【課題】小型、低コストでかつ安定性が高く、フェムト秒領域のCWモード同期を実現できる固体レーザ装置を得る。
【解決手段】固体レーザ媒質15と可飽和吸収ミラー16とをレーリ長の２倍以下の距離で近接配置する。その上で、可飽和吸収ミラー16の吸収変調深さΔＲを0.4％以上とし、パルス幅に対して所定の関係式で表される、共振器内を所定の波長の光が一往復した場合の共振器内全分散量の絶対値｜Ｄ｜（ただしＤ＜０）を、可飽和吸収ミラー16により基本周期のソリトンパルス以外の動作様式が抑制可能なパルス帯域内に設定し、出力ミラーとして、所定の波長の光18に対して、ミラー分散量が−1000fs²〜−100fs²であり、かつ、反射率が97％〜99.5％である負分散ミラー５を用いる。 （もっと読む）

【課題】領域選択成長技術を適用して、均一性のある微細構造を生産できる微細構造素子製造装置及び微細構造素子生産方法を提供すること。
【解決手段】基板が搭載される試料ホルダ４０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるため基板の温度を所定の範囲に加熱する加熱器５０と、基板３０に選択的に結晶を成長させるための少なくとも１つ以上の第１の開口部と、当該１つ以上の第１の開口部の外側に複数の第２の開口部を有するマスク１０と、マスク１０が搭載されるマスクホルダ２０と、を備える微細構造素子製造装置。 （もっと読む）

【課題】半導体あるいは非線形光学材料を用いた光制御光スイッチで、化学的に安定で量子効率が高く高周波動作が可能なスイッチを提供し、高速・大容量通信に資する。
【解決手段】光スイッチング材料をナノサイズとし、多孔質の高誘電率材料の空隙に支持させる。例えば、光スイッチング材料であるＧａＡｓ微結晶１をカーボンナノホーン２の表面に支持させる。光スイッチング材料がナノサイズであることにより、光励起電子・正孔対の発生効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】光波形整形素子において、しきい値となる入力パワー（動作入力パワー）を低くしながら、Ｓ／Ｎを改善することで、劣化した信号の増幅、及び、光信号の雑音を抑制して波形を整形する波形整形を同時に実現できるようにする。
【解決手段】光波形整形素子を、活性層３を有する半導体光導波路１０を備え、光増幅領域Ａ₁〜Ａ_nと光吸収領域Ｂ₁〜Ｂ_nとを半導体光導波路１０に沿って交互に設け、一の光増幅領域Ａ₁の長さを、入力パワーのオンレベル時に所望の増幅率が得られるように他の光増幅領域よりも長くし、オンレベル時に、一の光増幅領域Ａ₁以外の各光増幅領域Ａ₂〜Ａ_n及び各光吸収領域Ｂ₁〜Ｂ_nによってパワーレベルが維持されるようにし、入力パワーがオフレベルの時に、出力パワーレベルが入力パワーレベル以下になるように、各光吸収領域Ｂ₁〜Ｂ_nによって吸収されるようにする。 （もっと読む）

【課題】モード同期レーザーに有用な可飽和吸収体を提供する。
【解決手段】本願発明は、光ファイバの端面上にカーボン・ナノチューブを選択的に堆積させる。光ファイバの端面がカーボン・ナノチューブの分散液に暴露されると同時に、光が光ファイバを通して伝搬される。カーボン・ナノチューブは、光ファイバの発光コア上に選択的に堆積する。 （もっと読む）

本発明は、例えば、ディジタルデータ送信に使用される、光信号の全光再生を可能にする可飽和吸収体受動部品、並びに再生方法及び再生を実施するデバイスに関する。本発明は、前記部品を製造するための方法及びシステムにも関する。本発明は、前記部品を製造する方法及びシステムにも関する。本発明は、リアミラーを称される第１のミラー（Ｍ１）と、入射信号側に位置する第２のミラー（Ｍ２）との間に形成される可飽和吸収共振キャビティ（Ｃ１）における反射によって動作する光信号を処理するための光学部品であって、前記第２のミラーの反射率が前記リアミラーの反射率以上である前記光学部品を提案する。第２の実施態様では、前記部品は第３のミラー（Ｍ３）を含み、そして、第３のミラー（Ｍ３）は、第２のキャビティ中に設定され、そして、高レベル及び低レベルの再生をモノリシックに実施する。
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【課題】消費電力が小さく、波長の変換効率を高めることが可能な波長変換素子および波長変換素子駆動装置を提供する。
【解決手段】活性層２は、ＩｎＧａＡｓＰから構成される量子井戸構造を有し、可飽和吸収領域４と、光増幅領域５，６とを含む。光増幅領域５，６には、ｐ電極１１，１２を介して電流がそれぞれ注入される。可飽和吸収領域４には、ｐ電極１０を介して、光増幅領域５，６とは独立に電圧が印加される。入射面７から入射される入力光Ｐｉｎは、「１」または「０」の２値の光強度からなる光信号に白色雑音の雑音光を付加して生成されている。可飽和吸収領域４および光増幅領域５，６は、波長変換素子１が双安定状態の半導体レーザとなる条件で構成されている。 （もっと読む）

【課題】光パルス発生装置に関し、電源に直列接続した複数の半導体レーザダイオードを複数の光源として用いる簡単な構成で光パルス列を容易に発生させ得るようにする。
【解決手段】複数の半導体レーザダイオード１２及び１３からの発振光を混合して光パルスを発生させる光パルス発生装置に於いて、複数の半導体レーザダイオード１２及び１３を電源１１に対して電気的に直列に接続した。 （もっと読む）

【課題】 ＷＤＭ光通信に用いられる場合においても雑音光を抑圧して光ＳＮ比を向上させることができる雑音抑圧器を提供する。
【解決手段】 光ファイバ１５Ａから出力された光は、光学系１４Ａによりコリメートされて、空間型回折格子素子１２Ａにより波長毎に分波される。分波された各波長の光は、光学系１３Ａにより集光されて、可飽和吸収素子１１上の互いに異なる位置に入力される。可飽和吸収素子１１において、波長毎に、入力光のパワーが大きいときには該光は透過し、入力光のパワーが小さいときには該光は吸収される。可飽和吸収素子１１を透過した各波長の光は、光学系１３Ｂによりコリメートされて、空間型回折格子素子１２Ｂにより合波される。この合波された光は、光学系１４Ｂにより集光されて光ファイバ１５Ｂの端面に入力する。 （もっと読む）

【課題】２光子吸収断面積が大きく、２光子吸収を起こし易い有機非線形光学材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物を構成成分の少なくとも一部として含有することを特徴とする有機非線形光学材料。
【化１２】


［式中、Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は各々独立に置換基を有していてもよい２価の芳香環基を表し、Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸は各々独立に下記一般式（II）で表される２価の複素環基を表し、Ａｒ⁹〜Ａｒ¹²は各々独立に置換基を有していてもよい１価の芳香環基を表し、Ｍは、各々窒素原子に結合する２個の水素原子もしくは２価以上の金属イオンを表す。ただし、Ａｒ¹〜Ａｒ⁴とＡｒ⁵〜Ａｒ⁸、Ａｒ⁵〜Ａｒ⁸とＡｒ⁹〜Ａｒ¹²はそれぞれ共役系が繋がる状態で結合している。）
【化１３】


（式（II）中、環Ａと環Ｚは、炭素原子を２個共有して縮合した環を表し、各々置換基を有していてもよい。）］ （もっと読む）

改良した供与体−受容体−供与体化合物として働くスチルベン誘導体に基づく式（Ｉ）の共役系、および３次元光メモリの発色団光学媒体を含めての非線形光学素子におけるその使用を提供する。 （もっと読む）

テラヘルツ光学ゲート。本発明は、テラヘルツ領域（遠赤外線波長）の広帯域光学ゲートに関する。それは、上記テラヘルツ領域で第１光線（ＦＴＨｚ）を放射する第１光学ソース（２）と、上記テラヘルツ光線により照射される半導体材料を素材とする第１プレート（１）と、半導体材料を素材とする第１プレート（１）を飽和させることを可能とし、それをテラヘルツ波長で反射させることを可能とする波長で第２光線（ＦＩＲ）を放射する第２光学ソース（３）を備える。本発明は、またテラヘルツ信号測定のためのシステム、及びテラヘルツ発生器に関する。それは、特に、テラヘルツ信号測定のためのシステム、及びテラヘルツ発生器に適用できる。
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【課題】 簡潔かつ小さい構成で、低い消費電力で動作し、光の状態で波長変換および波形整形を行なう光機能素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ２本の線欠陥光導波路１および２と可飽和吸収領域６とによって方向性結合器が構成される。また、線欠陥光導波路１および２には、一方に信号光３が入射され、他方に制御光４が入射される。制御光４の強度は、可飽和吸収領域６が飽和しない程度になっている。この構成によれば、信号光３の強度が、可飽和吸収領域６を飽和させる値か否かによって、方向性結合器のオン／オフが行なわれるため、信号光３の波長変換および波形整形を光の状態で行なうことが可能になる。 （もっと読む）

二光子吸収による生成キャリアのライフタイムが短縮された、半導体に基づくラマンレーザ及び／又は増幅器が提供される。本発明の実施形態に従った装置は、半導体材料に配置された光導波路、及び光導波路に配置されたダイオード構造を有する。光導波路は、第１の波長及び第１のパワーレベルを有する第１の光ビームを受光して、該半導体導波路内に第２の波長の第２の光ビームの放出をもたらすようにポンプレーザに結合されている。ダイオード構造は、光導波路内で二光子吸収に応じて生成された自由キャリアを光導波路から掃き出すようにバイアスされる。

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【課題】 走査距離と消光比が大きい光走査型スイッチング素子を低コストで提供する。
【解決手段】 導波路１０３の壁をフォトニック結晶とした。これにより、θxを大きくした場合においても、反射率をほぼ１００％にすることが可能になる。また、θxを大きく取ることができるため、壁との相互作用を大きくすることができる。これにより、小さな変調によっても、光への相互作用は大きくなる。すなわち、本発明によれば、伝播する光の光軸と導波方向とのなす角が0°＜θx＜90°とし、かつ導波路１０３の面をフォトニック結晶することで、変調材料と相互作用を高めることができる。これにより、高い消光比を示す光スイッチング素子を低コストで提供できる。 （もっと読む）