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Fターム[3C034AA17]の内容

研削盤の構成部分、駆動、検出、制御 (11,657) | 用途 (2,428) | 回転砥石を使用しない研削 (90)

Fターム[3C034AA17]に分類される特許

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【課題】研磨対象膜の下層の金属材料の影響を排除し、渦電流センサを用いて、基板表面内の各領域での膜厚情報を取得することができ、得られた膜厚情報から基板の研磨終点を決定する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基板の研磨中に渦電流センサを基板の表面を横切るように移動させ、渦電流センサのインピーダンスの抵抗成分Xおよび誘導リアクタンス成分Yからなる座標X,YをX−Y座標系上にプロットし、X−Y座標系上に定義された複数のインピーダンスエリアにそれぞれ属する複数の座標X,Yを用いて、複数のインピーダンスエリアごとに複数の膜厚指標値を算出し、複数の膜厚指標値を用いて複数のインピーダンスエリアごとに基板の研磨終点を決定する。 (もっと読む)


【目的】、過研磨を防止することが可能な研磨装置を提供する。
【構成】実施形態の研磨装置(100)は、ステージ(101)と研磨部(102,104)と検出部(110)とロック機構(120)とを備えた。ステージ(101)は、半導体基板を載置する。研磨部(102,104)は前記半導体基板の上方から前記半導体基板の周縁部を研磨する。検出部(110)は前記半導体基板の基準高さ位置を検出する。ロック機構(120)は、前記研磨部(102,104)が前記基準高さ位置から所定の距離だけ前記半導体基板面側へ移動した場合に、研磨部(102,104)の半導体基板面側への更なる移動が停止されるように、前記研磨部(102,104)の移動を拘束する。 (もっと読む)


【課題】キャリアの厚さの経時変化に影響されず、ウェーハの平坦度を安定的に改善できる両面研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下の定盤で挟み込み、キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給しながらウェーハの両面を同時に研磨するウェーハの両面研磨において、高研磨レートで研磨する第1の研磨工程と、次に低研磨レートで研磨する第2の研磨工程とを有する両面研磨方法であって、研磨後にウェーハの平坦度を測定する工程と、平坦度の測定結果に基づいて次回研磨時の第2の研磨工程の研磨条件を設定する工程とを含むことを特徴とする両面研磨方法。 (もっと読む)


【課題】研磨布のドレッシング状態の変化によって生じる研磨速度の変化による研磨代のばらつきを抑制し、仕上がり厚さを高精度に制御できるシリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】所定の研磨代となるように研磨時間を設定し、タンク内に貯蔵された研磨剤を研磨布に供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させて設定した研磨時間で研磨し、供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させながらシリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返すシリコンウェーハの研磨方法において、研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度を予めデータベースに記録しておく工程と、所定の研磨代となるように研磨時間を設定する際に、データベースに記録された研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度に基づいて研磨時間を設定する工程とを有するシリコンウェーハの研磨方法。 (もっと読む)


【課題】温度ドリフト等のノイズによる影響を受けにくく、高精度な距離測定又は変位量測定を行うことができる距離測定装置を実現する。
【解決手段】光源10から透明体12を介してワーク表面に向けて測定ビームを投射すると、透明体12の第1の面12aを透過して第2の面12bで反射し、第1の面12aから出射する第1の反射ビーム13aと、透明体12の第1の面12a及び第2の面12bを透過し、ワーク表面で反射し、再び透明体12の第2の面12bを透過して第1の面12aから出射する第2の反射ビーム13bとが光検出手段15に入射する。信号処理装置16は、第1の反射ビーム13aを受光した受光素子と第2の反射ビーム13bを受光した受光素子との間の距離情報に基づいて透明体12の第2の面12bからワーク表面までの距離又は変位量を出力する。 (もっと読む)


【課題】研磨ヘッドの高さ方向の位置を安定して高精度に調整可能な研磨ヘッドの高さ方向の位置の調整方法を提供し、研磨するワークの平坦度を向上し、ワーク間の平坦度のばらつきを抑制することを目的とする。
【解決手段】ワークが保持されていない研磨ヘッドを研磨布と接触しない高さ方向の位置に位置決めした後、研磨ヘッドと定盤の少なくとも一方を回転させる工程と、高さ調整機構によって研磨ヘッドを研磨布に接触させるまで近づけながら、回転させた研磨ヘッドと定盤の少なくとも一方の負荷トルク電流をトルク測定機構によって測定し、該測定した負荷トルク電流の変化量が所定の閾値を超えた時点の研磨ヘッドの高さ方向の位置を基準位置として設定する工程と、設定した基準位置からの距離に基づいて、研磨ヘッドの高さ方向の位置を所定位置に調整する工程とを有する研磨ヘッドの高さ方向の位置の調整方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、研磨量を正確に制御することのできるワークの研磨方法及び研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ワークの両面を研磨するに当たり、排スラリーの温度変化率の変化を捉えることにより、ワークの研磨量を制御するものである。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成でウェーハの取り代を適切に制御可能な研磨装置を提供すること。
【解決手段】バッキングパッド32およびリテーナリング33が一体化された研磨ヘッド3を備えた研磨装置1であって、ウェーハWの研磨中にリテーナリング33が研磨パッド23上のスラリーPから受けるリテーナ液圧Frを測定するリテーナ液圧測定手段35と、このリテーナ液圧測定手段35で測定されたリテーナ液圧Frに基づいて、研磨ヘッド3に付与するヘッド加圧力Fh、定盤22の回転数、および、1バッチあたりの研磨時間のうちの少なくとも1つのパラメータを設定するパラメータ設定手段と、を備え、研磨制御手段は、パラメータ設定手段で設定されたパラメータに基づいて、回転駆動手段および研磨ヘッド加圧手段のうち少なくとも一方を制御する。 (もっと読む)


【課題】積層ゴム部材で構成した研磨部材の支持機構において、積層ゴムの破損の虞を低減するとともに研磨装置の大型化に対応した積層ゴム部材の取り付け構造を可能とする。
【解決手段】研磨部材を被加工部材の加工面に相対的に揺動可能に支持し、前記被加工部材に前記研磨部材を押し付けた状態で前記研磨部材を前記被加工部材の加工面に水平な方向に相対運動させて前記被加工部材の加工面を研磨する研磨装置において、回転駆動源からの回転トルクを前記研磨部材に伝達する回転伝達部材と、前記回転伝達部材に設けられた第一の取り付け部材と、前記研磨部材に設けられた第二の取り付け部材との間に、与圧を与えるように介在された、前記回転伝達部材の回転トルクを伝達するとともに前記研磨部材の揺動運動に追従して変形する積層ゴム部材とを有する回転伝達機構と、を備えた研磨装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】研磨パッド表面に向けてガスを噴射して研磨パッドの温度を制御しつつ、基板と研磨パッドとの研磨界面への研磨液供給量が不足して研磨レートが低下するのを抑制したり、適正な研磨レートを保つことができるようにする。
【解決手段】研磨パッドに向けてガスを噴射して研磨パッドの温度を制御しながら、研磨液が供給されている研磨パッドの表面に基板を摺接させて該基板を研磨する研磨方法であって、基板の研磨時に研磨パッドに向けて噴射されるガス流量と研磨パッドに供給される研磨液流量とを互いに連動させる。例えば、基板の研磨時に研磨パッドに向けて噴射されるガス流量と研磨パッドに供給される必要研磨液流量との相関を示すデータを基に、基板の研磨時に研磨パッドに供給される研磨液流量を調整する。 (もっと読む)


【課題】渦電流センサの発振周波数、内部回路の増幅度および励磁電圧を上昇させることなく、半導体ウエハ等の基板上の金属薄膜(または導電性薄膜)を検出することができる渦電流センサを提供する。
【解決手段】金属膜(または導電性膜)mfが形成された基板の近傍に配置されるセンサコイル60を備えた渦電流センサであって、センサコイル60は、前記信号源に接続された発振コイル62と、金属膜または導電性膜mfに形成される渦電流を検出する検出コイル63と、検出コイル63に直列に接続されるバランスコイル64とを有し、検出コイル63は、列を基板に対して垂直方向、層を基板に対して平行方向と定義したときに、線材又は導電体を1列複数層に巻いたコイルからなる。 (もっと読む)


【課題】簡易な制御でありながら、精度よくフィレットローラの欠損を判定する。
【解決手段】逐次算出した所定時間あたりの電力変化量ΔPiを用いて電力変化量積算値ΔPjおよび電力変化量最大値ΔPmaxjを算出し(ステップS102〜S108,S114)、電力変化量積算値ΔPjと電力変化量最大値ΔPmaxjとを含む直近20ケの電力変化量積算値ΔPj−19〜ΔPjおよび電力変化量最大値ΔPmaxj−19〜ΔPmaxjを用いて許容値範囲ΔPjmav±3σsjおよびΔPmaxjmav±3σmjを設定して(ステップS112〜S118)、電力変化量積算値ΔPjおよび電力変化量最大値ΔPmaxjが許容値範囲ΔPjmav±3σsjおよびΔPmaxjmav±3σmjの範囲内であるか否かによってフィレットローラRが欠損しているか否かを判定する(ステップS120)。この結果、簡易な制御で欠損判定をすることができる。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、研磨装置の提供。
【解決手段】毎回同じ目標板厚値Aに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段として上定盤40を備える、研磨装置であって、上定盤40によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Tcを測定するために上定盤40のモーター駆動軸61に対する相対位置を計測する接触式変位センサ65と、上定盤40によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Tと目標板厚値Aとの仕上がり誤差に基づいて、接触式変位センサ65の計測結果に基づいて得られた研磨中板厚値Tcの板厚補正値Tpを算出する制御部90とを備え、上定盤40は、板厚補正値Tpが目標板厚値Aに到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ等の基板を研磨面に押圧するためのメンブレンの特性を装置に入力することにより、メンブレンの特性に合わせた最適な研磨条件で基板を研磨することができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル101と、圧力流体が供給される圧力室5,6,7を形成する弾性膜であるメンブレン4と、メンブレン4を保持するトップリング本体2とを有し、圧力室5,6,7に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面に押圧するトップリング1と、装置内の各機器を制御する制御部とを備え、制御部は、予め測定したメンブレン4の特性を入力することによりメンブレン4の特性に合わせて研磨条件を変更する。 (もっと読む)


【課題】磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供する。
【解決手段】アミン部分の未反応−NCO部分に対する化学量論比が95%未満で前記芳香族ポリアミンおよびイソシアネート末端プレポリマーポリオールが提供され、前記光安定性ポリマー終点検出窓が、1kPaの一定軸引張荷重で60℃一定温度で100分で測定したときに0.02%以下の時間依存性歪みを示し、厚み1.3mmの窓について波長380nmにおいて、15%以上の光学複光路透過率(optical double pass transmission)を示し、かつ研磨表面が、磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッド。 (もっと読む)


【課題】深い溝に埋め込まれる被加工層の表面に対する平坦化工程のプロセス管理を高い精度で行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被エッチング材10の主面を選択的にエッチングして第1の溝STとこの第1の溝STよりも深い第2の溝DTとを形成する工程と、第1の溝ST及び第2の溝DTにそれぞれ被加工材料を堆積させて被加工層を成膜する工程と、この被加工層の表面を平坦化する平坦化工程と、平坦化工程の後または途中で第1の溝STにおける被加工層14Sの厚みを測定する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】圧力室を形成するメンブレンを用いた基板保持装置において研磨中に半導体ウエハ等の基板の温度を推定して基板の温度を制御することができる基板保持装置および該基板保持装置を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面101aを有した研磨テーブル100と、基板Wを保持して研磨面101aに押圧する基板保持装置1と、制御部50とを備えた研磨装置であって、基板保持装置1は、基板に当接して基板保持面を構成する弾性膜4と、弾性膜4の上方に位置するキャリア43と、弾性膜4とキャリア43との間に形成された圧力室5,6,7,8と、弾性膜4からの熱エネルギを測定する赤外線検出器45とを備え、制御部50は、赤外線検出器45による測定値を用いて弾性膜温度推定値を算出する。 (もっと読む)


【課題】埋め込み配線層を研磨加工する際の終点検出をより効果的に行うことのできる研磨加工の終点検出方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る終点検出方法は、半導体基板上に形成された半導体デバイスの埋め込み配線層を研磨する際の終点検出方法であって、半導体基板上に形成された絶縁膜に膜厚測定用の溝をダイシングライン上に形成する工程と、溝を含む絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、研磨液を用いて、金属膜を研磨する工程と、ダイシングライン上の溝の位置に対応する窪み内に残存する金属膜の膜厚を計測するステップと、を具備する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、インサイチュ終末点検出器の機能の低下なしに化学機械的研磨効率の極大化に適合する研磨パッド、化学機械的研磨効率を極大化させることができる研磨パッドを用いて化学機械的研磨工程をモニターする方法、研磨テーブルを用いて化学機械的研磨工程の終末点を検出する方法並びに、研磨パッドを製造する方法を提供する。
【解決手段】透明な支持層を備える研磨層を含み、透明な支持層に研磨層よりも薄く形成される層が隣接し、研磨層に付着したプラテン層をさらに含み、プラテン層は支持層に対応する位置で貫通ホールを有し、当該ホールの研磨層側の断面が広く形成される部位に直接的に接して支持されるとともに支持層と接する透明なプラテン窓を備え、プラテン窓の研磨層に対して前記プラテン層が位置する方向である下方の部位がプラテン層の研磨層と接する面よりも下方に位置する化学機械的研磨パッドである。 (もっと読む)


【課題】ワークの切削時とフランジの端面修正時とでワーク保持用の保持部材とフランジ端面修正治具とを置き換える必要がない切削加工装置を提供する。
【解決手段】ワークを保持する保持テーブル20と保持テーブル20を回転させる回転支持部と回転支持部を囲む支持部カバー23とを有する保持手段2と、保持テーブル20に保持されたワークを切削加工する切削ブレードと切削ブレードを回転させるスピンドルとスピンドルの先端に切削ブレードを端面で挟持して固定するフランジとを有する切削手段とを備えた切削加工装置において、保持テーブル20に隣接して支持部カバー23にサブテーブル4を配設し、サブテーブル4は、切削ブレードをドレスするドレスボード7と、フランジの端面を研削する研削砥石82と研削砥石82を支持する砥石支持部材81とを有する端面修正治具8とを選択的に吸引保持する。 (もっと読む)


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