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Fターム[2H141MB01]の内容

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【課題】焦点調節と開口調節とを選択的に、または同時に行ってNAを制御するNA(numerical aperture)制御ユニット、それを採用した可変型光プローブ、映像診断システム、深度スキャニング方法、イメージ検出方法、及び映像診断方法を提供する。
【解決手段】NA制御ユニット1000は、光が透過する開口が調節される開口調節ユニットVAと、開口を通過した光をフォーカシングし、焦点距離が調節される焦点調節ユニットVFと、を含む。 (もっと読む)


【課題】十分な絶縁性を確保しつつ、低電圧で正確な駆動を実現することができる光学素子を提供する。
【解決手段】対向配置された第1および第2の電極と、第1の電極の、第2の電極と対向する面を覆うように順に積層された誘電体層、イオンバリア層および撥水層を含む絶縁膜と、絶縁膜と第2の電極との間に封入され、互いに異なる屈折率を有する極性液体および無極性液体とを備える。誘電体層は、イオンバリア層よりも高い誘電率を有するものであり、イオンバリア層は、極性液体に含まれるイオンの透過を抑制するものであり、撥水膜は、絶縁膜の最上層に位置し、無極性液体に対して親和性を示すものである。 (もっと読む)


【課題】TFT基板の信頼性を向上させることのできる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置は、基板上に配置された複数のデータ線と複数のゲート線との交点のそれぞれに対応して配置される複数の画素と、前記基板上に配置された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の上層に前記第1絶縁膜の少なくとも一部と接して配置され、前記第1絶縁膜とは異なる材質の膜である第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に前記複数の画素のそれぞれに対応して配置され、側部に第3絶縁膜が配置される複数のMEMSシャッターと、前記複数のゲート線及び前記複数のデータ線に電位を供給する複数の端子であって、前記複数の端子の上部に配置された前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜の開口部から前記電位の供給を受ける前記複数の端子と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低電圧で導電性液体を駆動できるエレクトロウエッティング用疎水性誘電体フィルムを提供する。
【解決手段】光学素子100は、第1基板101、第1電極102、エレクトロウエッティング用疎水性誘電体フィルム103、隔壁104、疎水性液体105、導電性液体106、第2電極107、第2基板108、および側壁109を有し、エレクトロウエッティング用疎水性誘電体フィルムはフッ化ビニリデン系重合体を含有する。 (もっと読む)


【課題】応答性の向上を図る上で有利な光学素子およびそのような光学素子を備える撮像装置を提供する。
【解決手段】図7(B)に示すように、中央の電極部材40に電圧Eを印加し、残り2つの電極部材38、42を開放状態としていると、第1の液体14は移動することなくその位置に位置した状態で保持されている。図7(A)に示すように、電圧印加手段22が、中央の電極部材40を開放状態とし、残り2つの電極部材38、42に電圧Eを印加すると、第1の液体14が第2の液体16によって周囲を囲まれた状態で、第1の液体14の
うちの半分は一方の退避室34に向かって移動すると同時に、第1の液体14の残りの半分は他方の退避室34に向かって移動する。 (もっと読む)


【課題】印加電圧に応じて透過光量を調節すると共に、低電圧駆動および高速応答化を実現することが可能な光学絞りを提供する。
【解決手段】光学絞り1は、対向配置された下部基板10と上部基板11との間に、下部基板10の側から、下部電極12と、絶縁膜13と、この絶縁膜13上の領域を複数のサブ領域に区画する隔壁14と、透明な極性液体層15と、各サブ領域ごとに設けられると共に着色された無極性液体層16と、上部電極17とが設けられ、これらが封止層18によって封止されている。下部電極12と上部電極17との間に電圧が印加されると、絶縁膜13の極性液体層15に対する濡れ性が変化し、極性液体層15は絶縁膜13との接触面積を増大するように変形する。この極性液体層15の変形によって、区画された各サブ領域内で、無極性液体層16は、絶縁膜13との接触面積を縮小するように変形(移動)する。 (もっと読む)


【課題】印加電圧に応じて透過光量を調節すると共に、電圧に対する高速応答化を実現することが可能な液体光学素子を提供する。
【解決手段】光学絞り1は、対向配置された下部基板10と上部基板11との間に、下部基板10の側から、下部電極12と、絶縁膜13と、領域Pを囲むように形成される外壁14と、透明な極性液体層15と、着色されると共に外壁14に対して親和性を有する無極性液体層16と、上部電極17とが設けられている。下部電極12と上部電極17との間に電圧が印加されると、絶縁膜13の極性液体層15に対する濡れ性が変化し、極性液体層15は絶縁膜13との接触面積を増大するように変形する。この極性液体層15の変形によって、無極性液体層16は、絶縁膜13との接触面積を縮小するように、外壁14に沿って領域Pの端部に向けて変形(移動)する。 (もっと読む)


【課題】低温特性を確保すると共に電圧保持性を向上させることができる液体光学素子を提供する。
【解決手段】撥水膜13を有するセル電極基板10と対向電極基板20との間に、透明な極性液体30および不透明な無極性液体40が互いに分離された状態を保ち封入されている。極性液体30は、水およびアルコールの混合液である。これにより、低温環境下に曝されても極性液体30が凝固しにくくなり、セル電極12と対向電極11との間に駆動電圧を印加した際およびそののち無印加の状態に戻した際に、速やかに極性液体30および無極性液体40が変形および変位する。 (もっと読む)


【課題】強度設定変更時の収束時間が短く、オーバーシュート等の強度の暴れが小さく出射光強度の安定性の高い光信号発生装置を提供する。
【解決手段】光源21の出射光を可変光減衰器22に入射し、可変光減衰器22の出射光を光分岐器23で2分岐し、分岐された一方の光を光電変換器24に入射し、光電変換器24の出力信号を増幅器25で増幅してその出力信号をラグリード型の第1のフィルタ26に入力して平滑して誤差増幅器28に与える。誤差増幅器28は、第1のフィルタ26の出力信号が設定器27から出力された設定信号に近づく方向に可変光減衰器22の減衰量を変化させるための信号を出力する。この信号はラグリード型の第2のフィルタ29により平滑されて可変光減衰器22に制御信号として与えられる。 (もっと読む)


【課題】用いる偏向器や走査光学系の種類、装置の設計誤差等に起因して、被走査面上での主走査方向1ライン内でビーム径が主走査方向のみまたは副走査方向のみに変化する場合でも、そのビーム径を均一にして画質を向上させる。
【解決手段】光束幅規制素子では、遮光部材により、入射するレーザ光の光束幅を例えば副走査方向についてのみ規制する。そして、液体レンズにおいて、電極に印加する電圧を主走査方向1ライン内で変化させることにより、遮光性液体の開口部を透過するレーザ光の光束幅を主走査方向1ライン内で変化させる。これにより、感光体上での主走査方向1ラインの各位置でのビーム径を例えば主走査方向にのみ変化させることができ、主走査方向1ライン内でビーム径を均一にすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 将来のフレキシブルで経済的な光ネットワークを構成する上で必要な安価で高信頼の光波長ルータを提供する。
【解決手段】 上記の目的を達成するために本発明に係わる光波長ルータは従来法で使用されている光スイッチの代わりに可変光減衰器アレイを用いその入出力側にそれぞれ光分岐器と光コンバイナを用いそれぞれの光コンバイナの入力に各光分岐器の出力から1芯ずつ接続されるように光パスを構成し異なった波長のWDM入力信号を可変光減衰器の各チャンネルの減衰量を制御することによって所望の出力端子に切り替えるように工夫した。 (もっと読む)


大規模なMEMSデバイス(10,100,200,300)は、少なくとも一つの対応するダイマウント(28)によって支持されるMEMSダイ(22)を含む。対応するダイマウント(28)は、MEMSダイ(22)を支持構造(20)に連結する。支持構造(20)は、パッケージ(38,40)の内部に配置される。本発明の態様によれば、パッケージ(38,40)は、MEMSダイ(22)について実質的に対称形である。本発明の別の態様によれば、支持構造(20)および/またはパッケージ(38,40)は、MEMSダイ(22)に沿う中立の屈曲軸を有するように設計されている。
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光学素子は、側壁及び端壁を有する流体室を含み、第一流体(20)及び第二流体(22)を含む。流体は非混和性であり、第二流体は磁場によって影響を受け得る。流体室の少なくとも一部の上に磁場をもたらすための装置(19)が設けられ、磁場は、流体室内の第一流体及び第二流体の位置が変更されるよう第二流体を移動し得る。第二流体は磁性流体であり得る。
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本発明は重合した液晶層を有するシャッター素子を有する機械的シャッター(601)に関する。重合した液晶は異方的に配向している。一の主要面で配向は異方的である。反対側の主要面に向かって変動するとき、配向は熱膨張係数が変化するように変化する。熱のような非機械的手段を受けるとき、シャッター素子は変動する。たとえばスプレイ配向又はツイステッド・ネマティック配向が使用されるとき、素子は非機械的手段に応じて曲がる及びまっすぐになる。電極(604,605,606)は任意で素子上及び支持基板上に形成可能であり、素子が電極間に印加された電場により生じる静電力によって制御可能となる。本発明はさらにそのような機械的シャッターをその場重合を使用して製造する方法をも提供する。
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