【課題】固定砥粒ワイヤソーを用いた被加工物の切断において、切断位置でのワイヤ張力を適切に制御することが可能な固定砥粒ワイヤソーによる加工方法及び該加工方法によって作製されたウエハを提供する。
【解決手段】１本の固定砥粒ワイヤ１０を、メインローラ１８Ａ，１８Ｂに一定ピッチで複数回巻き掛けて構成したワイヤ列２０をその長手方向に往復走行させ、往復走行するワイヤ列２０に被加工物５０を押し当てることで、被加工物５０を複数箇所で同時に切断して複数枚のウエハへと加工する固定砥粒ワイヤソー１において、往復走行の走行方向の反転タイミングを、ワイヤ繰り出し側における予め設定した基準位置にあるワイヤ部位の移動する距離が、メインローラ１８Ａ，１８Ｂに巻き回されているワイヤの長さ以上となる時点とした。 （もっと読む）

【課題】製箔ローラ表面の凹凸を簡易に、かつ高い精度で検出し補修する製箔ローラ検査装置を提供する。
【解決手段】製箔ローラ検査装置は製箔ローラの表面に接触し研磨剤で研磨する研磨ローラと、研磨ローラに研磨材を供給する研磨材供給手段からなる研磨手段と、製箔ローラの表面を洗浄する洗浄手段と、製箔ローラの表面の凹凸を検査する検査手段と、検査結果に従い製箔ローラの表面研磨の要否を判断する制御手段と、研磨手段、洗浄手段、および検査手段を一体化した検査研磨機構を製箔ローラに対して接離方向に移動可能に支持し、製箔ローラに接近し表面の凹凸検査および表面の研磨を行う検査補修位置と、製箔ローラから離れて製箔工程への干渉を避ける退避位置との間を移動させる移動手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨中にシリコン層の正確な厚さを取得し、得られたシリコン層の厚さに基づいて基板の研磨終点を正確に決定することができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本研磨方法は、基板から反射した赤外線の強度を所定の基準強度で割って相対反射率を算出し、相対反射率と赤外線の波長との関係を示す分光波形を生成し、分光波形にフーリエ変換処理を行なって、シリコン層の厚さおよび対応する周波数成分の強度を決定し、上記決定された周波数成分の強度が所定のしきい値よりも高い場合には、上記決定されたシリコン層の厚さを信頼性の高い測定値と認定し、該信頼性の高い測定値が所定の目標値に達した時点に基づいて、基板の研磨終点を決定する。 （もっと読む）

【課題】切断中にブレードの変位を安定的に抑制でき、これにより切断されたインゴットブロックやウェーハの切断面の品質を安定して保つことができ、ブレードの寿命を延長でき、切断速度を向上できるバンドソー切断装置及びインゴットの切断方法を提供する。
【解決手段】周回駆動されたブレードを静圧パッドによって案内しながら、ブレードをインゴットの上方から相対的に下方に送り出すことによってインゴットを切断するバンドソー切断装置であって、さらに、静圧パッドをブレードの周回方向に対して前後方向に移動させる駆動部と、該駆動部による静圧パッドの移動距離及び移動速度を制御する制御部とを有し、静圧パッドを制御部で移動制御しながらインゴットを切断するものであることを特徴とするバンドソー切断装置。 （もっと読む）

【課題】製造プロセス中のウエハの反りを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハにおける、サポートプレートが貼り付けられている面とは反対側の被支持面の内周部を支持する支持ピンにより支持された積層体を減圧環境下において搬送する搬送ユニット２０とを備え、製造プロセス中のウエハの反りを防止することを可能とした。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドやスラリーの冷却、及び研磨パッド表面のドレッシングを効率良く行う。
【解決手段】本実施形態によれば、研磨方法は、回転させた研磨パッド１３に、回転させた基板を押し当て、研磨パッド１３上にスラリーを供給する工程と、研磨パッド１３の表面温度を測定する工程と、前記表面温度が所定温度以上になった場合に、研磨パッド１３に向かって、狭窄部を有するノズル１５から過冷却液滴を含むジェット流を噴出させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の研磨中にノズルにより研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面の温度を制御することによりディッシングやエロージョン等を防止することができるとともに研磨パッド上の研磨液が飛散してノズルやノズル取付部品等に付着する量を減らすことができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル１上の研磨パッド２に基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッド２に向けて気体を噴射する少なくとも１つの気体噴射ノズル２４を有し、研磨パッド２に気体を吹き付けて研磨パッド２の温度を調整するパッド温度調整機構２２と、研磨パッド２に向けて液体又は気体と液体の混合流体を噴射する少なくとも１つのノズルを有し、研磨パッド２に液体又は混合流体を吹き付けて研磨パッド上の異物を除去するアトマイザ３０とを備え、パッド温度調整機構２２とアトマイザ３０とは一体のユニットとして形成されている。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの摩耗に起因する研磨パッドの剛性低下による悪影響を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル１上に設けられた研磨パッド２と、前記研磨パッド２に対してウェハ３を接触させた状態で前記ウェハ３を前記研磨パッド２に対して相対的に移動させて前記ウェハ３を研磨する研磨ヘッド４と、前記研磨パッド２の摩耗後の厚さに応じて前記研磨パッド２の温度を制御する温度制御部６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ローラを介してキャリア定盤を回転させる研磨システムにおいて、ローラとキャ
リア定盤の周面との接触状態を均一化して効率的に回転を伝達する。
【解決手段】キャリア定盤40は、ローラ110を回転駆動するローラ駆動モータ115とローラ
を径方向に移動させるローラ移動構造150とを備えてキャリア定盤40の周囲に配設された
複数のローラ駆動ユニット100により回転される。研磨システムは、キャリア定盤40が回
転した時に各ローラ駆動ユニット100の配設領域を通る定盤外周面45の位置を検出する径
方向位置検出部160を備え、制御装置が、径方向位置検出部160により検出される外周面45
の位置に応じて、各ローラ駆動ユニットのローラ110の移動位置及び回転速度を制御する
ように構成される。 （もっと読む）

【課題】マシニングセンタを用いたホーニング加工を低コストで実施可能にする。
【解決手段】定量ホーニング用と定圧ホーニング用の２種類の砥石３Ａ、３Ｂのいずれか一方を選択的に外周部から突出させ得るホーニング工具２を回転可能に保持し、回転しつつ回転軸方向に進退動可能な主軸４を有する工作機械の主軸４に装着され、主軸４の回転をホーニング工具２に伝達するホーニング加工用装置１００であって、外部から空気が供給されることで空気圧が上昇する定量用空気室３１と、定量用空気室３１の空気圧を利用して定量ホーニング用砥石３Ａをホーニング工具２の外周部から突出させるよう作動する定量拡張用部材１１と、外部から空気が供給されることで空気圧が上昇する定圧用空気室１４と、定量空気室１４の空気圧を利用して定圧ホーニング用砥石３Ｂをホーニング工具２の外周部から突出させるよう作動する定圧拡張用部材１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】稼働停止時における電力等のユーティリティを低減する。
【解決手段】ＣＭＰ装置１の回転定盤１７に取り付けた研磨パッド１６とトップリング１８との間に半導体ウエハＷを保持して相対回転させてウエハＷを研磨する。リンス水供給管１１にリンス水流量調整弁１３を設けて、研磨部２内の研磨パッド１６に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。洗浄部３には研磨した半導体ウエハＷを洗浄用スポンジローラ２６，２７で挟持して洗浄して搬送する。リンス水供給管１２ａ、１２ｂにリンス水流量調整弁１４、１４を設けて、洗浄用スポンジローラ２６，２７に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。純水の供給間隔をｔ分とし、１回毎の純水の供給継続時間をｄｔ秒として、下記の（１）式と（２）式を満足する。
ｄｔ＝２０{１．６−ｅｘｐ（−０．０１７８３ｔ）} ……（１）
１０≦ｔ≦３０ ……（２） （もっと読む）

【課題】低コストで高精度な、積層セラミックコンデンサを製造するためのワークの切削装置を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサを製造するためのワーク１０を切削する切削装置１００であって、ワーク１０を切削するブレード２２と、ブレード２２を回転させるモータを備えたスピンドル２０と、リング照明および同軸落射照明を切り換えてワーク１０を撮像可能に構成された撮像装置３０と、撮像装置３０により取得されたワーク１０の画像に対して画像処理を行うことによりワーク１０の切削位置を特定し、特定された切削位置においてワーク１０を切削するようにブレード２２を制御する制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】両面処理装置の回転する上側加工ディスクと回転する下側加工ディスクとの間の少なくとも３つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法を提供する。
【解決手段】加工物は、案内ケージにおいてそれぞれの開口部において自由に移動可能な態様にあり、２つの加工ディスク間に形成された加工間隙において圧力下で後者によって移動され、一旦、加工物の予め選択された目標厚みに到達すると、減速プロセスが開始され、その間において、上側加工ディスク、下側加工ディスク、および案内ケージのすべての駆動部ｉの角速度ω_ｉ（ｔ）は、２つの加工ディスクおよび案内ケージの停止にまで減じられ、すべての駆動部ｉの角速度ω_ｉ（ｔ）は、この場合において、時間ｔの関数としてのすべての角速度ω_ｉ（ｔ）の互いに対する比率が、予め選択された目標厚みに到達する瞬間における比率から１０％を越えて外れないように低減される。 （もっと読む）

【課題】研磨時における研磨ロール自体に起因する異物の発生を低減し、研磨ロールから剥離した異物により発生する異物欠陥を低減することができるトップロール研磨装置を提供する。
【解決手段】連続溶融金属メッキラインに設けられたトップロール８の表面を研磨ロール１１で研磨するトップロール研磨装置（ポリッシャー）１０において、研磨ロール１１として、研磨ロール１１の直径Ｄに対する研磨ロール１１の羽長さ（研磨布１１ｂの長さ）Ｌの比である羽長さ比Ｒが０．１５以下である形状を有するものを適用する。また、コントローラ２０によって、研磨ロール１１の回転速度が１９ｍ／ｓ以上となるように駆動モータ１２を制御する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に形成された２本のＶ溝から露出したアライメントマークを検出しアライメントマークを基準として加工予定ラインを設定する場合において、アライメントマークを効率よく検出できるようにする。
【解決手段】被加工物を撮像する撮像手段と、被加工物を回転可能に保持する保持テーブルと、被加工物を切削する切削ブレードを備える切削手段とを少なくとも備え、保持テーブルと切削手段とが相対的に切削送り方向に切削送りされるとともに、切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りされる切削装置において、撮像手段は、撮像素子が切削送り方向に一列に配列されたラインセンサであり、撮像手段と保持テーブルとを相対的に割り出し送りすることで被加工物の切削領域を検出する。割り出し送り方向に形成された２列の溝のアライメントマークを同時に検出することができるため、切削加工の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨に関し、金属層が希望の厚さまで平坦かされたかどうかを確実に判断する方法を提供する。
【解決手段】化学機械研磨装置は、研磨パッド３０と、研磨面の第１の側に当接して基板１０を保持するためのキャリア７０と、研磨パッド３０及びキャリヤヘッド７０の少なくとも一方に接続されて両者間に相対運動を生じさせるモータとを備え、渦電流監視システムは、基板１０の近くに交番磁界を発生させるように位置決めされており、光学監視システムは、光ビームを発生して基板１０からの該光ビームの反射光を検出し、コントローラは、渦電流監視システム及び光学監視システムからの信号を受信する。 （もっと読む）

【課題】温度ドリフト等のノイズによる影響を受けにくく、高精度な距離測定又は変位量測定を行うことができる距離測定装置を実現する。
【解決手段】光源１０から透明体１２を介してワーク表面に向けて測定ビームを投射すると、透明体１２の第１の面１２ａを透過して第２の面１２ｂで反射し、第１の面１２ａから出射する第１の反射ビーム１３ａと、透明体１２の第１の面１２ａ及び第２の面１２ｂを透過し、ワーク表面で反射し、再び透明体１２の第２の面１２ｂを透過して第１の面１２ａから出射する第２の反射ビーム１３ｂとが光検出手段１５に入射する。信号処理装置１６は、第１の反射ビーム１３ａを受光した受光素子と第２の反射ビーム１３ｂを受光した受光素子との間の距離情報に基づいて透明体１２の第２の面１２ｂからワーク表面までの距離又は変位量を出力する。 （もっと読む）

【課題】化学機械的研磨の終点を正確に決定する方法を提供する。
【解決手段】スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド５３頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含み、スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用し、異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定でき、噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成し、真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成され、窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含み、スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）