【課題】光源と二分岐状の発光側光導波路コアとの間の調芯に水平方向のずれが生じた場合でも、光源の光をこの光源に隣接する枠の２辺に所定の比率で正確に分配することのできる入力デバイスを提供する。
【解決手段】入力デバイスの矩形状の検知空間Ｓの周りに配置された枠状の光導波路１０における発光側の二分岐状光導波路コアＣ１は、角部１０ｚに設けられた光源２０に接する光入射側の共通部１と、この共通部の終端側の分岐点から分岐して上記枠の２辺に配置された２つの分岐コア部４，５とを備え、上記共通部１の光入射端面（光結合面）１ａのコア幅Ｗが１ｍｍ以上の場合は、光入射端面１ａから分岐点Ｊまでの距離Ｌが３ｍｍ以上に設定され、上記光入射端面１ａのコア幅Ｗが１ｍｍ未満の場合は、上記光入射端面１ａから分岐点Ｊまでの距離Ｌが、この光入射端面１ａのコア幅Ｗの３倍以上〔（Ｌ／Ｗ）≧３〕になるように設定される。 （もっと読む）

【課題】簡易かつローコストに一括での製造を可能にし、且つ、自己形成光導波路としての利用も可能な分岐光導波路デバイスの製造方法及び分岐光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】基台１１上に光硬化性樹脂１２及びフォトマスク１３を順次配置し、紫外光１４を所定の角度でフォトマスク１３に照射し、その照射光路上の光硬化性樹脂１２を硬化させる。これによって一端が傾斜をもって結合したＶ字形状の光導波路１５ａ，１５ｂを有した分岐光導波路デバイス１を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】別基板に形成された第１光部品と第２光部品の調芯を高精度に行って、固定すること。
【解決手段】第１光部品と、第１光部品に対して固定され、第１光部品に光結合された第２光部品と、第２光部品が第１光部品に対して固定される前において第２光部品を第１光部品に対して移動させて、第１光部品及び第２光部品の調芯用の第１アクチュエータと、を備える光モジュール、光モジュール製造方法、及び光モジュール製造システムにより課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】内部での光の散乱及び反射を抑制することができる光半導体集積素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層３２が埋め込まれた高抵抗半導体基板３１と、第１の半導体層３２上に形成された光活性層３３及び第２導電型の第２の半導体層３４と、高抵抗半導体基板３１上に形成された導波路コア層３６を含む導波路部と、が設けられている。そして、光活性層３３と導波路コア層３６とが光の伝播方向に沿って互いに接触している。 （もっと読む）

【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してＮ個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 （もっと読む）

【課題】Ｎ入力Ｎ出力（Ｎ×Ｎ）の導波路型光スイッチ（マトリックススイッチ）において、クロスコネクト（１対１の接続関係の切り替え）機能と一つの入力信号を複数の出力ポートに分配する機能を併せ持ち提供する。
【解決手段】本発明は、Ｎ行Ｎ列のマトリックスの格子上に２入力２出力のＮ^２個の要素スイッチを配置する。このＮ^２個の要素スイッチはそれぞれ、２つの出力の分岐比を可変にして出力する可変分岐構成を有し、かつ、このＮ^２個の要素スイッチは、クロス状態に設定した要素スイッチ及びバー状態に設定した要素スイッチだけでなく、所定の分岐比で２出力に分配動作させる設定にした要素スイッチを包含する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を得ることが可能であるとともに設計の自由度を高めることが可能な光ハイブリッド回路および光受信器ならびに、その光ハイブリッド回路に好適に用いられうる光カプラを提供する。
【解決手段】光ハイブリッド回路１００は、平行四辺形形状の２：２光カプラ１と、平行四辺形形状の４：４多モード干渉カプラ２と、長方形形状の出力側２：２光カプラ３とを備える。これらを従属接続することにより、出力チャンネルを構成する２つの出力導波路１９，２０が隣接した構造を有する光９０°ハイブリッド回路を実現できる。平行四辺形の傾斜角度に応じて２つの出力光の間の相対的位相差を変更できる。したがって複数段の光カプラからなる複合カプラの特性を所望の特性に容易に設計できる。 （もっと読む）

【課題】隣接するチャネル型光導波路の間隙からの光の漏れを少なくする。
【解決手段】基板２０と、平面型光導波路１６、平面型光導波路の一端面１６ａに放射状に接続されている複数のチャネル型光導波路１４、及び、平面型光導波路の一端面に対向する他端面１６ｂに接続されている入力用光導波路１２を含む光導波路構造体１８と、基板の一方の主面２０ａ上に設けられていて、光導波路構造体を囲む被覆膜２２と、を備え、被覆膜の屈折率が光導波路構造体の屈折率の６割以下であり、複数のチャネル型光導波路の、光伝搬方向に直交する方向であって、主面に平行な方向の幅が、平面型光導波路から離間するに従って徐々に拡幅する。 （もっと読む）

【課題】ＶＣＳＥＬ等の発光素子の個数が少なくても大きな伝送容量を確保することができるとともに、装置の小型化が容易な光インターコネクション用光送信器を提供する。
【解決手段】光送信器は、波長多重連続光が入力される光導波路１１７と、光導波路１１７の長さ方向に沿って配置され、外部から供給される電気信号に応じて光導波路１１７を通る光に対し、入力ポートからスルーポートへの透過率を変化させて変調を行う複数の変調器１２１と、複数の変調器１２１により変調された光を出力する光信号出力部１１３とを有する。複数の変調器１２１は、変調可能な光の波長がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】逆メサ方向で直線状に形成された直線導波路部と、逆メサ方向に対して傾く方向に形成された傾斜導波路部とを具備する光半導体装置であって、埋め込み導波路作製時の異常成長を抑制し、装置自体を小型化して伝搬損失を低減できる光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体レーザ１１が、活性層１０２を具備するものであり、導波路部１２が、活性層１０２と同じ高さで形成され、光を導波する導波路層１１５を具有するものであり、半導体レーザ１１がメサ構造で形成され、導波路部１２がメサ構造で形成されると共に、導波路部１２のメサ構造が半導体レーザ１１のメサ構造よりも低く形成され、半導体レーザ１２のメサ構造の側部に半導体層１２２が積層される一方、導波路部１２のメサ構造が半導体層１２２で埋め込まれるようにした。 （もっと読む）

【課題】 光導波路と受光素子の光結合における光損失の低減、および、受光素子の応答の高速化を図る。
【解決手段】 光モジュール１は、光導波路３と、受光素子４とを有する。ここで、互いに直交する二方向であり、かつ、光信号の伝送方向にもそれぞれ直交する二方向をα方向とβ方向とする。光導波路３の出射端面６は、α方向とβ方向の一方向（例えばα方向）よりも他方向（β方向）の長さが長い形状である。受光素子４の受光面８は、出射端面６から出射した光信号のα方向とβ方向のそれぞれの拡がり角θ_α，θ_β、および、出射端面６と受光面８との間隔Ｌ_6-8が関与する受光面８での光信号の遠視野像に応じた形状および大きさを有している。 （もっと読む）

【課題】光離散フーリエ変換をスラブ型スターカプラで主に実現することにより、チャネル数Ｕが２の整数のべき乗個である必要はなく、チャネル数Ｕが増加しても光回路サイズを小型に保つことが可能な光直交周波数分割多重信号の分離回路を提供すること。
【解決手段】本発明においては、光離散フーリエ変換をスラブ型スターカプラで主に実現する。これにより、任意のチャネル数で動作し、チャネル数が増加しても光回路サイズを小型に保つことが可能な光直交周波数分割多重信号の分離回路を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 大型化を抑制しつつ、分岐比の劣化を抑制することができる、光導波路、光変調器、および、光カプラを提供する。
【解決手段】 光導波路は、基板に形成され、曲がり導波路と、前記曲がり導波路に接続されて分岐する分岐部と、を備え、前記曲がり導波路の前記分岐部と反対側の始点から前記分岐部に至るまでの導波路において、前記曲がり導波路の始点の実効屈折率よりも低い実効屈折率を有する低屈折率部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小さな寸法を有し、且つ光学性能に優れた光ハイブリッド回路を提供する。
【解決手段】光ハイブリッド回路１０は、２つの入力チャネル１１ａ、１１ｂと、４つの出力チャネル１２と、一方の端部１４に２つの入力チャネル１１ａ、１１ｂが接続され、他方の端部１５に４つの出力チャネル１２が接続される多モード干渉カプラ１３と、を備える。多モード干渉カプラ１３の幅は、対向する一対の側部１３ｅによって規定される。また、多モード干渉カプラ１３の幅は、一方の端部１４から他方の端部１５に向かって漸増している。多モード干渉カプラ１３における一対の側部１３ｅそれぞれの形状は直線である。２つの入力チャネル１１ａ、１１ｂは、一方の端部１４において、幅方向の中心軸ＣＬに対して非対称に接続される。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部における不要な高次モードの励起を抑制し、出力光の安定化を図ると共に、放射モード光を効率良く導出することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板にマッハツェンダー型導波路を形成した光導波路素子において、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部１３に入力される２つの導波路１１，１２の傾きが０度であり、該合波部の合波後の導波路がマルチモード導波路であり、さらに、該合波部から出力される導波路が、出力主導波路１４とそれを挟む２本の出力副導波路１５，１６からなる３分岐導波路で構成される。 （もっと読む）

【課題】交差に伴う損失を低減すると共に、端子間の距離を短くすることにより、交差部分を小型化して、PLC上の素子の集積密度を大きくする。
【解決手段】本発明は、両端でそれぞれ第１及び第２の入力端子に接続された第１の導波路と、両端でそれぞれ第１及び第２の出力端子に接続された第２の導波路とを備える。この第１の導波路と第２の導波路は近接して併走する区間を有して、この区間で方向性結合を生じ、第１の入力端子から入力した光は、相対する導波路に移行して、第２の出力端子から出力され、かつ、第２の入力端子から入力した光は、相対する導波路に移行して、第１の出力端子から出力される。 （もっと読む）

【課題】光分岐部および光合分岐部を構成する方向性結合器もしくは多モード干渉光カプラの結合率が製造誤差等によって５０％からずれた場合でも、消光比の高いが得られる光スイッチ及び波長選択スイッチを提供すること。
【解決手段】入力された光波を４つに分岐する入力分岐部１００１、それぞれの光波を位相変調する位相シフタ部２、及び位相変調された４つの光波を合分岐して出力する出力合分岐部３から構成される。入力分岐部１００１、位相シフタ部２及び出力光合分岐部３は、全て同一の平面光波回路上に形成されている。また、入力分岐部１００１と出力光合分岐部３とは、位相シフタ部２に対して対称な回路構成となっている。本光スイッチにおいて、第２段方向性結合器１３１と第３段方向性結合器３１１を結ぶ経路、及び第２段方向性結合器１３２と第３段方向性結合器３１２とを結ぶ経路は全て光路長が等しくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】例えば作製プロセスなどにおいて位相シフタ領域の導波路の幅や角度などが所望の値からずれてしまった場合であっても、特性が劣化してしまうのを抑制し、大きな作製トレランスが得られるようにする。
【解決手段】光デバイス１を、光信号を分岐する第１カプラ２と、光信号を干渉させる第２カプラ３と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第１導波路４と、第１カプラ２と第２カプラ３とを接続する第２導波路５とを備え、第１導波路４が、端部よりも幅が狭い部分を有する第１位相シフタ領域６を備え、第２導波路５が、端部よりも幅が広い部分を有する第２位相シフタ領域７を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】斜め光導波路を有する光導波路部にＡｌ及びＡｓを含む半導体層を含む素子部がバットジョイントされた光半導体集積素子を製造する場合の歩留まりを良くする。
【解決手段】半導体基板の上方に斜め光導波路５４を形成するための第１半導体積層構造を成長させる工程と、第１半導体積層構造上にバットジョイント成長用マスク１３を形成する工程と、マスク１３をエッチングマスクとして用いて第１半導体積層構造を除去する工程と、マスク１３を用いてＡｌ及びＡｓを含む第２半導体層を含む第２半導体積層構造をバットジョイント成長させる工程とを含む光半導体集積素子の製造方法において、マスク１３を、光伝播方向に対して平行な直線及び直交する直線のみによって規定される複数の矩形部分１３Ａ〜１３Ｇが斜め光導波路５４を形成する領域に沿って接合された平面形状を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】特性の低下を回避しながら高次横モードの励振を抑制することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の領域１１内のコア層１７及び第２の領域１２内のコア層１７は、光の伝搬方向に連続して延びている。第１の領域１１には、コア層１７の側面を露出する第１の突起部が形成され、第２の領域１２には、コア層１７の側面の少なくとも一部を露出する第２の突起部が形成されている。第１の突起部の底部は、コア層１７の下面よりも下方に位置し、第２の突起部の底部は、第１の突起部の底部よりも上方に位置する。 （もっと読む）