【課題】シリカ粒子が沈降しない安定性と、高いアルミニウム膜の研磨速度と、低いシリコン酸化膜の研磨速度の全ての特性を充足さする化学機械研磨用分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有するシリカ粒子と、（Ｂ）Ｎ−ビニルピロリドンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を含む水溶性高分子とを含有し、ｐＨが２以上８以下である。 （もっと読む）

【課題】 ニードルパンチ方式に比べて短時間で製造できるとともに短繊維で研磨面を形成可能な研磨パッドを提供することである。
【解決手段】 ウエーハ等の板状物を研磨する研磨パッドであって、基材と、基材上に繊維が静電植毛によって配設された研磨層とから構成される。好ましくは、繊維は親水性繊維から構成され、繊維の長さは１ｍｍ以下の短繊維である。 （もっと読む）

【課題】
高研磨圧を要せずに、シリコン酸化膜やポリシリコン膜に対するシリコン窒化膜の研磨速度比を十分に大きくすることができると共に、貯蔵安定性が良好な化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供するものである。
【解決手段】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）スルホ基およびその塩からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有するシリカ粒子と、（Ｂ）三重結合を有する非イオン性界面活性剤とを含有し、ｐＨが、２以上７以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 少なくともパラジウム層の研磨速度を、従来のＣＭＰ研磨液を用いた場合よりも向上させることができるＣＭＰ研磨液、及びそのＣＭＰ研磨液を用いた研磨方法を提供すること。
【解決手段】 １，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤、及び会合度が１．５以上２．５未満である砥粒を含有するパラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液。また、基板と研磨布の間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する基板の研磨方法であって、基板は、パラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液は、１，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤及び１．５以上２．５未満である砥粒を含有するＣＭＰ研磨液である、研磨方法。 （もっと読む）

【課題】非選択的な低い欠陥性のケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、銅を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法を提供する。
【解決手段】銅を含む基板を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物を提供すること；研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配すること；及びケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことを含み；ここで、基板は研磨され、そして幾らかの銅は基板から除去される。 （もっと読む）

【課題】コバルト層に対する良好な研磨速度を保ちながら、コバルト層の腐食抑制性に優れる研磨剤及び基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】フタル酸化合物、イソフタル酸化合物及び下記一般式（Ｉ）で表されるアルキルジカルボン酸化合物並びにこれらの塩及び酸無水物からなる群より選択される少なくとも１種からなるカルボン酸誘導体と、金属防食剤と、水とを含有し、ｐＨが４．０以下である、コバルト元素を含む層を研磨するための研磨剤である。一般式（Ｉ）中、Ｒは炭素数が４〜１０であるアルキレン基を示す。
ＨＯＯＣ−Ｒ−ＣＯＯＨ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程において、生産性の向上、およびＣＭＰ特性の劣化の抑制を図る。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内に、溝を形成する工程と、絶縁膜上に、下地膜を形成する工程と、下地膜上に、溝が埋まるように金属膜を形成する工程と、半導体基板の表面を回転する研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に金属イオンを含む第１ＣＭＰスラリーを供給することで、溝外の金属膜を除去する第１研磨を行う工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に有機酸および純水を供給することで、研磨パッドおよび半導体基板の表面を洗浄する工程と、半導体基板の表面を研磨パッドに当接させ、研磨パッド上に第１ＣＭＰスラリーと異なる第２ＣＭＰスラリーを供給することで、溝外の下地膜を除去する第２研磨を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】硬化性材料を金型キャビテイ内に添加するためのノズル開口部の位置を中心に維持したままの一次元移動では研磨層における密度欠陥の発生があった。
【解決手段】硬化性材料の装填時間を三段階に分けノズル開口部の位置を段階毎にずらしていくようにした。初期段階には中心位置からドーナツ穴領域内に、転移段階ではドーナツ穴領域からドーナツ領域に移動、残段階ではドーナツ領域内にあるようにする。これにより密度欠陥を最小に抑えたＣＭＰパッド用の研磨層が形成できる。 （もっと読む）

【課題】より良いトポグラフィー性能を達成するためのタングステンバフィング配合物として使用するための、新しいケミカルメカニカルポリッシング組成物及び方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む基板を提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物と、研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと；及びケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配することを含み；ここで、基板は研磨され、そして幾らかのタングステンは基板から除去される。 （もっと読む）

【課題】良好な研磨速度を確保しつつ、研磨傷の発生数を劇的に低減することが可能なＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤、酸化剤及び水を含有する、ｐＨが４以下のＣＭＰ用研磨液において、砥粒の二次粒子径を１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下にすると共に、光散乱法及び光遮光法を用いて測定される粒度分布がそれぞれ、粒子径が０．５６μｍ以上、０．６４μｍ未満の粒子数を１０００個／ｍｌ未満、及び粒子径が０．６４μｍ以上、０．７９μｍ未満の粒子数を６００個／ｍｌ未満になるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラスチックレンズに対する研磨効率を向上させつつ研磨工具の消耗を抑えるプラスチックレンズの研磨方法、それに用いられる研磨工具、及びプラスチックレンズの製造方法を提供する。
【解決手段】加水分解可能な樹脂を含有するプラスチックレンズに対してアルカリによる加水分解を行うのと同時に、前記プラスチックレンズを研磨することを特徴とするプラスチックレンズの研磨方法。但し、研磨に用いられる研磨工具は耐アルカリ性を有し、且つ、前記研磨工具における、前記プラスチックレンズとの接触部には、加水分解された化合物のうちの少なくとも一部と水素結合可能な化合物が使用されている。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜のケミカルメカニカルポリッシンング（ＣＭＰ）において、高い均一性と高い研磨速度の両立を達成できるＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 砥粒と、第１の添加剤と、第２の添加剤と、水とを含有するものであり、第１の添加剤として所定の条件を満たす有機化合物が、第２の添加剤として飽和モノカルボン酸が配合されているＣＭＰ用研磨液。また、このＣＭＰ研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】研磨レートの低下を抑制するとともに、層間の剥離を防止する。
【解決手段】表面２ａが被研磨物に圧接される研磨層２と下地層３とが、接着層である両面テープ４によって接着される研磨パッドであって、研磨層２の裏面と両面テープ４との間に、研磨スラリーを遮断する止水層５を設け、研磨層２の表面２ａに供給される研磨スラリーが、研磨層２の表面から裏面側の両面テープ３に浸透するのを防止し、両面テープ３の粘着材層の成分が溶出するのを防止している。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較して、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 炭素数８〜３６の脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ）および水を必須成分として含有する電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ用研磨材等の研磨材として好適な異形シリカゾルを提供する。
【解決手段】本異形シリカゾルは、動的光散乱法の測定により得られた平均粒子径（ｒ）と窒素吸着法により測定された平均比表面積から算出した等価球換算粒子径（ｒ′）の比（ｒ／ｒ′、以下「会合比」と称する。）が１．２〜１０の範囲にあり、等価球換算粒子径（ｒ′）が５〜２００ｎｍの範囲にあり、比表面積が１３〜５５０ｍ^２/ｇの範囲にあって、形状が不均一な異形シリカ微粒子が溶媒に分散した異形シリカゾルであって、該異形シリカ微粒子の含有するＣａおよびＭｇの割合（酸化物換算）が、ＳｉＯ_２分に対してそれぞれ１０００ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の接合面の表面精度の向上を図り、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。
【解決手段】研磨剤を供給しつつリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、研磨工程は、研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する前段ポリッシュ工程と、研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シリコン予備研磨に用いられる研磨用組成物であって、特定のシリコンウエハに対し、以下の研磨作業を行った場合に、ウエハ表面当たりの研磨加工に起因するＬＰＤの個数が３０未満である。（１）研磨用組成物を用い、予備研磨する工程、（２）仕上げ研磨用組成物を用い、仕上げ研磨を行い、更にＳＣ−１洗浄、イソプロピルアルコール蒸気乾燥後に第１回目のＬＰＤを測定する工程、（３）ウエハを更にＳＣ−１洗浄、イソプロピルアルコール蒸気乾燥後に第２回目のＬＰＤを測定した後、第１回目と第２回目のＬＰＤ測定で測定位置が変わらないＬＰＤ数をＬＰＤ数として測定する工程。 （もっと読む）

【課題】特定の研磨パッドおよび特定の化学機械研磨用水系分散体を使用して化学機械研磨を行うことにより、従来よりも優れたパフォーマンス（高研磨速度、高平坦化、スクラッチ抑制等）を達成できる化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを定盤に固定し、前記研磨パッドの研磨層に化学機械研磨用水系分散体を供給しながら前記研磨層に半導体基板を接触させて研磨する化学機械研磨方法において、前記化学機械研磨用水系分散体が、（Ａ）長径ａ（Ｒｍａｘ）と短径ｂ（Ｒｍｉｎ）との比率（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）が１．１以上１．５以下であるシリカ粒子と、（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物と、を含み、前記研磨層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較して、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】有機還元剤（Ｂ）および水を必須成分として含有することを特徴とする電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較してスクラッチが入りにくく、また、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 重量平均分子量が１，０００ 〜２００，０００である中和塩（ＡＢ）および水を必須成分として含有する電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供する。 （もっと読む）