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Fターム[3C058CB02]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 課題(一般) (10,402) | 研削精度の向上 (3,930) | ワーク変形防止 (1,236)

Fターム[3C058CB02]に分類される特許

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【課題】 細くて長いブラシの場合、いくら自転させながら公転させてもブラシが基部から曲がってしまう状態を回避することができず、作業面にブラシの周面しか接当させることができない。
【解決手段】 モータにより回転駆動するもので複数のブラシを円周上に配する支持部材、該支持部材に可回転に設けられ各ブラシを取り付ける回転部材、各回転部材の偏心位置で可回転に連結する駆動リング、該駆動リングに接当させることにより該駆動リングの回転中心が該支持部材の回転中心から外れた位置に支持する偏心支持ピンとによって構成し、各ブラシを、該支持部材の回転で公転させると共に、該偏心支持ピンを該駆動リングを支持しながら回転駆動させることにより自転させて作業面の研磨等を行う装置において、各ブラシの先端側を保持する保持部を備えたブラシガイドを該支持部材に設ける。 (もっと読む)


【課題】III−V族化合物材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨したときに、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じるのを抑えることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、砥粒、酸化剤、及び水溶性重合体を含有する。水溶性重合体は、研磨用組成物を25℃の温度の環境下で一日間静置したときに、砥粒の表面積1μmあたりに5000個以上の分子が吸着するものであってもよい。あるいは、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後の研磨対象物のIII−V族化合物材料を含有する部分の水接触角を小さくするような化合物であってもよい。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板のファイナルポリッシングにおいて平滑性の低下や異物の増加を生じることなく、ウエハ自体の欠陥を低減し、優れた研磨表面が形成可能な半導体基板研磨液及び当該半導体基板研磨液を用いた半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカと水溶性高分子と水を含み、研磨液のpHが4.0以上8.0以下である半導体基板用研磨液、及び当該半導体基板研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する半導体基板の研磨方法。 (もっと読む)


【解決手段】(i)−[バリン-プロリン−グリシン−バリン−グリシン]−で示されるペンタペプチドを繰り返し単位として有し、分子量が800〜150,000である、オリゴペプチド又は上記ペンタペプチドとこれと共重合可能な他の単量体との共重合体、
(ii)コロイド溶液
を含む合成石英ガラス基板用研磨剤。
【効果】本発明によれば、特にフォトマスク、ナノインプリント、磁気ディスク等の半導体関連材料において重要な光リソグラフィー法に使用される合成石英ガラス基板等の合成石英ガラスの製造において、基板表面の高感度欠陥検査装置で検出される欠陥を少なくすることができ、しかも長い研磨ライフで使用することができるため、製造の品質の向上だけではなく、環境への負荷やコストの観点からも有益になる。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 (もっと読む)


【課題】液晶ディスプレイ用ガラス基板等の被研磨物について初期から加工数を重ねていっても研磨後の被研磨物の品質に影響を与える表面形状を変化させることなく、これにより一定の研磨品質を維持することができ、さらに、被研磨物の品質に影響のある保持面の表面平坦性が向上し、大型で極薄の被研磨物であっても研磨中にはこれを堅固に保持することができ、かつ、研磨後は安全かつ容易に剥がすこともできる片面研磨用保持材の製造方法を提供する。
【解決手段】発泡層と緻密な発泡による表面部分を有する樹脂シートを湿式成膜法により製造する工程と、表面に凸部を有する加熱可能なディンプルロールに樹脂シートを供給して樹脂シートの緻密な発泡による表面部分を圧接させることにより、樹脂シートを構成する材料の流動開始温度以上で熱成形加工する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】レールの踏面をソフトタッチで研磨することができ、例えばレールの踏面の錆のみを確実に除去することができるレール研磨装置を提供する。
【解決手段】所定の運動方向に駆動される研磨ベルト27をレール2の踏面2aに接触させることでその踏面2aを研磨する研磨ヘッド21を備えるレール研磨装置20であって、研磨ベルト27をレール2の踏面2aの上方位置で支持する支持体23と、支持体23を上下方向に移動可能に案内する案内機構30と、支持体23を押し下げる力を付与するエアシリンダ34と、支持体23を押し上げる力を付与するスプリング41,42とを備えるものとする。 (もっと読む)


【解決手段】基板に接触され、多数の空孔を有するナップ層が、エーテル樹脂を含む少なくとも3種類の樹脂を有するベース樹脂にて形成された研磨布を用い、これに研磨スラリーを同伴させて基板表面を研磨する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【効果】本発明によれば、基板表面の欠陥数が少なく、かつ高平滑性化された基板を製造することが可能となる。また、研磨布の使用時間を延長することができることから、コストダウン及び生産性の向上につながる。 (もっと読む)


【課題】
ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
ジルコニア粉末を構成する二次凝集粒子が略球状で、平均アスペクト比が1.0以上1.5以下であって、CV値(100×標準偏差/平均値)が40%以下であることを特徴とするジルコニア研磨剤が研磨能力が優れていることを見出した。 (もっと読む)


【課題】配線金属の表面における傷や腐食が生じにくく、層間絶縁膜及びバリヤ膜上の配線金属残りが生じにくく、しかも、充分な研磨速度を確保でき、ディッシングやエロージョンを防止して高い平坦性が得られる研磨組成物を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金を研磨するための研磨組成物であって、(A)酸化剤と、(B)アミノ酸、炭素数8以下のカルボン酸、無機酸の中から選ばれる少なくとも1種以上の酸と、(C)アルキル基が炭素数8以上であるスルホン酸と、(D)アルキル基が炭素数8以上である脂肪酸と、(E)0.005〜3質量%のN−ビニルイミダゾールとを含有する研磨組成物。 (もっと読む)


【課題】基板の研磨中にノズルにより研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面の温度を制御することによりディッシングやエロージョン等を防止することができるとともに研磨パッド上の研磨液が飛散してノズルやノズル取付部品等に付着する量を減らすことができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル1上の研磨パッド2に基板を押圧して基板の被研磨面を研磨する研磨装置において、研磨パッド2に向けて気体を噴射する少なくとも1つの気体噴射ノズル24を有し、研磨パッド2に気体を吹き付けて研磨パッド2の温度を調整するパッド温度調整機構22と、研磨パッド2に向けて液体又は気体と液体の混合流体を噴射する少なくとも1つのノズルを有し、研磨パッド2に液体又は混合流体を吹き付けて研磨パッド上の異物を除去するアトマイザ30とを備え、パッド温度調整機構22とアトマイザ30とは一体のユニットとして形成されている。 (もっと読む)


【課題】研磨パッドやスラリーの冷却、及び研磨パッド表面のドレッシングを効率良く行う。
【解決手段】本実施形態によれば、研磨方法は、回転させた研磨パッド13に、回転させた基板を押し当て、研磨パッド13上にスラリーを供給する工程と、研磨パッド13の表面温度を測定する工程と、前記表面温度が所定温度以上になった場合に、研磨パッド13に向かって、狭窄部を有するノズル15から過冷却液滴を含むジェット流を噴出させる工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】貴金属の研磨に適した研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明は、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、常温の研磨用組成物中で電位計の正極側を導電性物質に接続し、且つ負極側を導体に接続した条件において、導電性物質と導体を研磨したときに正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値(ゼロを含む。)を示すことを特徴とする研磨用組成物を提供する。さらには、研磨用組成物は、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値(ゼロを含む。)にする添加剤を含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】端縁部が高精度に面取り加工され、高い強度を付与された板ガラス並びにその製造方法、研磨方法及び研磨装置を提供することを課題とする。
【解決手段】上面、下面及びその両面の間に端面を有する矩形の板ガラスであって、前記上面又は前記下面と前記端面との境界にある稜部のうち少なくとも1辺の稜部又は少なくともひとつの端面が研磨テープで研磨され仕上がり面に形成された板ガラスであって、該仕上がり面の平均表面粗さRaが20nm以下であり且つ最大谷深さRvが200nm以下である板ガラス。 (もっと読む)


【課題】研磨時に外周部を含むウェハの全面を均一に加圧して該ウェハの特に外周部の変形を抑制し、この変形によるウェハの過剰研磨等の欠陥発生を防止し、リテーナリング一体型のテンプレートとしてウェハの自動搬送の構築を可能とし、該自動搬送等の際の研磨ヘッドへのウェハの真空吸着を安定化させ、さらには径、厚み等のサイズ違いのウェハも容易・確実に研磨可能とする。
【解決手段】底面部にウェハWを嵌合させる嵌合用凹部が形成されたテンプレートと研磨ヘッド側に取り付けられてテンプレートの周囲を包囲する円環状のリテーナリングとを一体化したリテーナリング一体化テンプレート10を備え、該リテーナリング一体化テンプレート10における嵌合用凹部11にウェハWを嵌合させ、リテーナリング一体化テンプレート10を介してウェハWをプラテン2上の研磨パッド6に押し付けるとともに研磨ヘッドをプラテン2に対し相対回転させてウェハWを研磨する。 (もっと読む)


【課題】 複雑な機構を必要とせず、製造コストの増加を招くことなく、クラックなどの欠陥を低減することが可能な優れたワイヤーソー装置およびそれを用いた切断方法ならびに半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 一方向または双方向に走行させながら被加工物を切断するためのワイヤー5と、被加工物1を固定させる台座2と、台座2において、被加工物1を切断する際にワイヤー5が入る側の台座側面2aに固定されている被切断用の側板6とを備えており、側板6における被加工物1が位置する側の側板端面6aが、台座側面2aにおける被加工物1が位置する側の台座端面2bと面一であるか、または側板端面6aが台座端面2bから被加工物1の側面1cに沿って突出しているワイヤーソー装置Sとする。また、台座2に被加工物1を固定した後に、ワイヤー5を走行させながら被加工物1を切断し始め、しかる後、ワイヤー5を走行させながら被加工物1および側板6を切断する方法とする。 (もっと読む)


【課題】研磨パッドの摩耗に起因する研磨パッドの剛性低下による悪影響を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨テーブル1上に設けられた研磨パッド2と、前記研磨パッド2に対してウェハ3を接触させた状態で前記ウェハ3を前記研磨パッド2に対して相対的に移動させて前記ウェハ3を研磨する研磨ヘッド4と、前記研磨パッド2の摩耗後の厚さに応じて前記研磨パッド2の温度を制御する温度制御部6と、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、生産性を損なうことなく、基板の表面粗さ(中心線平均粗さ)、スクラッチ数、及びパーティクル数の低減が可能な研磨液組成物、及びこれを用いた基板の製造方法、並びに、基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨液組成物は、平均粒子径が45nm以下のコロイダルシリカ粒子(A成分)と、シクロデキストリン骨格を有する化合物(B成分)50〜2000ppmと、重量平均分子量Mwが50000以下の、アニオン性基を有する水溶性高分子(C成分)120〜1000ppmと、水(D成分)とを含み、25℃におけるpHが1.8以下である。 (もっと読む)


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