【課題】一般的な金属配線材料を含む基板の研磨に適した研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、（ａ）砥粒、（ｂ）錯化剤、（ｃ）金属防食剤を含む研磨用組成物であって、（ａ）砥粒が複数の突起を表面に有し、砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均が０．２４５以上である。さらには、砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の平均高さは２．５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 研磨バイト先端周辺の磁束密度を更に上げることができる研磨バイトを提供すること
【解決手段】 磁気作用により表面処理を行うための研磨バイトであり、支持体１１の先端に装着する先端部磁石１２と、その先端部磁石の後方に配置されるリング型磁石からなる後方部磁石１４とを備える。後方部磁石の外径は、先端部磁石の外径より大きくしている。そして、先端部磁石の磁極と、後方部磁石の先端部磁石に近い側の端面の磁極が同じに構成した。 （もっと読む）

【課題】基板を研磨するためのケミカルメカニカルポリッシング組成物濃縮物の複数の希釈液を用いる、窒化ケイ素上に堆積したポリシリコンのオーバーバーデンを有する基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法
【解決手段】基板を研磨するために使用される濃縮物の第１の希釈液は、第１のポリシリコン除去速度及び第１のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整され；基板を研磨するために使用される濃縮物の第２の希釈液は、第２のポリシリコン除去速度及び第２のポリシリコン対窒化ケイ素除去速度選択比を示すように調整される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性を損なうことなく、基板の表面粗さ（中心線平均粗さ）、スクラッチ数、及びパーティクル数の低減が可能な研磨液組成物、及びこれを用いた基板の製造方法、並びに、基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨液組成物は、平均粒子径が４５ｎｍ以下のコロイダルシリカ粒子（Ａ成分）と、シクロデキストリン骨格を有する化合物（Ｂ成分）５０〜２０００ｐｐｍと、重量平均分子量Ｍｗが５００００以下の、アニオン性基を有する水溶性高分子（Ｃ成分）１２０〜１０００ｐｐｍと、水（Ｄ成分）とを含み、２５℃におけるｐＨが１．８以下である。 （もっと読む）

【課題】
研磨剤またはジルコニアセラミックスの焼結用原料として適するジルコニア粉末を提供する。
【解決手段】
フッ化リチウムの含有量が１〜２００ｐｐｍであり、結晶子径が５０ｎｍ以上であり、比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下であることを特徴とするジルコニア粉末は、粗大で硬い凝集粒子が含まれず、研磨剤並びに焼結用原料として好適な粉末となる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、カーフロスを低減するために砥粒番手＃２０００よりも小さい砥粒径の砥粒を用いる場合においても、砥粒濃度の低下による切断能力の低下、ひいては切断品質の悪化や生産性の低下によるコスト増加を抑制できるスラリー及びこのスラリーの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ローラーミル、又はボールミルで粉砕された砥粒の一部又は全てをジェットミルで再度粉砕することによって前記砥粒の平均円形度を０．９００以上にし、該平均円形度が０．９００以上の砥粒とクーラントとを混合して前記スラリーを製造することを特徴とするスラリーの製造方法及び、スラリーに混合された砥粒の平均円形度が０．９００以上であることを特徴とするスラリー。 （もっと読む）

【課題】貴金属の研磨に適した研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、貴金属を含むバリア層と金属配線層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒、特定の酸化剤及び水を含有し、特定の酸化剤は、ペルオキシ基（−Ｏ−Ｏ−）の酸素上にアンモニウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属から選ばれるいずれか一が置換した構造を有する。また、任意で研磨促進剤及び保護膜形成剤の両方又はいずれか一方を含有し、研磨促進剤は、前記貴金属を含むバリア層の研磨速度を維持又は向上させる効果を持ち、保護膜形成剤は、貴金属を含むバリア層の研磨速度を抑制しない。 （もっと読む）

【課題】使用済み研磨材スラリーについて、簡易な再生処理により研磨材としての性能を再生させることを目的とする。
【解決手段】
ガラス材研磨用の酸化セリウム系研磨材スラリーの再生方法であって、次の工程を含む酸化セリウム系研磨材スラリーの再生方法。
第一工程：ガラス材研磨を行った後の使用済み研磨材スラリーから、研磨材よりも大粒子径の研磨屑を除去する工程
第二工程：ガラス材研磨を行った後の使用済み研磨材スラリーから、研磨材よりも小粒子径の研磨屑を除去する工程
第三工程：第一工程及び第二工程で研磨屑を除去して得られた回収研磨材スラリーに、金属フッ化物を添加して再生酸化セリウム系研磨材スラリーを得る工程 （もっと読む）

【課題】プラスチックレンズに対する研磨の際に発生する研磨廃液処理に要するコストを低減しつつ、研磨効率の低下を抑制するプラスチックレンズ用の研磨工具、プラスチックレンズの研磨方法及びプラスチックレンズの製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズの光学面を整えるのに用いられる研磨工具であって、発泡性を有するポリウレタン樹脂を主成分とする物質に対して結晶性アルミナからなる砥粒が均一に分散して固定されている単層からなる。 （もっと読む）

【課題】相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。特に、高い研磨速度を得ることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、アンモニウムイオンを含有することを特徴とする研磨用組成物である。アンモニウムイオン（NH_４^＋）は、有機酸のアンモニウム塩及び無機酸のアンモニウム塩から選ばれる１以上のアンモニウム塩として添加されるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板をスループット２０枚／時以上の市場要求を満足させる最適加工条件で平坦化加工して、薄肉化した反りのない加工基板を製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】３軸の研削砥石ヘッド３４ｈ_ｃ，３４ｈ_ｍ，３４ｈ_ｆを備える研削装置で研削工程を行った後、２基のワーク吸着ヘッド２２，２２を備えるラップ盤とダイヤモンド砥粒を分散させたスラリーを用いてラップ加工を行い、表面粗さ（Ｒａ）が２０ｎｍ以下のサファイア基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素などの硬度の高い難削材に対しても極めて高い研摩速度を実現できる研摩材を提供する。
【解決手段】本発明は、二酸化マンガンを砥粒とする研摩材において、二酸化マンガンは、λ型結晶構造を有するλ型二酸化マンガンとγ型結晶構造を有するγ型二酸化マンガンとを含み、λ型二酸化マンガンとγ型二酸化マンガンとのそれぞれのＸ線回折によるメインピークの強度比（γ／λ）が０．１〜２０の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素砥粒を含む研磨剤により酸化珪素膜の平坦化を行う場合に、酸化珪素膜と研磨停止膜としての窒化珪素膜との研磨選択比を確保する。
【解決手段】実施形態に係わるＣＭＰ方法は、酸化珪素砥粒を含む研磨剤を用い、かつ、研磨停止膜として窒化珪素膜を用いて、被研磨膜としての酸化珪素膜の平坦化を行う場合において、研磨剤に、50000以上、5000000以下の重量平均分子量を持つ第１の水溶性高分子と、1000以上、10000以下の重量平均分子量を持つ第２の水溶性高分子とを含ませた状態で、酸化珪素膜の研磨を行う。 （もっと読む）

【課題】良好なＣＭＰ特性を発揮できる新たな複合形態の研磨材料を提供する。
【解決手段】 以下の組成式（１）で表される第１の相とＺｒＯ₂で表される第２の相とを有する粒子を含むように研磨材料を構成する。第１の相と第２の相とを有する粒子を含むことで、ＣＭＰにおける化学的作用と機械的作用との両立を図ることに成功した。
Ａ（Ｚｒ）Ｏ₃ （１）
（ただし、Ａは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選択される１種又は２種以上を表す。） （もっと読む）

【課題】ケミカルメカニカル研磨にて重要な役割を果たすコンディショニングの性能を高める研磨パッド材質を提供し研磨中の欠陥率を低減する。
【解決手段】アクリレートポリウレタン研磨層を含むケミカルメカニカル研磨パッドで、研磨層が６５〜５００MPaの引張り弾性率、５０〜２５０％の破断点伸び、２５〜２００MPaの貯蔵弾性率Ｇ′、２５〜７５のショアーＤ硬さ及び１〜１０μm/minの湿式切削速度を示すものであるケミカルメカニカル研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。特に、高い研磨速度を得ることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、相変化合金を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒及び窒素含有化合物を含有し、その砥粒が複数の突起を表面に有する砥粒を含むことを特徴とする研磨用組成物である。砥粒のうち砥粒の体積平均粒子径よりも粒子径の大きな粒子が表面に有している突起の高さをそれぞれ同じ突起の基部における幅で除することにより得られる値の平均は、０．２４５以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１３族及び１５族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提案する。
【解決手段】周期表における１３族及び１５族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥を発生させることなく、下層のＣＭＰストッパー膜を実質的に研磨せずに、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供することである。
【解決手段】実施形態のＣＭＰ用スラリーは、総量の０．５質量％以上３質量％以下で配合されたコロイダルシリカと、総量の０．１質量％以上１質量％以下で配合された重量平均分子量５００以上１０，０００以下のポリカルボン酸とを含有し、ｐＨが２．５以上４．５以下である。コロイダルシリカ全体の５０質量％以上９０質量％以下の粒子は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の一次粒子径を有する。 （もっと読む）

【課題】研磨後の基板の表面に、有機残渣が生じることの少ないＣＭＰ研磨液用添加液を提供するものである。また、欠陥の発生数を低減できることが可能なＣＭＰ研磨液を提供し、半導体デバイス生産のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】アルコール類及びフェノール類からなる群から選択される少なくとも１種の有機残渣抑制剤と、含有率が０．１質量％以上であるポリカルボン酸と、水と、を含有するＣＭＰ研磨液用添加液である。 （もっと読む）

【課題】磁性基材、半導体基材および光学基材の少なくとも一つを研磨するのに使用可能な積層開口網状研磨パッドの形成方法を提示する。
【解決手段】光硬化性ポリマーの第１および第２ポリマーシート１２または膜を曝露して、第１および第２ポリマーシート１２に曝露パターンを形成する。曝露は、光硬化性ポリマーを硬化させるのに十分な曝露時間で行われるが、近傍の細長部位がいっしょに硬化されない長さである。第１および第２ポリマーシートを接合して、第１および第２ポリマーシートのパターンがクロスした研磨パッドを形成する。第１および第２シートが、垂れ下がりを抑えるのに十分であって、ポリマーシートの細長チャネル３６同士、および平行面同士の間に直交関係を保持するのに十分な剛度を有した状態で、積層開口網状研磨パッドを硬化させることにより、固定化する。 （もっと読む）