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Fターム[3C058AC04]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 装置の構造(その他) (1,655) | 装置の補助機構 (1,647) | 加工液、砥粒、冷却液の供給 (674)

Fターム[3C058AC04]に分類される特許

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【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 (もっと読む)


【課題】基板の研磨中にノズルにより研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面の温度を制御することによりディッシングやエロージョン等を防止することができるとともに研磨パッド上の研磨液が飛散してノズルやノズル取付部品等に付着する量を減らすことができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル1上の研磨パッド2に基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッド2に向けて気体を噴射する少なくとも1つの気体噴射ノズル24を有し、研磨パッド2に気体を吹き付けて研磨パッド2の温度を調整するパッド温度調整機構22と、研磨パッド2に向けて液体又は気体と液体の混合流体を噴射する少なくとも1つのノズルを有し、研磨パッド2に液体又は混合流体を吹き付けて研磨パッド上の異物を除去するアトマイザ30とを備え、パッド温度調整機構22とアトマイザ30とは一体のユニットとして形成されている。 (もっと読む)


【課題】製造プロセス中のウエハの反りを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハにおける、サポートプレートが貼り付けられている面とは反対側の被支持面の内周部を支持する支持ピンにより支持された積層体を減圧環境下において搬送する搬送ユニット20とを備え、製造プロセス中のウエハの反りを防止することを可能とした。 (もっと読む)


【課題】研磨砥粒回収装置のスクリューやボウルへのダメージが均一であり、かつ、制御精度良く、回収率が高い研磨砥粒回収装置を提供すること。
【解決手段】研磨砥粒を含むスラリから前記研磨砥粒を含む濃縮液を分離する研磨砥粒回収装置であって、当該研磨砥粒回収装置は、前記スラリを保持するボウルと、前記濃縮液をボウルからかき出すためのスクリューコンベアと、前記ボウル及び前記スクリューコンベアを回転駆動するための駆動手段と、前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記ボウル又は前記スクリューコンベアを回転駆動するための、前記駆動手段の駆動電流値に基づいて、前記ボウルの回転速度と前記スクリューコンベアの回転速度との差を制御するものである、研磨砥粒回収装置。 (もっと読む)


【課題】切込み末期のみならず切込み初期における切断面のうねり成分をも低減し、結果として切断終了後のウェーハの表面のうねり成分を十分に低減することが可能なワイヤーソー装置を提供する。
【解決手段】本発明のワイヤーソー装置10のワーク保持機構18は、スライス台22と、ワークプレート24と、ワークプレート保持部26と、を有する。ワークプレート24は、本体部28の側面からワイヤー延在方向Zの両側に突出し、両側それぞれに開口部32A,32Bを有する一対の突出プレート30A,30Bを有し、突出プレート30A,30Bの両外側のうち、少なくともノズル20が位置する側に溝部材34A,34Bを有し、ワイヤー群16からワークプレート保持部26に向けて舞い上がるスラリーを、開口部32A,32Bを通過させて34A,34B溝部材で捕集可能としたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プラスチックレンズに対する研磨の際に発生する研磨廃液処理に要するコストを低減しつつ、研磨効率の低下を抑制するプラスチックレンズ用の研磨工具、プラスチックレンズの研磨方法及びプラスチックレンズの製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズの光学面を整えるのに用いられる研磨工具であって、発泡性を有するポリウレタン樹脂を主成分とする物質に対して結晶性アルミナからなる砥粒が均一に分散して固定されている単層からなる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体ウェハの両面研磨方法に関する。
【解決手段】研磨パッドの表面は、それぞれ、中心から端縁に向かって螺旋状に延びる少なくとも1つのチャネル状凹部によって断続的である。両面に供給される研磨剤、局所的に個々に適合可能な研磨剤の量および変形されたキャリアプレートによって、特に450mmの直径を有する半導体ウェハの場合に、最適化された研磨剤の分散が達成される。 (もっと読む)


【課題】化学的機械研磨に際して研磨パッド表面の温度を速やかに且つ省エネルギー効率をもって昇温して適温に維持することができる、新規な構造の研磨パッド用補助板と研磨装置を提供すること。
【解決手段】研磨パッド16を重ね合わせて固着状態で支持するパッド支持面を表面40に有していると共に、裏面42において回転定盤14に重ね合わされて着脱可能に装着される装着面を有している研磨パッド用補助板10において、通電により補助板本体38(パッド支持面40)を昇温して適温に維持する通電式温度制御手段50を設けた。 (もっと読む)


【課題】研磨布のドレッシング状態の変化によって生じる研磨速度の変化による研磨代のばらつきを抑制し、仕上がり厚さを高精度に制御できるシリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】所定の研磨代となるように研磨時間を設定し、タンク内に貯蔵された研磨剤を研磨布に供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させて設定した研磨時間で研磨し、供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させながらシリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返すシリコンウェーハの研磨方法において、研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度を予めデータベースに記録しておく工程と、所定の研磨代となるように研磨時間を設定する際に、データベースに記録された研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度に基づいて研磨時間を設定する工程とを有するシリコンウェーハの研磨方法。 (もっと読む)


【課題】研磨定盤に対し、砥粒の埋め込みばらつきを抑制しつつ、効率よく砥粒を埋め込む。
【解決手段】研磨定盤の表面に砥粒を含む砥液を供給しつつ押圧手段で砥液を介して研磨定盤を押圧するとともに押圧手段と研磨定盤とを摺動させて砥液に含まれる砥粒を研磨定盤の表面に埋め込む砥粒埋め込み装置において、押圧手段は、1以上の押圧部材と、押圧部材の上方に配設され押圧部材を研磨定盤に押しつける錘部材と、押圧部材に超音波を付与する超音波振動子とを有し、押圧部材が、複数の円盤状の押圧チップが配設された押圧面を有することにより、押圧手段と研磨定盤との相対摺動方向に対して各押圧面を互いに同じ長さとし、流体応力のばらつきを抑えることで、研磨定盤に対する砥粒の埋め込みばらつきを抑制する。 (もっと読む)


【課題】微細気泡を含有する液剤を被加工物の表面の加工に有効に利用することのできる加工ヘッドを提供することである。
【解決手段】回転する工作具10を被加工物Wの表面に接触させて当該被加工物Wの表面を加工する加工ヘッド100であって、前記工作具10の内部に設けられ、供給される液体を導いて被加工物Wの工作具10が接触する部位の近傍に向けて吐出する少なくとも1つの流路25を備え、前記流路25には絞り部255a〜255hが形成された構成となる。 (もっと読む)


【課題】生産性の向上を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板10上に、被処理膜13,16,21を形成する工程と、前記被処理膜の表面をCMP法により研磨する工程と、を具備し、前記CMP法は、回転する研磨パッド31を第1温度から前記第1温度よりも高い第2温度に上昇させる工程と、前記被処理膜の表面を前記第2温度に上昇した前記研磨パッドに当接させる工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】特に大きなサイズの基板を研磨する際、スラリー流量を減らすことなく、中央付近の研磨量を確保し背厚を低減して正常な研磨を行うとともに、スラリーの循環を良くすることで、研磨した基板の成分が基板の被研磨面に再付着することを抑制する。
【解決手段】一辺の長さが1000mm以上の板状体を保持する板状体保持手段と、前記板状体保持手段に保持された前記板状体に対向して設置された研磨パッドと、を有し、前記研磨パッドは、前記板状体の対向面に形成され、前記研磨パッドと前記板状体との当接部にスラリーを供給する複数のスラリー供給孔と、前記板状体の対向面の中央部のみに形成され、前記当接部に供給された前記スラリーを吸引するスラリー吸引孔と、が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】CMP工程において、生産性の向上、およびCMP特性の劣化の抑制を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内に、溝を形成する工程と、絶縁膜上に、下地膜を形成する工程と、下地膜上に、溝が埋まるように金属膜を形成する工程と、半導体基板の表面を回転する研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に金属イオンを含む第1CMPスラリーを供給することで、溝外の金属膜を除去する第1研磨を行う工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に有機酸および純水を供給することで、研磨パッドおよび半導体基板の表面を洗浄する工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に第1CMPスラリーと異なる第2CMPスラリーを供給することで、溝外の下地膜を除去する第2研磨を行う工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】安定した加工状態を得ることが可能な超仕上げ加工方法および超仕上げ加工装置を提供する。
【解決手段】回転する工作物9に砥石台4に支持した砥石10を揺動させながら押し当てる超仕上げ加工装置の砥石台4に、回転する工作物9の接線方向の分力Qを検出する主分力センサ6a、押し当て方向の分力Pを検出する背分力センサ6b、砥石10の揺動方向の分力Rを検出する揺動荷重センサ6c、砥石10の押し当て方向の移動量を検出する移動量センサ7、工作物9の寸法減少量を検出するインプロセスゲージ8を設ける。そして、「粗」→「仕上げ」に応じて変化するセンサ6a、6bの出力に基づき加工状態を判定し、加工条件(回転数、揺動数、押し付け力)を変化させて加工効率を改善する。また、前記センサ6a、6b、移動量センサ7とインプロセスゲージ8の出力を用いて研削異常を検出し砥石の不具合への対処を行うことにより、安定した加工状態を得ることができるようにする。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の接合面の表面精度の向上を図り、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。
【解決手段】研磨剤を供給しつつリッド基板用ウエハ50の接合面53を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、研磨工程は、研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第1研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ50の接合面53を研磨する前段ポリッシュ工程と、研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第2研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ50の接合面53を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むpH4.0以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、前記最終研磨工程に続けて、pH4.0以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、前記擦洗したガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、を含む。 (もっと読む)


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