスト剥離液を供給することより、当該レジストが基板W表面から除去される。閃光の照射に代えて、レーザ光を照射することにより、硬化層を昇華および分解させてもよい。 (もっと読む)


【課題】基板に気泡を含まない処理液を供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】搬送される基板の上面を処理液供給装置から供給される処理液によって処理する処理装置であって、
処理液供給装置31は、処理液を供給する給液管33が接続された主貯液部32と、主貯液部の下端に設けられ主貯液部に給液管から供給されて貯えられた処理液を流出させる流出孔36と、流出孔から流出した処理液を貯留する補助貯液部38と、補助貯液部に設けられ流出孔から補助貯液部に流出した処理液を基板の上面に供給するスリット44と、補助貯液部に大気に連通して設けられ流出孔から処理液とともに流出した気泡を大気に放出させる第1のエア抜き管45を具備する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、フォトンコストの高いレーザ光を使用することなく、安価に、しかもウェハ基板に損傷を与えることなく、レジスト膜を剥離除去することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、本発明は、ウェハ基板上に形成されたレジスト膜を剥離除去するにあたり、レジスト膜を透過可能であって、ウェハ基板に吸収可能であるレーザ光を選択する一方、レジスト膜上に上記レーザ光を透過可能な液体膜を形成し、該液体膜を介して上記選択されたレーザ光をレジスト膜に照射して上記レジスト表面で実質的にアブレーションを起こさせることなく、レジスト膜を透過させて上記ウェハ基板とレジスト膜との界面でウェハ表面に損傷を与えない程度の熱を発生させる一方、上記レジスト膜表面と液体との界面で上記液体膜を局所的に沸騰・蒸発させ、上記レジスト膜に衝撃を与えて剥離させる。 (もっと読む)


【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のある処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー1と、チャンバー内に設けられ、被処理物2を保持する保持手段3と、チャンバー内に活性原子を供給する活性原子供給手段4と、チャンバー内に薬液を供給する薬液供給手段5とを有し、被処理物の表面に対し、活性原子供給手段から供給される活性原子によるドライ処理及び薬液供給手段から供給される薬液によるウェット処理を行なう。 (もっと読む)


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