【課題】リング導波路の曲率半径を小さくしても伝播損失を抑制できる導波路型光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路型光デバイス３０は、基板４０と、基板４０上に形成されたリング導波路３２とを有する。リング導波路３２はリング状のコア４２と、クラッド４３とにより形成されている。リング状のコア４２の内周面には、リング状のコア４２よりも薄く且つリング状のコア４２の内周面に沿って所定の幅で形成されたスラブ層３３が接続されており、リング状のコア４２の外周にはスラブ層が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】 半導体光集積素子及びその製造方法に関し、光導波路の伝播損失を増大させることなく、ＰＤの暗電流を１０ｎＡ以下まで低減する。
【解決手段】 ｎ型クラッド層側から順に少なくとも光吸収層及びＺｎドープｐ型クラッド層が積層されたフォトダイオード領域の傾斜側面に対して[０１１]方向にバットジョイント結合した光導波路領域における光導波路層に（１００）面方位での飽和濃度以下の濃度のＦｅをドープし、上側クラッド層に（１００）面方位での飽和濃度以上の濃度のＦｅをドープする。 （もっと読む）

【課題】コスト及びサイズが低減された、外部光回路を用いない、シリコン導波路素子を用いたワンチップ偏波もつれ光子対発生素子を提供する。
【解決手段】偏波されたポンプ光が入力され、自然放出四光波混合過程によりＴＥ偏波成分に対して第１の量子相関光子対を生成すると共にＴＭ偏波成分に対して第２の量子相関光子対を生成する第１の単結晶半導体導波路と、前記導波路を通過したＴＥおよびＴＭ偏波成分と第１および第２の量子相関光子対との偏波面をそれぞれ９０度回転させる偏波回転素子と、自然放出四光波混合過程により９０度回転されたＴＥ偏波成分に対して第３の量子相関光子対を生成すると共に９０度回転されたＴＭ偏波成分に対して第４の量子相関光子対を生成する第２の単結晶半導体導波路と、を備え、第２の単結晶半導体導波路における、偏波面が９０度回転された第１の量子相関光子対および第４の量子相関光子対から偏波もつれ光子対を生成する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮ系の窒化物半導体を用い、均質な組成で十分な光閉じ込めができるクラッド層による光導波路が構成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成された六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第１窒化ホウ素層１０２を備え、第１窒化ホウ素層１０２の上に接して形成されたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０．１≦ｘ≦１）からなる第１半導体層１０３を備え、第１半導体層１０３の上には、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）からなるコア層１０４が形成されている。また、コア層１０４の上には、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０．１≦ｘ≦１）からなる第２半導体層１０５が形成され、第２半導体層１０５の上には、六方晶系の窒化ホウ素からなるクラッド層としての第２窒化ホウ素層１０６が接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】石英系光導波路デバイスとフォトダイオードとが、同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。
【解決手段】光モジュールは、シリコン基板１００と、シリコン基板１００の上に形成されたＳｉＯ₂からなる下部クラッド層１０１と、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に形成されたゲルマニウムフォトダイオード１１０ａと、下部クラッド層１０１の上の第１領域１１０に連続する第２領域１２０に形成されたシリコンコア１２１と、第２領域１２０の一部から第２領域１２０に連続する第３領域１３０にかけて形成された石英コア１３１とを備える。また、ゲルマニウムフォトダイオード１１０ａ，シリコンコア１２１，および石英コア１３１の上に形成されたＳｉＯ₂からなる上部クラッド層１０３を備える。 （もっと読む）

【課題】ハイメサ光導波路においてハイメサの機械的強度が弱くなりプロセス中に折れやすくなる。
【解決手段】光デバイスであって、基板と、前記基板側から順に配置された第１の下側クラッド層部と、コア層部と、第１の上側クラッド層部と、を含むメサ、を備える第１の光導波路と、前記基板上に積層されるとともに、前記第１の光導波路を形成する際のエッチングを停止させる第１のエッチストップ層と、を有し、前記第１の光導波路は、前記第１のエッチストップ層上に積層されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ光学特性が安定したアレイ導波路回折格子型光合分波器を提供すること。
【解決手段】第１入出力導波路に接続された第１スラブ導波路と、第１スラブ導波路に接続され、互いに長さが異なり並列に配列された複数のチャネル導波路からなるアレイ導波路と、アレイ導波路に接続された第２スラブ導波路と、第２スラブ導波路に接続された複数の第２入出力導波路と、を有するアレイ導波路回折格子チップと、その下面に接合された下地板とが、第１スラブ導波路または第２スラブ導波路を横断する切断面において２つに切断されて形成された固定片および可動片と、固定片が接合されるとともに可動片が当接される基準板と、固定片と可動片との間に掛け渡されるように設けられ、アレイ導波路回折格子の光透過中心波長の温度依存シフトを補償する補償部材と、可動片が基準板上をスライドできるように基準板と可動片とを挟持するクリップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 光干渉素子のクロスポイントチューニングを行うことなく、光デバイスの位置決めを行うことができる、光デバイスの位置決め方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスの位置決め方法は、入力カプラと、前記入力カプラに接続された複数の半導体アームと、前記半導体アームの出力を干渉させる出力カプラと、を備える光干渉素子において、前記複数の半導体アームのうち、１つを除く他のすべての半導体アームに光吸収特性を生じさせる制御を行う第１ステップと、前記第１ステップの後に、前記出力カプラから出力される前記入力光を測定しつつ、前記光干渉素子と光結合する光デバイスの位置決めを行う第２ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料を無駄にすることなく、希土類化合物を用いた光素子が製造できるようにする。
【解決手段】エルビウムの酸化物よりなる希土類含有層１０５をスパッタ法などの物理蒸着法により、基板を加熱することなく形成し、例えば１０００℃に加熱することで、希土類含有層１０５を溝部１０４に凝集させ、酸化エルビウムの結晶からなる希土類コア部１０６を形成する。希土類の酸化物は、加熱することで、下地に形成されている凹部に凝集する。また、この加熱により、アモルファス状態の酸化エルビウムが結晶化するので、希土類コア部１０６は、酸化エルビウムの結晶から構成されたものとなる。 （もっと読む）

【課題】 オフセットを設けることなく光損失を低減することを可能とする光導波路構造の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体積層６０Ａを基板２の上に設け、マスク７１を半導体積層６０Ａの上に形成し、マスク７１を用いて半導体積層６０Ａをエッチングして導波路メサ５、第１のテラス３、第２のテラス４、第１のトレンチ６、第２のトレンチ７を形成し、導波路メサ５を埋め込むように樹脂体９を設け、導波路メサ５の上面５ａ及び樹脂体９の上に金属体１０を設け、金属体１０を加熱した後に冷却する。金属体１０は、第１の領域２１の上に設けられた第１の部分１１と、第２の領域２２の上に設けられた第２の部分１２と、第１の部分と第２の部分とに接続され導波路メサ５の上面５ａに接合する第３の部分１３とを含む。第１の部分１１は、第２の部分１２よりも長い。 （もっと読む）

【課題】典型的な２次元フォトニック結晶構造を有する光共振器において、Ｑ値等の性能が十分高い構造を実現する。
【解決手段】光共振器１００は、所定の穴径で一列に一定周期で並んだ結晶穴５を持つ１次元のフォトニック結晶２を利用する。フォトニック結晶部材の厚さを所定の範囲に設定する。光波回路・電子回路において層間分離膜や封止膜としての役割を果たす低屈折率のシリコン酸化膜３，４を使用して１次元フォトニック結晶共振器を埋め込み、必要十分なＱ値を確保できる。前記層間分離膜または封止膜を利用して、フォトニック結晶と光波回路または電子回路とを集積化する。 （もっと読む）

【課題】共通の基板に形成され、複数のメサ型導波路を含む光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光素子の製造方法は、第１半導体積層部および第２半導体積層部を形成する段階と、第１形成マスク及び第１保護マスクを形成する段階と、第１形成マスクおよび第１保護マスクが形成されていない半導体層をエッチングし、第３半導体積層部を結晶成長させ、埋込メサ型導波路を形成する段階と、第４半導体積層部を結晶成長させる段階と、第２保護マスク及び第１保護マスクより幅の小さい第２形成マスクを形成する段階と、第２保護マスクおよび第２形成マスクが形成されていない半導体層をエッチングして、ハイメサ型導波路を形成する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】 光半導体素子及びその製造方法に関し、イオン注入工程を削減して、簡易な製造工程で光半導体素子を製造する。
【解決手段】 各スラブ導波路部とそれに接する隆起領域とに注入イオン分布のピークが、前記スラブ導波路部の厚さよりも深い位置となり且つ前記隆起領域の厚さよりも浅い位置になる条件で各導電型の不純物をイオン注入する。 （もっと読む）

【課題】容易に形成することができ、且つ偏波面（偏光面）を十分に回転させることができる偏波回転素子を提供する。
【解決手段】偏波回転素子１Ａは、主面１０ａを有する基部１０と、Ｘ軸方向に延びる光導波路２０とを備える。光導波路２０は、Ｘ軸方向に連続して延びる下段部２１、及び該下段部２１上に設けられておりＸ軸方向に連続して延びる上段部２２を含むとともに、Ｘ軸方向に分割された第１及び第２の領域を有する。第１の領域において、下段部２１の一方の側面２１ａはＸ軸方向に対して傾斜しており、Ｙ軸方向における下段部２１の幅が光導波路２０の一端２０ｆ側から他端２０ｇ側へ向けて次第に拡がっている。第２の領域において、下段部２１の他方の側面２１ｂはＸ軸方向に対して傾斜しており、Ｙ軸方向における下段部２１の幅が光導波路２０の一端２０ｆ側から他端２０ｇ側へ向けて次第に拡がっている。 （もっと読む）

【課題】偏向方位分解能の向上、偏向角の拡大、搭載自由度の向上、および構造の簡略化を実現する
【解決手段】光偏向素子１は、内部を光が導波する光ガイド層１３と、光ガイド層１３の上面および下面に形成されたＤＢＲ１４およびＤＢＲ１２とを備え（以下、光ガイド層１３とＤＢＲ１２，１４とをまとめて「導波路」という）、さらに、ＤＢＲ１４の両面のうち導波路と非接触となる側の面に形成された光入射口２６と、光入射口２６から入射して導波路内を導波する光を出射させるための光出射口２７とを備える。そして、光入射口２６から導波路内に光が入射すると、導波路内の光は、光ガイド層１３の上面および下面に設けられたＤＢＲ１２，１４で反射しながら光導波層内を導波し（矢印Ｄ１を参照）、その後、光出射口２７から出射する（矢印Ｄ２を参照）。 （もっと読む）

【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるＳｉ集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Ｓｉ同一基板１００上に、レーザ光源素子１０１と、Ｓｉ基板１００に直接設けられたＳｉ導波路１０２とを具備し、Ｓｉ導波路１０２が基板水平方向に形成され、Ｓｉ導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第１のテーパ面１０６と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第２のテーパ面１０７がそれぞれ表面に露呈した光路変換部１０６を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部１０４およびＳｉ基板１００内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】垂直方向の光路を動的に切り替えることができる光スイッチ機能エレメントを並列配置して、波長ルーティング素子と接続することによって、光回路を構成する。
【解決手段】本発明の一実施態様は、波長周回性を有する１個の波長ルーティング素子と、経路切替光スイッチと、経路選択光スイッチ１３とを備えた光回路である。前記経路切替光スイッチおよび前記経路選択光スイッチは、光導波路が２層以上積層された光導波回路と、該光導波回路に挿入された中空構造マルチモード光導波路とから構成された光スイッチ機能エレメントを含む。前記中空構造マルチモード光導波路は、対向する２つのブラッグ反射鏡と、該ブラッグ反射鏡を支える２つの反射板と、前記光導波回路のコアの端面とに囲まれた中空光導波路を備え、前記中空光導波路の高さＨ_MMIを可変制御して、垂直方向に光路を切り替える。 （もっと読む）

【課題】集積型光受信機または光送信機において、温度変化により発生する光軸ズレと、光機能回路の特性劣化の双方を抑制する。
【解決手段】基板と、該基板とは異なる材料からなり、前記基板上に形成された導波路型の光機能回路とを有する平面型光波回路であって、前記光機能回路からの出射光が出射される光導波路の出射端面または前記光機能回路への入射光が入射される光導波路の入射端面が形成された一辺に接して、光導波路のみが形成されている導波路領域を含み、前記導波路領域が形成された部分の前記基板の底面においてのみ、前記平面型光波回路を保持する固定用マウントに固定されている。 （もっと読む）

【課題】内部での光の散乱及び反射を抑制することができる光半導体集積素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１の半導体層３２が埋め込まれた高抵抗半導体基板３１と、第１の半導体層３２上に形成された光活性層３３及び第２導電型の第２の半導体層３４と、高抵抗半導体基板３１上に形成された導波路コア層３６を含む導波路部と、が設けられている。そして、光活性層３３と導波路コア層３６とが光の伝播方向に沿って互いに接触している。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の波長依存性、位相誤差を低減して、使用可能な波長範囲を拡大できる光集積回路を提供することにある。
【解決手段】入力導波路１１ａ，１１ｂ、出力導波路１２ａ，１２ｂ、マルチモード干渉型光導波路部１３からなる、任意の数の入出力導波路を有する光集積回路であって、所望の光の波長範囲に対して、入力導波路１１ａ，１１ｂ、出力導波路１２ａ，１２ｂの少なくともどちらか一つの部分の導波路幅が光の伝搬方向に沿って変化し、前記入力導波路、前記出力導波路中の任意の点において、前記入力導波路の入力端からの入力フィールドの順伝搬のフィールドの波面と、前記出力導波路の出力端からの出力フィールドの逆伝搬させたフィールドの波面とが一致するように変動している。 （もっと読む）