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Fターム[3C022BB00]の内容

フライス加工 (3,690) | 工作物を回転させながらのフライス削り (11)

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Fターム[3C022BB00]に分類される特許

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【課題】加工スピードが速く高能率で、表面粗度の細かい加工を行う。
【解決手段】ワークヘッド部13と、ワーク回転手段14と、切削工具25と、切削工具揺動手段と、切削工具回転手段と、切削工具25をX軸方向及びZ軸方向に移動する第1移動手段及び第2移動手段と、ワークヘッド部13の回転角度を検知する回転角度検知手段と、切削工具揺動手段による揺動位置を検知する揺動位置検知手段と、ピストン素材40の回転軸中心から切削工具25までの距離を検知する第1移動位置検知手段と、ピストン素材40の回転軸方向に対する切削工具25の位置を検知する第2移動位置検知手段と、ピストン素材40の外周面40aに対し切削工具25によって荒削り切削と仕上げ切削を行い、荒削り切削と仕上げ切削では切削工具25の切削面がピストン素材40の面に対して異なる領域で接触するよう切削工具揺動手段の駆動を制御する制御部とを備えた。 (もっと読む)


【課題】従来のカップホイールダイヤモンド砥石のように目詰まりを起こすことなく、複数のMEMSデバイス又はNEMSデバイスを製造する過程の半導体ウエハにCuメッキされたメッキ層である金属層を高効率で研削加工ができるようにする。
【解決手段】本発明は、チャックプレート4にチャックされて研削加工される半導体ウエハWと、フライカッタープレート9の下面にフライカッター刃10とを備え、スピンドルケーシング7とスピンドル軸8とはエアベアリング11を介装すると共に、フライカッター刃10は外側フライカッター刃10aと同高又は若干高くした1又は2の内側フライカッター刃10b.10cを環状に植設させ、半導体ウエハWを多数のMEMSデバイス又はNEMSデバイスに製造する過程で形成される金属層Mを研削する。 (もっと読む)


【課題】 箱形状ワークの内部にある所要の加工箇所を、工具とワークの非加工部位との干渉を確実に回避しながら、効率的に加工する。
【解決手段】 NC装置によって制御軸駆動手段26を作動させて、回転テーブル9をB軸回りに回転させると共に、回転テーブル9と主軸ヘッド12とをX、Y、Z軸方向に相対移動させ、回転テーブル9上に固定された箱形状ワークMの内部の円弧状加工部を主軸ヘッド12の主軸13に装着した工具Tにより加工する際、箱形状ワークMの側面の開口部を通して工具Tの先端を円弧状加工部の加工開始点に位置させた後、回転テーブル9をB軸回りに回転させながら、回転テーブル9に対して主軸ヘッド12をX、Z軸方向に相対移動させて、工具Tの先端を、前記加工開始点から加工終了点まで前記円弧状加工部に沿って移動させる。 (もっと読む)


【課題】 被加工物の外周部を周方向に沿って略均等な切削幅で切削することが可能な切削方法を提供すること。
【解決手段】
スピンドル26に装着された切削ブレード22を用いて,被加工物保持手段30に保持された略円板状の被加工物12の外周部を周方向に沿って切削する切削方法が提供される。この切削方法は,被加工物保持手段30に保持された被加工物12の中心位置O’を測定する測定工程と;測定された被加工物12の中心位置O’と被加工物保持手段30の回転中心位置Oとの位置ずれ量d,φを算出する算出工程と;被加工物保持手段30を回転させながら,位置ずれ量d,φと被加工物保持手段30の回転角度θとに基づいて,切削ブレード22をスピンドル26の回転軸方向であるY軸方向に移動させて,被加工物12の外周部を被加工物12の中心位置O’から略同一の距離で周方向に切削する切削工程と;を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


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