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【課題】AlGaN系の窒化物半導体を用い、均質な組成で十分な光閉じ込めができるクラッド層による光導波路が構成できるようにする。
【解決手段】基板101の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第1窒化ホウ素層102を備え、第1窒化ホウ素層102の上に接して形成されたAlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなる第1半導体層103を備え、第1半導体層103の上には、AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなるコア層104が形成されている。また、コア層104の上には、AlxGa1-xN(0.1≦x≦1)からなる第2半導体層105が形成され、第2半導体層105の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第2窒化ホウ素層106が接して形成されている。 (もっと読む)


【課題】磁気記録ヘッドに関連付けられたスライダにおける導波路に光を方向付けることを、低コスト、高い位置合わせ許容度および高い光伝達効率で実現する。
【解決手段】導波路300は、屈折率n3を有する第1のクラッディング層310と、第1のクラッディング層310に隣接して位置する、屈折率勾配(GRIN)層315と、屈折率n2を有する、屈折率勾配層に隣接して位置するアシスト層320と、屈折率n1を有する、アシスト層320に隣接して位置するコア層325と、屈折率n4を有する第2のクラッディング層330とを備える。屈折率n1は、屈折率n2,n3,n4よりも大きく、屈折率n2は、屈折率n3,n4よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】高い電界を印加する場合でも、歪みが生じていない偏向した光束を得ることができる光走査装置を提供すること。
【解決手段】入射光が透過する光導波路を有する光走査装置であって、前記光導波路は、印加される電界に基づいて屈折率が変化する電気光学素子を含み、前記電気光学素子に所定の周波数の電圧を印加することにより、該電気光学素子の屈折率を変化させ、前記変化した屈折率に対応させて、前記入射光を点滅する、ことを特徴とする光走査装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】 クラッドによるX線の閉じ込め効果を高めることで、高い伝搬効率で位相の揃ったX線を導波することが可能なX線導波路を提供する。
【解決手段】 X線を導波させるコアとクラッドを有するX線導波路であって、前記コアは、X線の導波方向に垂直な方向において、屈折率実部が異なる複数の物質を含む周期構造を有し、前記コアと前記クラッドとの間に平坦化層が設けられ、前記コア及び前記平坦化層は、前記クラッドと接しており、前記クラッドと前記平坦化層および前記コアとの界面における全反射臨界角が、該コアの周期性に起因するブラッグ角よりも大きいことを特徴とするX線導波路。 (もっと読む)


【課題】集積光学にレーザインスライダ光供給を効果的に行うための装置を提供する。
【解決手段】光源202は入力面に結合され、光源からの光を導波路205のコア層206に、および導波路の伝搬長さの一部に沿ってコア層の横に配置される屈折率分布型材料層216に、向ける。光は光源から入力面に放射される。これに対応して、屈折率分布型材料層は光を少なくとも伝搬長さの部分に沿ってコア層に向ける。 (もっと読む)


【課題】クラッドによるX線の閉じ込め効果を高めることで、高い伝搬効率で位相の揃ったX線を導波することが可能なX線導波路を提供する。
【解決手段】波長が1pm以上100nm以下のX線15を導波させるためのコア10とクラッド11、12を有するX線導波路において、コア10は、X線15の導波方向に垂直な方向において屈折率実部が異なる複数の物質を含む周期構造を有し、コア10とクラッド12間に平坦化層13が設けられており、平坦化層13とクラッド12の界面における全反射臨界角は、コア10の周期性に起因するブラッグ角よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】材料を無駄にすることなく、希土類化合物を用いた光素子が製造できるようにする。
【解決手段】エルビウムの酸化物よりなる希土類含有層105をスパッタ法などの物理蒸着法により、基板を加熱することなく形成し、例えば1000℃に加熱することで、希土類含有層105を溝部104に凝集させ、酸化エルビウムの結晶からなる希土類コア部106を形成する。希土類の酸化物は、加熱することで、下地に形成されている凹部に凝集する。また、この加熱により、アモルファス状態の酸化エルビウムが結晶化するので、希土類コア部106は、酸化エルビウムの結晶から構成されたものとなる。 (もっと読む)


【課題】光半導体装置とその製造方法において、光半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】半導体基板1を途中の深さまでエッチングすることにより、断面形状が凸状のコア4aを半導体基板1に形成する工程と、コア4aの一方の側面4xと他方の側面4yの各々に酸化防止膜22を形成する工程と、酸化防止膜22が形成された状態で、コア4aの両脇の半導体基板1の表面を熱酸化する工程と、コア4aの一方の側面4xの横の半導体基板1に第1の不純物領域を形成する工程と、コア4aの他方の側面4yの横の半導体基板1に第2の不純物領域を形成する工程とを有する光半導体装置の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】 X線の伝搬損失が少なく、位相のそろった、大きな断面積の単一の導波モードを実現できるX線導波路を提供する。
【解決手段】 X線を導波させるためのクラッドとコアからなるX線導波路であって、前記コアが屈折率実部の異なる複数の物質が周期的に配列された周期構造をもつ材料からなり、前記クラッドと前記コアが、電磁波の導波方向に垂直な面において、前記クラッドが前記コアを取り囲むように配置されており、かつ、前記コアにおける電磁波の導波方向に垂直な面における周期構造の周期性を表す基本ベクトル、または複数の基本ベクトルの和または差で形成されるベクトルの少なくとも一つの周期方向における、前記周期構造の周期性に起因するブラッグ角が、前記クラッドと前記コアの少なくとも1つの界面における全反射臨界角よりも小さくなるように、前記コアと前記クラッドが構成されているX線導波路。 (もっと読む)


【課題】入射光の利用効率を向上する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光路部材220は、中心部分222と、中心部分222の屈折率よりも低い屈折率を有する周辺部分221と、を含んでおり、光電変換部110の受光面111に平行な第5平面1005内、および受光面111に平行で第5平面1005よりも受光面111に近い第6平面1006内において、周辺部分221が中心部分222に連続して中心部分222を囲み、かつ、周辺部分221の屈折率が絶縁膜200の屈折率よりも高く、第5平面1005内における周辺部分221の厚みTH2よりも、第6平面1006内における周辺部分221の厚みTH4が小さい。 (もっと読む)


【課題】外部光導波路との結合に高い効率を提供できるスポットサイズ変換器を提供する。
【解決手段】遷移部29は遷移部33から間隔を置いて設けられる。遷移部29の幅W1と遷移部33の幅W2との比(W1/W2)は、光入出力部27から遷移部29への方向DIRC1に単調に小さくなる。スポットサイズ変換器13aでは、光入出力部27から遷移部29への方向DIRC1にコア幅の比(W1/W2)が単調に小さくなるので、遷移部33と遷移部29との光結合の大きさが、方向DIRC2に関して変化する。また、光入出力部27の幅W(I/O)が遷移部29から光入出力部27への第2の方向DIRC2にそって単調に大きくなると共にコア層23の厚さがコア層25の厚さより厚いので、コア層25の材料並びにコア層25の幅及び厚さとは独立してスポットサイズを変換できる。 (もっと読む)


【課題】高密度波長多重通信システムの光ファイバ伝送路にインライン型としても設置可能で、複数の波長チャネルを一括して補償し、各波長チャネルの分散補償残差をより小さくすることが可能な小型の光分散補償素子及びその設計方法を提供する。
【解決手段】該光分散補償素子の群遅延スペクトルは、該システムにおいて光信号の伝送を意図する波長である複数の波長チャネルのそれぞれにおいて所定のチャネル帯域幅の範囲で分散補償を意図する群遅延時間を有する複数の分散補償波長チャネル帯域A,B,C,D,E,Fに分割され、前記複数の分散補償波長チャネル帯域は、チャネル帯域幅がそれぞれ異なり、かつ、前記複数の分散補償波長チャネル帯域は、ps/nmを単位として表した分散補償量と、nmを単位として表したチャネル帯域幅との積が、略同一である。 (もっと読む)


【課題】 リブ型光導波路デバイス及びその製造方法に関し、光導波路における光閉じ込め効果を減少させることなく、単結晶コアの側面ラフネスを低減する。
【解決手段】 SiOからなる下部クラッド層と、前記下部クラッド上に設けられたSi1−xGe(但し、0≦x≦0.3)からなる単結晶コアと、前記単結晶コアの側面に拡散防止膜を介して設けられた屈折率緩和層と、前記単結晶コアの上面と前記拡散防止膜及び屈折率緩和層の露出面を覆うSiOからなる下部クラッド層とを有する光導波路を備え、前記屈折率緩和層の屈折率を、前記単結晶コアの屈折率より小さく且つ前記上部クラッド層の屈折率より大きくする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、回路規模を大きくせず回路設計製造を難しくせず、光がスラブ導波路からアレイ導波路に向けて入射するとき、または、光がアレイ導波路からスラブ導波路に向けて入射するときに、挿入損失を低減することができる光導波路を提供する。
【解決手段】本発明は、回折格子GP又はGAが形成されたスラブ導波路1と、回折格子GP又はGAの自己像の明干渉部分が形成される位置に接続されたアレイ導波路2と、スラブ導波路1及びアレイ導波路2の間に形成され、光伝搬の方向と略垂直な方向の屈折率分布における屈折率の平均値が、スラブ導波路1側からアレイ導波路2側に向かうにつれて平均的に高くなり、光伝搬の方向と略平行な方向の屈折率分布における屈折率の平均値が、アレイ導波路2の中心軸において高くなる屈折率変化領域DVと、を備えることを特徴とする光導波路である。 (もっと読む)


【課題】光伝送性能を損なうことなく、コア層とクラッド層の密着力を向上させた光導波路を提供すること。
【解決手段】光導波路1は、コア部21と前記コア部21より屈折率の低いクラッド部22とを有するコア層2と、前記コア層2を挟んで配置される2つのクラッド層3、4とを備え、前記コア層2と前記2つのクラッド層3、4の少なくとも一方との間に厚さが1から100nmの薄膜層5を含む。薄膜層5はコア部21よりも屈折率の高い材料からなるものであることが好ましい。薄膜層5は、コア層2とクラッド層3、4の密着力を向上させ、層間剥離を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、AuZn膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部32を保護膜22によって覆う第1の絶縁膜形成工程と、メサ部32を樹脂領域20によって埋め込むとともに、メサ部32上の該樹脂領域20の部分に開口20cを形成する工程と、開口20cにおいて露出した保護膜22、及び樹脂領域20を保護膜24によって覆う第2の絶縁膜形成工程と、メサ部32上の保護膜22,24の部分に開口を形成する工程と、Ti膜を含む金属膜26aを、該Ti膜と保護膜24とが互いに接触するように開口20c内を除く樹脂領域20上に形成する工程と、Au膜を含む金属膜26bを、該Au膜とメサ部32とが互いに接触するようにメサ部32上から金属膜26a上に亘って形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】導波路内の光の伝播の方向に対して傾斜している分極反転光学領域を有する、非線形光学結晶材料を備える周期分極反転光導波路が提供される。
【解決手段】傾斜している分極反転光学領域から反射された光は、光導波路の中へ戻って効率的に結合することがなく、このことにより、導波路に結合された半導体レーザ光源への背面反射の低減が助長される。背面反射が低減すると、半導体レーザ光源の安定稼働が助長される。傾斜している分極反転領域を有する周期分極反転光導波路を製造する方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】検出感度に優れる比色センサセルおよび比色センサを提供すること。
【解決手段】検知部30と、検知部30に隣接するサンプル配置部31とを備える比色センサセル1において、検知部30に、第1樹脂からなるアンダークラッド層3と、第2樹脂からなり、アンダークラッド層3に被覆されるコア層4とを備える光導波路を備えて、コア層4のアンダークラッド層3と接触する表層に、第1樹脂が第2樹脂に浸透されている樹脂混合層23を形成する。 (もっと読む)


【課題】安価で容易に作製可能な光カプラを実現すること。
【解決手段】光カプラ1は、石英基板10と、石英基板10の両面にそれぞれ形成されたAgからなる金属膜11、12と、を有している。金属膜11は、石英基板10の一方の表面10aに形成され、金属膜12は、石英基板10の他方の表面10bの全面に形成されている。金属膜11には、その金属膜11を貫通する孔13が複数形成されている。孔13の石英基板10の主面に平行な面での断面は円形である。孔13の直径は、150nmである。孔13は正方格子状に配列されており、その孔13の間隔は500nmである。この光カプラ1では、石英基板10内の入射光14の一部を、入射光14の伝搬方向に対して111°の方向に分岐光15として放射させることができる。 (もっと読む)


【課題】検出感度を高めたリング共振型の微小物質検出センサおよびそれを有する微小物質検出装置を提供する。
【解決手段】リング状の第1の導波路からなる光リング共振器と、光リング共振器と近接して配置された第2の導波路とを含む。第1の導波路は、方形状の断面形状を有するコアを含む。光リング共振器は、コアの断面における特定の辺に対応する表面部分で被検出物質と接触するように構成されている。コアの断面形状は、コアから被検出物質へ向かう方向と平行な方向の第1の長さが、コアから被検出物質へ向かう方向と垂直な方向の第2の長さと比較して、より短くなるように構成される。 (もっと読む)


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