【課題】ロッド本体部の強度に優れ、軽量化に適したコンロッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるコンロッドの製造方法は、０．１ｗｔ％以上０．４５ｗｔ％以下の炭素を含む鋼から形成されたワークピースを用意する準備工程Ｓ１と、ワークピースに対して０．８％以上のカーボンポテンシャルを有する雰囲気下での複数回の浸炭処理を含む熱処理を行う熱処理工程Ｓ３およびＳ４と、ロッド本体部表面の少なくとも一部における最大谷深さが所定の値よりも小さくなるようにワークピースの表面を平滑化する表面平滑化工程Ｓ５とを包含し、表面平滑化工程Ｓ５は、バレル研磨工程を含む。 （もっと読む）

【課題】バフ研磨作業終了時、バフ研磨された表面がウエット状態（ドライアウトしていない状態）を保つことを特徴とするバフ研磨方法を提供する。
【解決手段】界面活性剤を含まず、（イ）研磨粒子１０〜６０質量％、（ロ）潤滑油１０〜３０質量％、（ハ）増粘安定化剤０．１〜２．０質量％及び水８〜７９．９質量％を含むバフ研磨用水性乳化研磨組成物を用いて、バフ研磨作業終了時、バフ研磨された表面がウエット状態（ドライアウトしていない状態）を保つことを特徴とするバフ研磨方法。及び前記粒子としてアルミナ、シリカ、アルミノシリケート、酸化第二錫から選ばれる１種又は２種以上を用い、かつ、前記潤滑油としてリシノール酸トリグリセライド（ヒマシ油）及び流動パラフィン及びグリセリンを用い、かつ、（ハ）増粘安定化剤として会合型アルカリ可溶性アクリルポリマーを用いたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 研磨後のウェハの厚みばらつきを軽減する。
【解決手段】 固定台とこの固定台を囲み密閉空間を形成する箱型躯体とからなる加工装置と、溶液にナノバブルを発生するナノバブル発生装置と、溶液を高速で噴射する高速水流発生装置と、加工装置内の溶液を高速で排水する高速排水装置と、排水した溶液を安定させる攪拌部と、ナノバブル発生装置と高速水流発生装置とを接続する第一配管部と、高速水流発生装置と加工装置とを接続する第二配管部と、加工装置と高速排水装置とを接続する第三配管部と、高速排水装置と攪拌部とを接続する第四配管部と、攪拌部とナノバブル発生装置とを接続する第五配管部と、第二配管部の加工装置側の端部に設けられる噴射ノズルと、を備え、第二配管部の中心軸線と第三配管部の中心軸線とが同一直線上に位置し、噴射ノズルの噴射範囲内に加工装置の固定台が位置して構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 研磨による傷の発生を軽減し、安定した研磨が行えること。
【解決手段】 センターギアと、このセンターギアを回転軸とする上定盤と、このセンターギアを回転軸としつつ前記上定盤と向かい合うように配置される下定盤と、この下定盤の縁側に配置されるインターナルギアとから構成される研磨装置が用いられ、前記下定盤と前記上定盤との間に水晶ウェハを配置して前記水晶ウェハを研磨する水晶ウェハの研磨方法であって、前記水晶ウェハと前記上定盤および前記水晶ウェハと下定盤との間に所定のガスを気泡化したナノバブルを含むフッ化カリウム水溶液、水酸化ナトリウムと炭酸ナトリウムとの混合溶液、水酸化カリウム溶液の何れか１つの溶液を介在させて水晶ウェハを研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法により、金属膜を研磨して、層間絶縁膜に設けられた開口部内に導体パターンを形成する際、リセス、ディッシング、及びエロージョンを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ法により、層間絶縁膜１４の上面よりも上方に形成された金属膜１９及びバリア膜１８を除去することで、開口部内に、バリア膜１８及び金属膜１９よりなる導体パターンを形成する研磨工程と、を有し、該研磨工程では、層間絶縁膜１４の上面が露出する前に、金属膜１９の研磨レートと層間絶縁膜１４の研磨レートとの差が小さい研磨条件を用いて研磨を行なうことで、導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】
従来、ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア系研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
中和法、加水分解法等の湿式合成法で得られるジルコニア粉末は、微細な一次粒子が集合して二次凝集粒子を形成している。本発明者等は湿式合成ジルコニア粉末のガラス研磨能力を評価し、その粉末の一次・二次粒子形態を解析した。その結果、７０〜１５０ｎｍの一次粒子が集合して３００〜５００ｎｍになった二次凝集粒子がフラクタル次元１．００〜１．０５の範囲にある球近似形状をもつ粉末において、極めて高い研磨能力が得られることを見出した。好適な粉末はジルコニウム塩の加水分解法によって製造でき、ガラス基板等の精密研磨に使用できる。 （もっと読む）

【課題】 研磨後のウェハの厚みばらつきを軽減する。
【解決手段】 センターギアと、このセンターギアを回転軸とする下定盤と、この下定盤の縁側に配置されるインターナルギアと、前記センターギアを回転軸としつつ前記下定盤と向かい合うように配置される上定盤とから構成される研磨装置と、前記研磨装置を内部に配置し研磨で使用した前記溶液を溜める溶液漕と、所定の溶液内にナノバブルを生成するナノバブル発生装置と、前記ナノバブルを含む前記所定の溶液を攪拌する攪拌部と、この攪拌部から前記研磨装置の上定盤に前記ナノバブルを含む前記溶液を供給する第一のポンプと、前記溶液漕に溜まった前記溶液を前記攪拌部へ供給する第二のポンプと、から構成される循環系設備と、を備え、前記研磨装置と前記溶液漕と前記循環系設備との前記溶液が接触する表面に、フッ素樹脂を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑で結晶の原子レベルにおいても表面性状に優れた高品質な表面を得る。
【解決手段】非酸化物単結晶基板を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と、平均２次粒子径が０．５μｍ以下の酸化セリウム粒子と、分散媒とを含有することを特徴とする。本発明の研磨剤において、前記酸化剤は、過マンガン酸イオンであることが好ましい。また、研磨剤のｐＨは１１以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム酸化物（サファイア）や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。
【解決手段】本発明は、アルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる。この研磨剤は、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合して形成される。このアルカリ溶液は水酸化カリウムKOH水溶液であり、かつ、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を0.01wt％〜１wt％、シリカ粒子を１〜３０wt%の範囲で混合した。 （もっと読む）

【課題】研磨ブラシを用いることなく、外周面取り部と外周側面部とを均一かつ安定的に研磨する方法を提供すること。
【解決手段】中央部に円形孔を有する複数の円盤形状ガラス基板を、前記円形孔の位置をあわせて重ね合わせてガラス基板積層体を形成し、該ガラス基板積層体の前記円形孔に貫通して前記ガラス基板積層体を支持する支持棒を有する容器内にガラス基板積層体を固定する、積層体形成工程と、前記ガラス基板積層体の外周端面と前記容器の内壁との間の空間に、砥粒を含む研磨液を封入する、研磨液封入工程と、前記研磨液が前記外周端面に接触するように、前記研磨液が封入された前記容器を振とうして前記外周端面を研磨する、研磨工程と、を含む、ガラス基板の外周端面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】無色透明硫化亜鉛の変色を生じさせそしてその性能を低下させる不純物を実質的に含まない向上した品質の多スペクトル無色透明硫化亜鉛を得る。
【解決手段】硫化亜鉛を保持するチャックをコーティングし、かつ硫化亜鉛をコーティングされていない粒子で機械加工することにより、金属汚染物質が低減された低散乱無色透明硫化亜鉛が製造される。不活性ホイルは酸クリーニング方法でクリーニングされ、また硫化亜鉛もクリーニングする。硫化亜鉛は不活性化ホイルに包まれ、次いでＨＩＰプロセスによって処理されて、低散乱無色透明硫化亜鉛を提供する。この低散乱無色透明硫化亜鉛は窓およびドームのような物品に使用されうる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ外周部と内周の膜厚を均等に削れるような半導体ウェハ研磨装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】図１に示すように、研磨パッド４と、研磨パッド４によって研磨される半導体ウェハ３を吸着するトップリング２と、トップリング２に吸着させた半導体ウェハ３を研磨中に固定保持するために設けられているガイドリング１と、を備え、トップリング２の外周部に、複数の穿孔１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に対する研磨速度を向上させることが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、水及び砥粒を含み、砥粒が、第１の粒子を含むコアと、該コア上に設けられた第２の粒子と、を有する複合粒子を含有し、第１の粒子がシリカを含有し、第２の粒子が水酸化セリウムを含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが９．５以下である。 （もっと読む）

【課題】
ガラスに対して高い研磨速度を持ち、研磨することによる傷も発生しない、安価な遊離砥粒研磨用研磨剤を提供すること。
【解決手段】
平均２次粒子径が１から３μｍであり、２次粒子径１０μｍ以上が無く、２次粒子形状が球状又は等軸状である砥粒であり、造粒したＭｎ_３Ｏ_４を温度８００℃から１０００℃で焼成させたものであるＭｎ_２Ｏ_３砥粒からなる遊離砥粒研磨用研磨剤はガラスに対して高い研磨速度を有し、研磨による傷発生も無いことから、ガラスに対する研磨性能に優れる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ用研磨パッドの表面状態を適正化し、低圧研磨プロセスにおいて、既存のＣＭＰ用研磨パッド及び研磨剤を用いて、研磨特性を維持しながら、安定して高い研磨速度を得られる半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が７〜１１μｍであるＣＭＰ用研磨パッドに、３〜７ｋＰａの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、この半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する半導体基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金を含む基板の研磨に有用な、基板上の追加の材料に対して有利な選択性で、かつ低総欠陥及び低Ｔｅ残渣欠陥にて、カルコゲナイド相変化合金の高い除去速度を有する研磨方法を提供する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；及び酸化剤から実質的になるケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する。 （もっと読む）

【課題】貴金属酸化物に対して高い除去速度を有する研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は配位子化合物及び水を含有する。配位子化合物としては、貴金属酸化物から貴金属を捕獲して金属錯体を形成する能力を有し、その能力が貴金属酸化物中の貴金属と同じ種類の貴金属単体から貴金属を捕獲して金属錯体を形成する能力よりも高いものが使用される。配位子化合物の例としては例えば、チオシアン酸アンモニウム等のチオシアン酸塩、チオ硫酸アンモニウム等のチオ硫酸塩、亜ジチオン酸ナトリウム等の亜ジチオン酸塩、テトラチオン酸ナトリウム二水和物等のテトラチオン酸塩、ジエチルジチオカルバミン酸ジエチルアンモニウム等のジエチルジチオカルバミン酸塩、ジメチルジチオカルバミン酸ナトリウム二水和物やジメチルジチオカルバミン酸ジメチルアンモニウム等のジメチルジチオカルバミン酸塩、及びチオ尿素が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを下げることなく、研磨液の使用量を削減できるようにする。
【解決手段】研磨パッドの表面に研磨液を供給しながら、研磨パッドの表面に基板を摺接させて該基板を研磨する研磨方法において、研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係、及び研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係を予め求めておき、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨レートの方が研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨レートよりも高くなるように、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら、高い研磨レートが得られるように、研磨パッドの表面に研磨液を継続的に供給する。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；キレート化剤；ポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；及び酸化剤を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、ここで、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する方法である。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを１種類のスラリーで実施することができる半導体素子の製造コスト低減が可能なシリコン膜用ＣＭＰスラリーを提供する。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。 （もっと読む）