【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも１種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも１種と、組成物全量に対して０．０１〜２重量％のフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ用剥離液は、（Ａ）フッ化水素酸、（Ｂ）一般式（ｂ−１）で表される塩基性化合物、及び（Ｃ）水を含有する。式中、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基等を示し、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂの少なくとも１つは水素原子である。Ｒ^１ｂからＲ^４ｂのうちいずれか１つとＲ^５ｂとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Ｙ^１ｂ及びＹ^２ｂは炭素数１〜３のアルキレン基を示し、ｎは０〜５の整数を示す。ｎが２以上のとき、複数のＲ^５ｂ同士及び複数のＹ^１ｂ同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^５ｂ同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。
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【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モルホリン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路及び／又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び／又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート（特に銅エッチレート及びＴｉＷエッチレート）の低下したレジスト剥離剤及び、その使用方法の提供。
【解決手段】銅塩を添加するか、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するためのアミンを添加するか、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有し、更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モノメチルアミン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性を維持しつつ、アルカリ液を用いて容易に除去可能なレジスト下層膜を形成できるパターン形成方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、（１）アルカリ開裂性官能基を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成用組成物を用い、被加工基板上にレジスト下層膜を形成する工程、（２）上記レジスト下層膜上にレジストパターンを形成する工程、（３）上記レジストパターンをマスクとした上記レジスト下層膜及び上記被加工基板のドライエッチングにより上記被加工基板にパターンを形成する工程、並びに（４）アルカリ液により上記レジスト下層膜を除去する工程を有するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】防食剤として尿素を使用せず、しかも２０℃程度の常温で確実に防食性能を発揮できる剥離剤組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】ピロガロールを必須成分とする防食剤と、アルカノールアミンを含有し、ｐＨを８〜１０に調整する剥離剤組成物の構成とすることにより、アルカノールアミンが剥離機能を発揮して、レジスト膜やエッチング残渣が除去され、またｐＨ値が８〜１０にあれば、ピロガロールが水分の溶存酸素を強力に除去することができ、露出する銅膜などの金属表面に溶存酸素が反応するのを未然に防いで、防食機能を発揮する剥離剤組成物が得られる。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上のＣｕ膜若しくはＣｕ合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Ｃｕ膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Ｃｕ膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を用いた剥離液リサイクルシステムを提供する。
【解決手段】主剤と極性溶媒と水からなる混合液およびレジスト成分からなる剥離液を繰り返し使用し、剥離液中のレジスト濃度が所定の値に達したら、剥離液の一部を排出管から排出し、新たな剥離液の供給を受けるレジスト剥離装置と、廃液タンクと、廃液タンク中の剥離液を蒸留する蒸留再生装置と、前記分離液中の主剤と極性溶媒の組成比率を調べる成分検査装置と、分離液の主剤と極性溶媒および水の比率が予め決められた比率になるように不足分の主剤と極性溶媒および水を追加して、混合液を調製する調合装置と混合液を貯留する供給タンクを有する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上のＣｕ膜若しくはＣｕ合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Ｃｕ膜用のエッチャントに曝され、変質し剥離しにくくなったフォトレジストをＣｕ膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Ｃｕ膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を提供する。
【解決手段】三級アルカノールアミンが１〜９質量％、極性溶媒を１０〜７０質量％、水を１０〜４０質量％、レジスト成分が３０００ｐｐｍ以下からなるフォトレジスト剥離液は、多少の銅の腐食はあるものの、Ｃｕ膜上に堆積させる層との接着性もよく、実用としては、問題がなかった。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上のＣｕ若しくはＣｕ合金層をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Ｃｕ用のエッチャントに曝され、変質し剥離しにくくなったフォトレジストをＣｕ層にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Ｃｕ層の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジスト用剥離液を提供する。
【解決手段】三級アルカノールアミンが１〜９質量％、極性溶媒を１０〜７０質量％、水を１０〜４０質量％からなるフォトレジスト用剥離液は、若干の銅の腐食はあるものの、Ｃｕ層上に堆積させる層との接着性もよく、実用としては、問題がなかった。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離液成分含有水から効率よくレジスト剥離液を回収することができるレジスト剥離液の回収方法を提供する。
【解決手段】レジスト剥離液含有水からレジスト剥離液を回収する方法において、レジスト剥離液含有水を疎水性ゼオライトよりなる吸着材４と接触させて、レジスト剥離液及び一部の水分を該吸着材に吸着させ、次いで、該吸着材から一部の水を脱着（第１脱着塔１０における第１回脱着）させ、その後、該吸着材に対しレジスト剥離液の沸点よりも温度の高い過熱水蒸気を接触させて該吸着材から該レジスト剥離液を脱着（第２脱着塔２０における第２回脱着）させ、この第２回脱着の脱着液を蒸留して該レジスト剥離液を分取して回収することを特徴とするレジスト剥離液の回収方法。 （もっと読む）

【課題】イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。
【解決手段】実施形態の方法は、炭化材料および有機材料の少なくとも一方を半導体構造から除去する方法であり、超酸種を具備する超酸組成に前記半導体構造を接触させることを具備する。 （もっと読む）

【課題】剥離性能に優れたレジスト剥離剤の提供及び剥離性能に優れたレジスト剥離剤を選別するためのレジスト剥離剤の評価方法を提供する。
【解決手段】炭酸エチレン、炭酸プロピレン又は炭酸エチレンと炭酸プロピレンの混合物に、８０容量％以下となる量のエチレングリコール及び／又はプロピレングリコールを添加したレジスト剥離剤、レジスト剥離剤を選別するための評価方法は、基板表面にネガ型レジストを塗布し、プリベーグ、露光を行ったレジスト被膜試料を作成する工程と、前記レジスト被膜試料とレジスト剥離剤を接触させてレジスト被膜の除去速度を計測する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもＣｕ及びＡｌの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】（ａ）１級アルカノールアミン１〜２０重量％；（ｂ）アルコール１０〜６０重量％；（ｃ）水０．１〜５０重量％；（ｄ）極性有機溶剤５〜５０重量％；及び（ｅ）腐食防止剤０．０１〜３重量％；を含むＬＣＤ製造用フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 非環状エチレンアミン、オクチル酸及び環状アミンを含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路の製造工程におけるフォトレジスト膜、レジスト層、レジスト残渣物等を低温でかつ短時間に容易に剥離でき、配線材料を全く腐食せず、水のみでリンスできるフォトレジスト剥離剤組成物を提供する。
【解決手段】
アルカノールアミン類、アルコキシアルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類から選択される１種以上を５〜５０質量％、式（１）で表わされる酸アミドを３０〜６５質量％、式（１）以外で表わされる酸アミドを０〜４０質量％、糖類または糖アルコール類を０．１〜１５質量％および水を１〜６４．５質量％を含有するフォトレジスト剥離剤組成物および該組成物を用いる剥離方法。
（ＣＨ_３）_２Ｃ(Ｒ_１)ＣＯＮ（Ｒ_２）（Ｒ_３） ・・・・ （１）
（Ｒ_１は水素またはヒドロキシル基を表す。Ｒ_２、Ｒ_３はＣ１−Ｃ４のアルキル基を表し、Ｒ_２、Ｒ_３２つの基が同一であっても異なっていてもよい） （もっと読む）

【課題】アミン系剥離液使用により蓄積するレジスト樹脂、炭酸アンモニウム塩、溶解金属を連続的に除去し、剥離液の再生装置、方法を提供する。
【解決手段】剥離装置１内で循環する使用済み剥離液２を配管経路３を通じて電解槽４の陽極ドラム５およびカチオン交換膜６間に導入する。一方で電解槽４には陽極ドラム５に対向する陰極７が、カチオン交換膜６を介して設置されており、陰極７は再生済みの剥離液８によって満たされている。陽極と陰極間の電気伝導は陽イオンの移動による電気伝導が可能となっているので電気的には隔離されていない。陽極ドラム５及び陰極には、電気給手段として電源９が接続されている。陰極及び陽極間に直流電流を通電することで、使用済み剥離液に含まれるレジスト樹脂を陽極ドラム５の表面上に電着でき、剥離液中からレジスト樹脂を除去できる。 （もっと読む）

【課題】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣およびポリマー残渣を除去する除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法、特に含窒素有機ヒドロキシ化合物、アンモニア、フッ素化合物を含有せず、残渣除去成分として金属酸化物を主成分とする残渣の除去性に優れる融点が２５℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有し、洗浄装置の液を吐出するノズルや洗浄槽およびチャンバーの周辺に溶液が付着後、水の蒸発により脂肪族ポリカルボン酸が再結晶することを抑制することが可能なフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】融点が２５℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有するフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物において、２０℃での蒸気圧が１７ｍｍＨｇ以下で構造内に水酸基を有する水と混和可能な有機溶剤を含有する前記除去液。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 エチレンアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）