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Fターム[3C058AA07]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 装置の構造(工具) (12,061) | 工具の種類 (6,468) | 砥粒を用いるもの(ラップ加工) (4,277)

Fターム[3C058AA07]に分類される特許

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【課題】基板との当接面を有する当接部自体の該当接面に沿った変形(伸び)を、当接部の中心部から外周部のほぼ全域に亘って均一に抑制できるようにする。
【解決手段】基板Wの外周部にリテーナリング3を位置させて基板Wを保持する基板保持装置1に用いられる弾性膜4であって、基板Wと当接する当接面42aを有する当接部42と、当接部42の外周端に連接されて上方に延びる第1周壁部44と、第1周壁部44の内側で当接部42に連接されて上方に延び、外側に第1圧力室5が、内側に第2圧力室7がそれぞれ形成される第2周壁部46とを備え、当接部42は、そのほぼ全域に亘って、弾性膜4より剛性の高い補強部材50により補強されている。 (もっと読む)


【課題】製箔ローラ表面の凹凸を簡易に、かつ高い精度で検出し補修する製箔ローラ検査装置を提供する。
【解決手段】製箔ローラ検査装置は製箔ローラの表面に接触し研磨剤で研磨する研磨ローラと、研磨ローラに研磨材を供給する研磨材供給手段からなる研磨手段と、製箔ローラの表面を洗浄する洗浄手段と、製箔ローラの表面の凹凸を検査する検査手段と、検査結果に従い製箔ローラの表面研磨の要否を判断する制御手段と、研磨手段、洗浄手段、および検査手段を一体化した検査研磨機構を製箔ローラに対して接離方向に移動可能に支持し、製箔ローラに接近し表面の凹凸検査および表面の研磨を行う検査補修位置と、製箔ローラから離れて製箔工程への干渉を避ける退避位置との間を移動させる移動手段と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 金属研磨用スラリの評価につき、コストの低減とスピードアップを図ることができる、金属研磨用スラリの評価方法を提供する。
【解決手段】 金属研磨用スラリによりエッチングされた基板(Cu膜)の表面粗さ(Ra)と、エッチング速度との関係を表す数式を導出し、前記数式を用いて、前記金属研磨用スラリとは異なる組成の金属研磨用スラリによりエッチングされた基板(Cu膜)の表面粗さから、エッチング速度を算出する金属研磨用スラリの評価方法。 (もっと読む)


【課題】III−V族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用したときにIII−V族化合物材料を含有する部分に対する高い研磨選択性を発揮することができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、平均一次粒子径が40nm以下である砥粒と、酸化剤とを含有し、好ましくは研磨対象物のケイ素材料を含有する部分の表面OH基と結合してケイ素材料を含有する部分の加水分解を抑制する働きをするサプレッサー化合物をさらに含有する。あるいは、本発明の研磨用組成物は、砥粒と、酸化剤と、サプレッサー化合物とを含有する。研磨用組成物のpHは中性であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ガラス等の研磨性を確保しつつ、酸化セリウム量を低減できる研磨材を提供する。
【解決手段】本発明の研磨材は、酸化ジルコニウムからなる基粒子により形成されたコア部と、該基粒子よりも粒径が小さく酸化セリウムからなる微粒子が該基粒子の外表面上に結合または生成して形成されたシェル部とにより構成された複合砥粒を含むことを特徴とする。この複合砥粒は、研磨性に影響するシェル部に酸化セリウムからなる微粒子を有し、研磨性に直接影響しないコア部はそれより比重の小さい酸化ジルコニウム粒子(基粒子)からなる。このため、酸化セリウムによる研磨性の確保と酸化セリウムの低減が両立されることに加えて、複合砥粒のスラリー中における分散安定性も高まり、さらなる研磨性の向上も図られる。 (もっと読む)


【課題】基板端部の過研磨を効果的に抑制して、基板端部の研磨速度の精密な制御ができるようにする。
【解決手段】基板保持装置に用いられる弾性膜4であって、弾性膜4は、基板に当接して該基板を研磨パッドに向けて押圧する当接部400を有し、当接部400の下面は、平坦な平坦領域Aと該平坦領域の外周部に位置して上方に立上る立上り領域Bを有する。 (もっと読む)


【課題】研磨速度や研磨形状の変化に合わせて、最適な研磨条件で研磨処理を自動で実行できるようにする。
【解決手段】ステップ1で研磨前の基板の基板(ウェハ)の膜厚を測定する。次に、ステップ2で目標研磨量の半分程度を反りなし形状の研磨レシピ(Rf)で研磨する。そして、ステップ3で研磨後の基板の膜厚を測定する。このあと、ステップ4で研磨前後の基板の膜厚の測定結果により、(反りなし形状に対応する研磨後の式F)の結果の予想との誤差を(山型反り形状に対応する研磨後の式Y)、(谷型反り形状に対応する研磨後の式T)に補正し、残りの研磨量の各測定点が最小になるように、山型反り形状の研磨レシピ(Ry),谷型反り形状の研磨レシピ(Rt)それぞれの追加研磨時間を求める。そして、ステップ5で、山型反り形状の研磨レシピ(Ry),谷型反り形状の研磨レシピ(Rt)で追加研磨時間だけ研磨除去する。 (もっと読む)


【課題】III−V族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨したときに、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じるのを抑えることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、砥粒、酸化剤、及び水溶性重合体を含有する。水溶性重合体は、研磨用組成物を25℃の温度の環境下で一日間静置したときに、砥粒の表面積1μmあたりに5000個以上の分子が吸着するものであってもよい。あるいは、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後の研磨対象物のIII−V族化合物材料を含有する部分の水接触角を小さくするような化合物であってもよい。 (もっと読む)


【課題】III−V族化合物材料を含有する部分とケイ素材料を含有する部分を同時に研磨する目的での使用に適した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、異形の砥粒と、標準電極が0.3V以上である酸化剤とを含有し、好ましくはアンモニウム塩などの塩をさらに含有する。研磨用組成物のpHは1〜6又は8〜14である。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板のファイナルポリッシングにおいて平滑性の低下や異物の増加を生じることなく、ウエハ自体の欠陥を低減し、優れた研磨表面が形成可能な半導体基板研磨液及び当該半導体基板研磨液を用いた半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカと水溶性高分子と水を含み、研磨液のpHが4.0以上8.0以下である半導体基板用研磨液、及び当該半導体基板研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する半導体基板の研磨方法。 (もっと読む)


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