【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を用いる光導波路素子に対し、当該素子の端面で反射するスラブ伝搬光を除去し、動作特性の劣化を抑制した光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板と、該薄板には光導波路が形成されており、該薄板に接着層を介して接着された補強基板とを有する光導波路素子において、該光導波路素子の側面の一部に、反射防止膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板を利用し、補強基板に接着した場合でも、薄板や補強版の破損を抑制し、さらには微小なクラックによる光損失などの性能劣化も抑制した、光導波路素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、該薄板には光導波路２が形成されており、該薄板に接着層５を介して接着された補強基板６とを有する光導波路素子において、該補強基板６の該薄板側の表面には、凹凸構造が形成され、該補強基板は、該凹凸構造が形成された後であり、かつ該薄板に接着する前に、キュリー温度以下の高温で熱処理されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い電界を印加する場合でも、歪みが生じていない偏向した光束を得ることができる光走査装置を提供すること。
【解決手段】入射光が透過する光導波路を有する光走査装置であって、前記光導波路は、印加される電界に基づいて屈折率が変化する電気光学素子を含み、前記電気光学素子に所定の周波数の電圧を印加することにより、該電気光学素子の屈折率を変化させ、前記変化した屈折率に対応させて、前記入射光を点滅する、ことを特徴とする光走査装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】小型化と偏波無依存性とを同時に達成しつつ、幅誤差による偏波無依存性の悪化に対する耐性を高める。
【解決手段】基板８の主面８ａ側に延在するクラッド１２と、光導波路型要素１３とで構成される光導波路７を有し、光導波路は、２個の偏波無依存な方向性結合器１６及び１８と、２個の方向性結合器間を接続するとともに、光路長が異なっていて、互いに並列された第１湾曲光導波路２０ａ及び第２湾曲光導波路２０ｂと、第１及び第２湾曲光導波路のそれぞれに少なくとも１個以上設けられ、厚みよりも幅が大きな、合計２個以上の光路長調整領域２２_１及び２２_２とを備え、光導波路材料は、クラッドの屈折率よりも４０％以上大きな屈折率を有しており、それぞれの光路長調整領域の偏波間における光路長差を、全ての光路長調整領域について総和した値が０となるように、それぞれの光路長調整領域の幾何学的長さを設定する。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板１を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア４ａを半導体基板１に形成する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘと他方の側面４ｙの各々に酸化防止膜２２を形成する工程と、酸化防止膜２２が形成された状態で、コア４ａの両脇の半導体基板１の表面を熱酸化する工程と、コア４ａの一方の側面４ｘの横の半導体基板１に第１の不純物領域を形成する工程と、コア４ａの他方の側面４ｙの横の半導体基板１に第２の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】光を変調し得る波長帯域が狭いリング共振器の共振波長を入力光の波長に容易に一致させ、高効率で入力光を変調し得る光半導体素子を提供する。
【解決手段】入力光が入力される第１の導波路と、第１の導波路と光学的に結合するように配されたリング変調器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より小さな周回光路長を有する第１のリング共振器と、第１の導波路と光学的に結合するように配され、リング変調器の周回光路長より大きな周回光路長を有する第２のリング共振器と、リング変調器と第１のリング共振器と第２のリング共振器とに近接して配されたヒータと、第１のリング共振器中の光パワーをモニタする第１の光検出器と、第２のリング共振器中の光パワーをモニタする第２の光検出器と、第１の光検出器及び第２の光検出器により検出された信号に基づいて、リング変調器の共振波長が入力光の波長と一致するようにヒータを制御する制御部とを有する。 （もっと読む）

【課題】光素子の位置ずれ及び光素子の光導波路の特性変化を抑えることを可能とした光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の光素子（３）と、第１の光素子と光学的に結合する第２の光素子（２０）と、第１の光素子及び第２の光素子が搭載された第１のシリコン基板（１０）とを有し、第２の光素子は第２のシリコン基板（２１）及び第２のシリコン基板と貼り合わされた導波路基板（３０）を含み、第２の光素子は導波路基板が第１のシリコン基板に向かい合う状態で第１のシリコン基板上に搭載されている光デバイス（１）。 （もっと読む）

【課題】制御装置などを必要とせずに、素子自体が動作点シフト抑制機能を有するネスト型光導波路構造の光導波路素子を提供する。
【解決方法】電気光学効果を有する基板上に形成された光導波路は、光波の進行方向において分岐して少なくとも２本のメイン光導波路を構成し、各メイン光導波路は光波の進行方向においてさらに分岐して少なくとも２本のサブ光導波路を構成し、 少なくとも２本のメイン光導波路は、メインマッハツェンダー型光導波路を構成するとともに、少なくとも２本のサブ光導波路は、メインマッハツェンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてそれぞれが近接してサブマッハツェンダー型光導波路を構成し、サブ光導波路から構成される少なくとも２つのサブマッハツェンダー型光導波路は、光波の前記進行方向を基準とした場合において、光のクロストークを抑止するように相異なる位置に形成されているようにして光導波路素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスでゾルゲルガラスからなるクラッド・コア材の作製、屈折率の任意制御、光損失の極小制御が可能なポリマー光変調器の製造方法の提供。
【解決手段】下記式（１）
Ｒ^１_ｎＳｉ（ＯＲ^２）_４−ｎ （１）
で表されるシリコンアルコキシド、その加水分解・縮合物、またはこれらの混合物と、光酸発生剤とを含む硬化性組成物を調製する工程と、
該硬化性組成物を基板上に塗布・硬化し、更にパターン形成を行い、ゾルゲルガラスから形成される下部クラッド層、コア層、側部クラッド層及び上部クラッド層を形成する工程と、
上部クラッド層中に、電気光学ポリマーから形成されるコア層を、該ゾルゲルガラスから形成されるコア層の上部に接触して埋設する工程とを含み、且つ、上部クラッド層と電気光学ポリマーから形成されるコア層との接続部の一部が、導波光の進行方向に対しテーパー構造を有する、ポリマー光変調器の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バッファ層中へのＬｉイオン等のキャリアの拡散を抑制し、長期間に渡り駆動電圧が安定した光導波路素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板１に形成された光導波路２と、基板１の上に形成されたバッファ層５と、バッファ層５上に形成され、光導波路２を伝搬する光波を変調する変調電極３，４とを有する光導波路素子において、光導波路２とバッファ層５との間に、基板１に含まれる金属イオンがバッファ層５内に拡散し偏在することを抑制するための偏在抑制層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、イオン注入工程を削減して、簡易な製造工程で光半導体素子を製造する。
【解決手段】 各スラブ導波路部とそれに接する隆起領域とに注入イオン分布のピークが、前記スラブ導波路部の厚さよりも深い位置となり且つ前記隆起領域の厚さよりも浅い位置になる条件で各導電型の不純物をイオン注入する。 （もっと読む）

【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるＳｉ集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ同一基板１００上に、レーザ光源素子１０１と、Ｓｉ基板１００に直接設けられたＳｉ導波路１０２とを具備し、Ｓｉ導波路１０２が基板水平方向に形成され、Ｓｉ導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第１のテーパ面１０６と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第２のテーパ面１０７がそれぞれ表面に露呈した光路変換部１０６を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部１０４およびＳｉ基板１００内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。複屈折率付与部１２０及び複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１のアーム導波路１０２の第５の導波路部１０２Ｃの上に、第１の電極１０２Ｄが配置され、第２のアーム導波路１０３の第４の導波路部１０３Ｂが有する第２の傾斜部分の上に第２の電極１０３Ｄが配置されている。第１の電極１０２Ｄが配置された第１の方向と、第２の電極１０３Ｄが配置された第２の方向は、複屈折率調整部１３０において、両電極に単位電圧を印加したときに、ＴＭ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、ＴＥ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 （もっと読む）

【課題】精密な寸法調整を必要とせずにモード分離を行うことができる光合分波器を提供する。
【解決手段】第一のコア２１と、第一のコアが延びる延在方向Ｚに平行に、第一のコアに対して延在方向に直交する並列方向Ｘに並べて配置された第二のコア３０と、を有し、第一のコアの延在方向に直交する基準平面による断面形状は、並列方向に平行な並列側基準線Ｃ１に対して鏡映対称に形成されるとともに、並列方向および延在方向にそれぞれ直交する直交方向Ｙに平行な直交側基準線Ｃ２に対して鏡映対称に形成され、並列方向の長さの方が直交方向の長さより短く設定され、第二のコアの基準平面による断面形状は、第一のコアの基準平面による断面形状を延在方向回りに９０°回転させた形状に等しくなるとともに、第一のコアの中心軸線Ｃ６の並列方向側に第二のコアの中心軸線Ｃ７が配置されるように形成され、第一のコアと第二のコアとは同一の材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差に起因して光導波路基板の内部に発生する応力を低減することのできる光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】厚さ３０μｍ以下の光導波路基板１１と、光導波路基板１１を保持し光導波路基板１１より誘電率が低い液晶ポリマ基板１２と、を有し、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２が接着剤層１４によって接着された光導波路デバイス１０であって、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の熱膨張係数はそれぞれ基板面内に異方性を有し、光導波路基板１１の異方性の軸方向と液晶ポリマ基板１２の異方性の軸方向が揃うように、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の相対的向きが調整されている。 （もっと読む）

【課題】Ｎ入力Ｎ出力（Ｎ×Ｎ）の導波路型光スイッチ（マトリックススイッチ）において、クロスコネクト（１対１の接続関係の切り替え）機能と一つの入力信号を複数の出力ポートに分配する機能を併せ持ち提供する。
【解決手段】本発明は、Ｎ行Ｎ列のマトリックスの格子上に２入力２出力のＮ^２個の要素スイッチを配置する。このＮ^２個の要素スイッチはそれぞれ、２つの出力の分岐比を可変にして出力する可変分岐構成を有し、かつ、このＮ^２個の要素スイッチは、クロス状態に設定した要素スイッチ及びバー状態に設定した要素スイッチだけでなく、所定の分岐比で２出力に分配動作させる設定にした要素スイッチを包含する。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部から放出される主出力光とモニタ光（放射モード光）との光強度変化が相補的関係となるように設定することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板に少なくとも１つのマッハツェンダー型導波路が形成され、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部２０には、２本の分岐導波路２２，２３が導入されると共に、出力主導波路２４と該出力主導波路を挟む２本の出力副導波路２５，２６とが導出されるように構成された光導波路素子において、該分岐導波路２２，２３はシングルモード導波路で構成され、該合波部２０の導波路はマルチモード導波路で構成され、該マルチモード導波路の幅Ｗ２は、該シングルモード導波路の幅Ｗ１，Ｗ３よりも広く、かつ、該シングルモード導波路の幅の２倍の幅よりも狭く構成されている。 （もっと読む）